同一代技術中通態損耗與開關損耗兩者相互矛盾,互為消長。IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現了很多新技術，如燒結取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。隨著IG...

同一代技術中通態損耗與開關損耗兩者相互矛盾,互為消長。IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現了很多新技術，如燒結取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。隨著IGBT芯片...

怎樣選用晶閘管常用晶體閘流管主要有單向晶閘管、雙向晶閘管、可關斷晶閘管等，應根據電路需要合理選用。(1)單向晶閘管單向晶閘管的特點是電流只能從陽極A流向陰極k，主要應用于直流電源或魚流脈動電壓的控制、交流電源整流、直流電源逆變等場合。單向晶閘管可分為普...

措施：在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯適當電容，就可以減小這種過電壓。與整流器并聯的其它負載切斷時，因電源回路電感產生感應電勢的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時，初級拉閘，因變壓器激磁電流的突變，在次級感生出很高的瞬時電壓，這種電壓尖峰值可達工作電壓的6...

igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結構，igbt的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機，變頻器，變頻家電等領域。目錄1特點2應用3注意事項4發展趨勢IGBT功...

整流橋就是將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路，選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。...

消除了導通電阻中jfet的影響。同時縮小了原胞尺寸即步進(pitch)，提高原胞密度，每個芯片的溝道總寬度增加，減小了溝道電阻。另一方面，由于多晶硅柵面積增大，減少了分布電阻，有利于提高開關速度。igbt的飽和壓降(vcesat)和關斷損耗以及抗沖擊能...

因此我們可以用散熱器的基板溫度的數值來代替整流橋的殼溫，這樣不在測量上易于實現，還不會給終的計算帶來不可容忍的誤差。折疊仿真分析整流橋在強迫風冷時的仿真分析前面本文從不同情形下的傳熱途徑著手，用理論的方法分析了整流橋在三種不同冷卻方式下的傳熱過程，在此本文通過...

1)、整流橋殼體表面散熱熱阻a)整流橋正面殼體的散熱熱阻:同不帶散熱器的強迫風冷一樣:b)整流橋背面殼體的散熱熱阻:假設忽約整流橋與殼體的接觸熱阻，則:;選擇散熱器與環境間熱阻的典型值為:于是:則整流橋通過殼體表面散熱的總熱阻為:2)、流橋通過引腳散熱的熱阻:...

在更換熔絲時，如果上得過緊或過松，經過一段時間的運行之后，由于受到自然環境、機械震動和長時間受力等影響，就會使熔絲在過緊狀態下拉出，或者熔絲較原先更換時拉長松脫，造成掉管故障。其原因有：(1)更換熔絲時，調整受力不適當。(2)熔絲松脫拉出，主要是指熔絲...

金絲球焊過程則在壓一點前先燒個球，其余過程類似。壓焊是LED封裝技術中的關鍵環節，工藝上主要需要監控的是壓焊金絲（鋁絲）拱絲形狀，焊點形狀，拉力。LED封膠LED的封裝主要有點膠、灌封、模壓三種。基本上工藝控制的難點是氣泡、多缺料、黑點。設計上主要是對...

這要由具體的應用和所使用的功率管決定。比較大柵極充電電流是±15A,充電電流由外接的柵極電阻限定。如果將25腳G通過電阻直接與IGBT:G相連,IGBT的驅動波形上升沿較大,但IGBT導通后上升較快,如圖2所示;圖2IGD515EI輸出端不加MOS管時...

二極管，（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極管（VaricapDiode）則用來當作電子式的可調電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rec...

電流從LED陽極流向陰極時，半導體晶體就發出從紫外到紅外不同顏色的光線，光的強弱與電流有關。以下是傳統發光二極管所使用的無機半導體物料和所它們發光的顏色LED材料材料化學式顏色鋁砷化鎵砷化鎵砷化鎵磷化物磷化銦鎵鋁磷化鎵（摻雜氧化鋅）AlGaAsGaAs...

