EVG6200 NT光刻機高性價比選擇

來源: 發布時間:2019-12-18

此外,EVG光刻機不斷關注未來的市場趨勢 - 例如光學3D傳感和光子學 - 并為這些應用開發新的方案和調整現有的解決方案,以滿足客戶不斷變化的需求。我們用持續的技術和市場地位證明了這一點,包括EVG在使用各種非標準抗蝕劑方面的無與倫比的經驗,這些抗蝕劑針對獨特的要求和參數進行了優化。了解客戶需求和有效的全球支持是我們提供優先解決方案的重要基礎。只有接近客戶,才能得知客戶最真實的需求,這是我們一直時刻與客戶保持聯系的原因之一。只有接近客戶,才能得知客戶最真實的需求,這是我們一直時刻與客戶保持聯系的原因之一。EVG6200 NT光刻機高性價比選擇

EVG770自動UV-NIL納米壓印步進機,用于制作主圖章。母模是晶圓大小的模板,里面完全裝有微透鏡模具,每個模具都采用分步重復的方法從一個透鏡模板中復制。EVG從金屬或玻璃制成的單鏡頭母版開始,提供了涵蓋了制作母模的所有基本工藝步驟的工藝流程,具有無與倫比的鏡片位置精度和高端鏡片制造所需的高鏡片形狀可重復性晶圓級相機模塊。

IQ Aligner自動UV-NIL納米壓印系統,用于UV微透鏡成型。軟UV壓印光刻技術是用于制造聚合物微透鏡(WLO系統的關鍵要素)的高度并行技術。EVG從晶圓尺寸的主圖章復制的軟性圖章開始,提供了混合和整體式微透鏡成型工藝,可以輕松地將其應用于工作圖章和微透鏡材料的各種材料組合。此外,EV Group提供合格的微透鏡成型工藝,包括所有相關的材料專業知識。

EVG40 NT自動測量系統。支持非常高的分辨率和精度的垂直和橫向測量,計量對于驗證是否符合嚴格的工藝規范并立即優化集成的工藝參數至關重要。在WLO制造中,EVG的度量衡解決方案可用于關鍵尺寸(CD)測量和透鏡疊層對準驗證,以及許多其他應用。 半導體設備光刻機優惠價格EVG101是光刻膠處理,EVG105是光刻膠烘焙機,EVG120、EVG150是光刻膠處理自動化系統。

EVG101光刻膠處理系統的旋轉涂層模塊-旋轉器參數

轉速:最/高10 k rpm

加速速度:最/高10 k rpm

噴涂模塊-噴涂產生

超聲波霧化噴嘴/高粘度噴嘴

開發模塊-分配選項

水坑顯影/噴霧顯影


EVG101光刻膠處理系統附加模塊選項:

預對準:機械


系統控制參數:

操作系統:Windows

文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數/離線程序編輯器

靈活的流程定義/易于拖放的程序編程

并行處理多個作業/實時遠程訪問,診斷和故障排除


多語言用戶GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR


EVG®610 掩模對準系統

■   晶圓規格

:100 mm / 150 mm / 200 mm

■   頂/底部對準精度達到 ± 0.5 μm / ± 1.0 μm

■   用于雙面對準高/分辨率頂部和底部分裂場顯微鏡

■   軟件,硬件,真空和接近式曝光

■   自動楔形補償

■   鍵合對準和NIL可選

■   支持最/新的UV-LED技術

EVG®620 NT / EVG®6200 NT

掩模對準系統(自動化和半自動化)

■   晶圓產品規格

:150 mm / 200 mm

■   接近式楔形錯誤補償

■   多種規格晶圓轉換時間少于5分鐘

■   初次印刷高達180 wph / 自動對準模式為140 wph

■   可選獨立的抗震型花崗巖平臺

■   動態對準實時補償偏移

■   支持最/新的UV-LED技術 HERCULES的橋接工具系統可對多種尺寸的晶圓進行易碎,薄或翹曲的晶圓處理。

EVG120光刻膠自動處理系統:

智能過程控制和數據分析功能(框架軟件平臺)

用于過程和機器控制的集成分析功能

并行任務/排隊任務處理功能

設備和過程性能跟/蹤功能

智能處理功能:

事/故和警報分析/智能維護管理和跟/蹤

晶圓直徑(基板尺寸):高達200毫米


模塊數:

工藝模塊:2

烘烤/冷卻模塊:最多10個

工業自動化功能:Ergo裝載盒式工作站/

SMIF裝載端口/ SECS / GEM / FOUP裝載端口


分配選項:

各種光刻膠分配泵,可覆蓋高達52000 cP的粘度

液體底漆/預濕/洗盤

去除邊緣珠(EBR)/背面沖洗(BSR)

恒壓分配系統/注射器分配系統

電阻分配泵具有流量監控功能

可編程分配速率/可編程體積/可編程回吸

超音波


EVG610 掩模對準系統,支持的晶圓尺寸:100 mm / 150 mm / 200 mm。半導體設備光刻機優惠價格

岱美是EVG光刻機在中國的代理商,提供本地化的優質服務。EVG6200 NT光刻機高性價比選擇

EVG鍵合機掩模對準系列產品,使用最/先進的工程技術。

用戶對接近式對準器的主要需求由幾個關鍵參數決定。亞微米對準精度,掩模和晶片之間受控的均勻接近間隙,以及對應于抗蝕劑靈敏度的已經明確定義且易于控制的曝光光譜是最重要的標準。此外,整個晶圓表面的高光強度和均勻性是設計和不斷增強EVG掩模對準器產品組合時需要考慮的其他關鍵參數。創新推動了我們的日常業務的發展和提升我們的理念,使我們能夠跳出思維框架,創造更先進的系統。 EVG6200 NT光刻機高性價比選擇

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