F30 系列監控薄膜沉積，**強有力的工具F30 光譜反射率系統能實時測量沉積率、沉積層厚度、光學常數 (n 和 k 值) 和半導體以及電介質層的均勻性。
樣品層分子束外延和金屬有機化學氣相沉積: 可以測量平滑和半透明的，或輕度吸收的薄膜。 這實際上包括從氮化鎵鋁到鎵銦磷砷的任何半導體材料。
各項優點:極大地提高生產力低成本 —幾個月就能收回成本A精確 — 測量精度高于 ±1%快速 — 幾秒鐘完成測量非侵入式 — 完全在沉積室以外進行測試易于使用 — 直觀的 Windows? 軟件幾分鐘就能準備好的系統
型號厚度范圍*波長范圍
F30:15nm-70μm 380-1050nm
F30-EXR:15nm - 250μm 380-1700nm
F30-NIR:100nm - 250μm 950-1700nm
F30-UV:3nm-40μm 190-1100nm
F30-UVX:3nm - 250μm 190-1700nm
F30-XT:0.2μm - 450μm1440-1690nm 可選粗糙度: 20 — 1000? (RMS)。介電材料膜厚儀聯系電話
集成電路故障分析故障分析 (FA) 技術用來尋找并確定集成電路內的故障原因。
故障分析中需要進行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統的面朝上的電路封裝) 和背面薄化(用于較新的覆晶技術正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質薄化后剩余電介質的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個薄化步驟后剩余的硅厚度是相當關鍵的。 Filmetrics F3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設計的系統。 厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸**小測量厚度至0.1微米，同時具有單點和多點測繪的版本可供選擇。
測量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系統測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度 導電膜膜厚儀免稅價格應用：襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)，平整度。
F10-HC輕而易舉而且經濟有效地分析單層和多層硬涂層F10-HC 以 Filmetrics F20 平臺為基礎，根據光譜反射數據分析快速提供薄膜測量結果。 F10-HC 先進的模擬算法是為測量聚碳酸酯和其它單層和多層硬涂層(例如，底涂/硬涂層)專門設計的。
全世界共有數百臺 F10-HC 儀器在工作，幾乎所有主要汽車硬涂層公司都在使用它們。
像我們所有的臺式儀器一樣，F10-HC 可以連接到您裝有 Windows 計算機的 USB 端口并在幾分鐘內完成設定。
包含的內容：集成光譜儀/光源裝置FILMeasure 8 軟件FILMeasure **軟件 (用于遠程數據分析)CP-1-1.3 探頭BK7 參考材料TS-Hardcoat-4um 厚度標準備用燈
額外的好處：應用工程師可立刻提供幫助（周一 - 周五）網上的 “手把手” 支持 (需要連接互聯網)硬件升級計劃
其可測量薄膜厚度在1nm到1mm之間，測量精度高達1埃，測量穩定性高達，測量時間只需一到二秒,并有手動及自動機型可選。可應用領域包括：生物醫學（Biomedical）,液晶顯示(Displays),硬涂層(Hardcoats),金屬膜(Metal),眼鏡涂層(Ophthalmic),聚對二甲笨(Parylene),電路板(PCBs&PWBs),多孔硅(PorousSilicon),光阻材料(ThickResist),半導體材料(Semiconductors),太陽光伏(Solarphotovoltaics),真空鍍層(VacuumCoatings),圈筒檢查(Webinspectionapplications)等。通過Filmetrics膜厚測量儀*新反射式光譜測量技術,*多4層透明薄膜厚度、n、k值及粗糙度能在數秒鐘測得。其應用***，例如:半導體工業:光阻、氧化物、氮化物。LCD工業:間距(cellgaps)，ito電極、polyimide保護膜。光電鍍膜應用:硬化鍍膜、抗反射鍍膜、過濾片。極易操作、快速、準確、機身輕巧及價格便宜為其主要優點，Filmetrics提供以下型號以供選擇:F20:這簡單入門型號有三種不同波長選擇(由220nm紫外線區至1700nm近紅外線區)為任意攜帶型，可以實現反射、膜厚、n、k值測量。F30:這型號可安裝在任何真空鍍膜機腔體外的窗口。可實時監控長晶速度、實時提供膜厚、n、k值。并可切定某一波長或固定測量時間間距。FSM拉曼的應用：局部應力； 局部化學成分；局部損傷。
備用光源：
LAMP-TH1-5PAK：F10、F20、F30、F40、F50、和 F60 系統的非紫外光源。 5個/盒。1200 小時平均無故障。
LAMP-TH：F42F42 系統的光源。 1000 小時平均無故障。
LAMP-THF60：F60 系統的光源。 1000 小時平均無故障。
LAMP-THF80：F80 系統的光源。 1000 小時平均無故障。
LAMP-D2-L10290：L10290 氘光源。 2007年到2014年F20-UV的使用者。
LAMP-TH-L10290：L10290 鎢鹵素光源。 2007年到2014年F20-UV的使用者。
LAMP-D2-***T2：***T2光源需更換氘燈, 而鹵素燈光源需更換使用LAMP-TH1-5PAK. F50-UV測厚范圍：5nm-40μm；波長：190-1100nm。高校膜厚儀干涉測量應用
一般較短波長 (例如， F50-UV) 可用于測量較薄的薄膜，而較長波長可以測量更厚、更不平整和更不透明的薄膜。介電材料膜厚儀聯系電話
F10-ARc
獲得**精確的測量.自動基準功能**增加基準間隔時間, 量測準確性優於其他光纖探頭反射測量系統5倍可選擇UPG - F10-AR - HC軟件升級 測量0.25-15μm硬涂層的厚度. 即使在防反射涂層存在時仍可測量硬涂層厚度我們***探頭設計可排除98％背面反射,當鏡片比1.5mm 更厚時, 可排除比例更高修正了硬膜層造成的局部反射扭曲現象。
F10-ARc：200nm - 15μm** 380-1050nm
當您需要技術支援致電我們的應用工程師，提供即時的24小時援助（週一至週五）網上的 “手把手”
支持 (需要連接互聯網)硬件升級計劃 介電材料膜厚儀聯系電話
岱美儀器技術服務（上海）有限公司發展規模團隊不斷壯大，現有一支專業技術團隊，各種專業設備齊全。專業的團隊大多數員工都有多年工作經驗，熟悉行業專業知識技能，致力于發展岱美儀器技術服務的品牌。公司以用心服務為重點價值，希望通過我們的專業水平和不懈努力，將磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關配套服務，國際貿易、轉口貿易，商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動】磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關配套服務，國際貿易、轉口貿易，商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動】等業務進行到底。誠實、守信是對企業的經營要求，也是我們做人的基本準則。公司致力于打造***的磁記錄，半導體，光通訊生產，測試儀器的批發。