能夠高精度并且動態(tài)地反映溫度和施加DC偏置電壓時的特性。這是如何實現(xiàn)的呢？簡單來說，等價電路模型在常溫（25℃）下的DC偏置以0V靜態(tài)模型（Murata’sstaticmodel，指定條件時的元件模型。有電路的基本要素(R、L、C)構(gòu)成）為基準(zhǔn)，將它與被稱作工作電源的電源模型并聯(lián)連接。因為電源模型會根據(jù)溫度和施加的DC偏置電壓自動計算容量和ESR的變化部分，所以成為了動態(tài)反映這些依存性的結(jié)構(gòu)。構(gòu)成村田動態(tài)模型的元件基本上能對應(yīng)DC解析、AC解析、過渡解析等各種各樣的解析，因此能夠有效實施高準(zhǔn)確率的電路設(shè)計。目前，對應(yīng)各軟件的模型程序庫可以在村田官網(wǎng)下載使用，這些模型程序庫已被眾多客戶使用，并備受好評。此外，村田官網(wǎng)上的設(shè)計輔助工具SimSurfing同樣可以通過圖表確認(rèn)使用動態(tài)模型計算的各種各樣的特性。例如，可通過多個元件改變DC偏置電壓的同時，簡單比較阻抗的頻率特性。在SimSurfing上輸入任意溫度和DC偏置電壓，都能夠輸出輸入條件下的S參數(shù)和SPICE網(wǎng)表。輸出的SPICE網(wǎng)表是通過電路的基本要素（R,L,C）構(gòu)成的靜態(tài)模型，因此模擬器在不對應(yīng)動態(tài)模型時和減少計算量負荷時非常有效。靜態(tài)模型不能自動匹配電路上任意條件，在指定條件時與動態(tài)模型嚴(yán)格一致。01005封裝尺電容電阻找深圳市康業(yè)軒電子有限公司.深圳通用村田電容生產(chǎn)廠家
taj c 100 k 010 r ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ① 表示系列，avx 有taj 和tps 兩個系列，taj 表示普通鉭電容，tps 表示的是 低阻抗鉭電容，直流電阻小于 1 歐，一般在 100 毫歐到 500 毫歐之間，特殊的 可以低到40 毫歐。 ② 表示鉭電容的尺寸大小，有 a、b、c、d、e、y、v 六種尺寸
③ 表示電容的容量，范圍從 0.1uf----1000uf ④ 表示容量誤差，鉭電容的容量誤差有兩種:一是±10%(k)和±20%(m) ⑤ 表示電容的耐壓，指在 85℃時額定直流電壓，鉭電容的耐壓范圍從 4v---50v ⑥ 表示包裝方式，有兩種包裝方式，7 寸盤和 13 寸盤。 福田耐用性高村田電容系列國內(nèi)通用尺寸表示是(長*寬)1.6*0.8mm（單位為mm）.國際上通用尺寸表示是用英寸0603(單位為inch)。
村田電容的品名表示法產(chǎn)品型號：GRM188R71C225KE15D，其中：GRM：表示鍍錫電珍品（普通貼片陶瓷電容），常用的村田電容就是GRM普通貼片陶瓷電容與GNM普通貼片排容。18：表示尺寸（長*寬）（*)，國內(nèi)通用尺寸表示是(長*寬)*（單位為mm）。國際上通用尺寸表示是用英寸0603(單位為inch)，村田的常用代碼有03、15、18、21、31、32、42、43、55等。8：表示厚度（T）()，常用厚度村田代碼有5、6、8、9、B、C、E等，具體的對應(yīng)值如下：；；；；；；。R7：表示材質(zhì)（X7R），常用材質(zhì)村田代碼有5C、R6、R7、F5等，具體的對應(yīng)值如下：5C-COG/NPO/CH；R6-X5R；R7-X7R；F5-Y5V。1C：表示額定電壓（DC16V），常用電壓村田表示有0J、1A、1C、1E、1H等，對應(yīng)值如下：；1A-10V；1C-16V；1E-25V；1H-50V。225：表示靜電容量（22UF），由3位字母數(shù)字表示，單位為皮法（pF）。第1位和第2位數(shù)字為有效數(shù)字，第3位數(shù)字表示有效數(shù)字后的0的個數(shù)，有小數(shù)點時以大寫字母“R”表示，此時所有數(shù)字均為有效數(shù)字。比如：R50表示；1R0表示；101表示100pF(也就是前2位10為有效數(shù)字，第3位1為前面10有效數(shù)字后0的個字為1個，也就是100pF)。K：表示靜電容量允許偏差，也就是常說的檔位、精度（+-10%）。
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村田電容的詳細分類GA系列：GA2:基于日本通用芯片多層陶瓷電容器的電器和材料安全法GA3:通用安全標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證芯片多層陶瓷電容器GC系列：GCH：用于植入式醫(yī)療器械的芯片多層陶瓷電容器（非壽命支持電路）GJ系列：GJ4:用于通用的低失真芯片多層陶瓷電容器GJM:用于通用的高Q芯片多層陶瓷電容器GM系列：GMA:用于通用的引線接合安裝多層微芯片電容器GMD:用于通用的引線鍵合/AuSn焊接安裝芯片多層陶瓷電容器GQ系列：GQM:用于通用的高Q和高功率芯片多層陶瓷電容器GR系列：GR3:通用高效電容和高紋波電流芯片多層陶瓷電容器GR4:用于以太網(wǎng)LAN的芯片多層陶瓷電容器和DC-DC轉(zhuǎn)換器的初級-次級耦合,用于G-Fast，xDSL分離器電路的芯片多層陶瓷電容器GRJ:用于通用的軟端接芯片多層陶瓷電容器GRM:通用芯片多層陶瓷電容器,用于LCD背光逆變器電路的芯片多層陶瓷電容器GX系列：GXM:通用型防水芯片多層陶瓷電容器KR系列：KR3:高效電容和高容許紋波電流金屬端子型多層陶瓷電容器通用KRM:通用金屬端子型多層陶瓷電容器LL系列：LLA:8端子低ESL芯片多層陶瓷電容器。 深圳通用村田電容生產(chǎn)廠家