[7]二極管雙向觸發二極管將萬用表置于相應的直流電壓擋，測試電壓由兆歐表提供。[8]測試時，搖動兆歐表，萬同樣的方法測出VBR值。將VBO與VBR進行比較，兩者的值之差越小，說明被測雙向觸發二極管的對稱性越好。[8]二極管瞬態電壓抑制二極管用萬用表測量...

熔斷器只能起到短路保護作用，不能起過載保護作用，熔斷器的選擇，主要依據負載的保護特性和短路電流的大小選擇熔斷器的類型。...[熔斷器]熔斷器的外形與結構圖解日期：2020-05-2308:23:59有磁熔斷器的外形與結構圖，包括RC1A系列瓷插式熔斷器...

晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當陽極電壓升到足夠大時，會使晶閘管導通，稱為正向轉折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后，還必須加上觸發電壓，并產生足夠的觸發電流，才能使晶閘管從阻斷轉...

而是為了保護IGBT脆弱的反向耐壓而特別設置的，又稱為FWD（續流二極管）。二者內部結構不同MOSFET的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。IGBT的三個極分別是集電極(C)、發射極(E)和柵極(G)。IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而...

同一代技術中通態損耗與開關損耗兩者相互矛盾,互為消長。IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現了很多新技術，如燒結取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。隨著IGBT芯片...

TC=℃）------通態平均電流VTM=V-----------通態峰值電壓VDRM=V-------------斷態正向重復峰值電壓IDRM=mA-------------斷態重復峰值電流VRRM=V-------------反向重復峰值電壓IRRM=mA...

該電場會阻止P區空穴繼續向N區擴散。倘若我們在發射結添加一個正偏電壓（p正n負），來減弱內建電場的作用，就能使得空穴能繼續向N區擴散。擴散至N區的空穴一部分與N區的多數載流子——電子發生復合，另一部分在集電結反偏（p負n正）的條件下通過漂移抵達集電極，形成集電...

IGBT與MOSFET的開關速度比較因功率MOSFET具有開關速度快，峰值電流大，容易驅動，安全工作區寬，dV/dt耐量高等優點，在小功率電子設備中得到了廣泛應用。但是由于導通特性受和額定電壓的影響很大，而且工作電壓較高時，MOSFET固有的反向二極管導致通態...

晶閘管等元件通過整流來實現。除此之外整流器件還有很多，如：可關斷晶閘管GTO，逆導晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導體器件，由于它效率高，控制特性好，...

術語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，是為了便于描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本...

可控硅這種通過觸發信號（小的觸發電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區別于普通硅整流二極管的重要特征。普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結（a），相當于一個二極管，G為正極...

關于賽米控賽米控是一家國際的功率半導體制造商。成立于1951年，總部位于德國的賽米控公司是一家在全球有3900名員工的家族式企業。賽米控遍布全球的36家子公司及分?e設在中國、巴西、法國、德國、印度、意大利、韓國、斯洛伐克、南非和美國的生產基地，能夠為...

由此證明被測RCT質量良好。注意事項：（1）S3900MF的VTR<，宜選R×1檔測量。（2）若再用讀取電流法求出ITR值，還可以繪制反向伏安特性。①一般小功率晶閘管不需加散熱片，但應遠離發熱元件，如大功率電阻、大功率三極管以及電源變壓器等。對于大功率...

早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導體模塊時間1970年目錄1分類2優點3規格型號可控硅模塊分...

固定腿15與卡扣16構成卡合結構，滑動到對應位置時，卡扣16與固定腿15卡合固定，進一步對濾網蓋14進行拆卸更換，防止大量灰塵堵住進風口導致損壞的問題，通過安裝在柜體1內壁的散熱風扇，散熱風扇為反方向設置，從而加速內部空氣流通，豎桿19的內部設置有轉軸...

使MAX668的輸出電壓一直高于MAX810的復位門檻電壓。假如R、C使Q1的導通時間延長，同時也延長了關斷時間。因此需要在電阻上并聯一肖特基二極管，以加速當負載過載時關閉Q1的進程。為了獲得增強型通道及較低的導通電阻，上述電路均需要采用邏輯電平控制的...