晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前，通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產時間和成本方面的優勢，該技術在集成電路行業中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內部電子電路所...

封裝技術對微機電系統 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術發展和實用化的關鍵技術［1］。實現封裝的技術手段很多，其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術的發展...

完美的多用戶概念（無限數量的用戶帳戶，各種訪問權限，不同的用戶界面語言） 桌面系統設計，占用空間蕞小 支持紅外對準過程 EVG?610BA鍵合機技術數據 常規系統配置 桌面 系統機架：可選 隔振：被動 對準方法 背面對準：±2μm3σ 透明對準：±1μm3σ ...

BONDSCALE與EVG的行業基準GEMINIFBXT自動熔融系統一起出售，每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用，例如存儲器堆疊，3D片上系統（SoC），背...

引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導體中，這是因為其成本效率高且易于應用。在ZUI佳環境中，每秒ZUI多可以創建10個鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。盡管球形鍵合的ZUI佳選擇是純金，但由于銅的相對成...

業內主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態液相）和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。奧地利的EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗，擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經驗的...

二、EVG501晶圓鍵合機特征：帶有150mm或200mm加熱器的鍵合室獨特的壓力和溫度均勻性與EVG的機械和光學對準器兼容靈活的設計和研究配置從單芯片到晶圓各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）可選渦輪泵（<1E-5mbar）可升級陽極鍵合開放式腔室設計，...

EVG?6200BA自動鍵合對準系統 用于晶圓間對準的自動化鍵合對準系統，用于中等和批量生產 特色 技術數據 EVG鍵合對準系統提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性，模塊化升級功能，并且已經在眾多高通量生產環境中進行了認證。EVG鍵對準器的精度可滿足MEMS生產...

Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實際應用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結構，但不涉及對準問題，實際應用的價值較小。陳穎慧等...

輪廓儀是一種兩坐標測量儀器，儀器傳感器相對被測工件表而作勻速滑行，傳感器的觸針感受到被測表而的幾何變化，在X和Z方向分別采樣，并轉換成電信號，該電信號經放大和處理，再轉換成數字信號儲存在計算機系統的存儲器中，計算機對原始表而輪廓進行數字濾波，分離掉...

參考材料備用BK7和二氧化硅參考材料。BG-Microscope顯微鏡系統內取背景反射的小型抗反光鏡BG-F10-RT平臺系統內獲取背景反射的抗反光鏡REF-Al-1mmSubstrate基底-高反射率鋁基準REF-Al-3mmSubstrate基底-高反射率...

半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對準和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現良好的電接觸，并蕞小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于...

EVG?301單晶圓清洗系統，屬于研發型單晶圓清洗系統。 技術數據 EVG301半自動化單晶片清洗系統采用一個清洗站，該清洗站使用標準的去離子水沖洗以及超音速，毛刷和稀釋化學藥品作為附加清洗選項來清洗晶片。EVG301具有手動加載和預對準功能，是一種多功能的研...

EVG?520IS晶圓鍵合系統■擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能■200mm的單個或者雙腔自動化系統■自動晶圓鍵合流程和晶圓替代轉移■集成冷卻站，實現高產量EVG?540自動鍵合系統■300mm單腔鍵合室■自動處理多達4個鍵合卡盤■模塊化鍵合...

BONDSCALE與EVG的行業基準GEMINIFBXT自動熔融系統一起出售，每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用，例如存儲器堆疊，3D片上系統（SoC），背...

EVG501晶圓鍵合機，先進封裝，TSV，微流控加工?；竟δ埽河糜趯W術和工業研究的多功能手動晶圓鍵合系統。適用于：微流體芯片，半導體器件處理，MEMS制造，TSV制作，晶圓先進封裝等。一、簡介：EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統，可處理從單芯片到150...

Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實際應用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結構，但不涉及對準問題，實際應用的價值較小。陳穎慧等...

晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前，通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產時間和成本方面的優勢，該技術在集成電路行業中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內部電子電路所...

EVG?620BA鍵合機選件 自動對準 紅外對準，用于內部基板鍵對準 NanoAlign?包增強加工能力 可與系統機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術數據 常規系統配置 桌面 系統機架：可選 隔振：被動 對準方法 背面對準：±2μm3σ 透明對準：±1μ...

SmartView?NT自動鍵合對準系統，用于通用對準。全自動鍵合對準系統，采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準。用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術對于在lingxian技術的多個...

目前關于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表...

鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，以執行隨后的鍵合過程。可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應用。 EVG?501/EVG?510/EVG?520IS是用于研發的鍵合機。 晶圓鍵合類型 ■陽極鍵合 ■黏合劑鍵合 ...

輪廓儀對所測樣品的尺寸有何要求？答：輪廓儀對載物臺xy行程為140*110mm（可擴展），Z向測量范圍蕞大可達10mm，但由于白光干涉儀單次測量區域比較?。ㄒ?0X鏡頭為例，在1mm左右），因而在測量大尺寸的樣品時，全檢的方式需要進行拼接測量，檢測效率會比較低...

電介質成千上萬的電解質薄膜被用于光學，半導體，以及其它數十個行業, 而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。常見的電介質有:二氧化硅 – ZUI簡單的材料之一, 主要是因為它在大部分光譜上的無吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學計量 (就是說，硅...

測量眼科設備涂層厚度光譜反射率可用于測量眼鏡片減反射(AR)光譜和殘余顏色，以及硬涂層和疏水層的厚度。減反涂層減反涂層用來減少眩光以及無涂層鏡片導致的眼睛疲勞。減反鏡片的藍綠色彩也吸引了眾多消費者。因此，測量和控制減反涂層及其色彩就變得越來越重要了。Filme...

測量眼科設備涂層厚度光譜反射率可用于測量眼鏡片減反射(AR)光譜和殘余顏色，以及硬涂層和疏水層的厚度。測量范例：F10-AR系統配備HC升級選擇通過反射率信息進行硬涂層厚度測量。這款儀器儀器采用接觸探頭，從而降低背面反射影響，并可測凹凸表面。接觸探頭安置在...

厚度測量產品：我們的膜厚測量產品可適用于各種應用。我們大部分的產品皆備有庫存以便快速交貨。請瀏覽本公司網頁產品資訊或聯系我們的應用工程師針對您的厚度測量需求提供立即協助。單點厚度測量：一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺式測量系統。測量1nm到13mm的單層薄膜或多層...

NanoX-80003D輪廓測量主要技術參數3D測量主要技術指標（1）：測量模式：PSI+VSI+CSIZ軸測量范圍：大行程PZT掃描（300um標配/500um選配）10mm精密電機拓展掃描CCD相機：1920x1200高速相機（標配）干涉物鏡：2.5X,5...

樣品視頻包括硬件和照相機的F20系統視頻。視頻實時顯示精確測量點。 不包括SS-3平臺。SampleCam-sXsX探頭攝像機包含改裝的sX探頭光學配件，但不包含平臺。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 樣品平臺，具有SS-3鏡頭與3...

F30包含的內容：集成光譜儀/光源裝置光斑尺寸10微米的單點測量平臺FILMeasure8反射率測量軟件Si參考材料FILMeasure度力軟件(用于遠程數據分析)額外的好處：每臺系統內建超過130種材料庫,隨著不同應用更超過數百種應用工程師可立刻提供幫助（周...