進(jìn)行試管胚胎移植前是否需要進(jìn)行基因檢測(cè)，這取決于夫婦和醫(yī)生的決定。基因檢測(cè)可以用來(lái)檢測(cè)胚胎是否攜帶某些遺傳疾病、染色體異常或其他突變。這種檢測(cè)被稱為遺傳學(xué)篩查或胚胎染色體篩查，旨在減少可能的遺傳風(fēng)險(xiǎn)和出生缺陷的機(jī)會(huì)，幫助夫婦做出更加明智的決策。基因檢測(cè)可以了解...

GCSR-LDGCSR-LD（光柵耦合采樣反射激光二極管）是一種波長(zhǎng)可大范圍調(diào)諧的LD，其結(jié)構(gòu)從左往右分別為增益、耦合器、相位、反射器區(qū)域，改變其增益、耦合、相位和反射器各個(gè)部分的注入電流，就可改變其發(fā)射波長(zhǎng)。此LD波長(zhǎng)可調(diào)范圍約80nm，可提供322個(gè)國(guó)際電...

激光二極管 激光二極管包括單異質(zhì)結(jié)（SH）、雙異質(zhì)結(jié)（DH）和量子阱（QW）激光二極管。量子阱激光二極管具有閾值電流低，輸出功率高的優(yōu)點(diǎn)，是市場(chǎng)應(yīng)用的主流產(chǎn)品。同激光器相比，激光二極管具有效率高、體積小、壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)，但其輸出功率?。ㄒ话阈∮?mW）...

胚胎激光破膜儀的原理和優(yōu)點(diǎn) 胚胎激光破膜儀是一種專門(mén)用于胚胎研究的科學(xué)儀器，它采用激光技術(shù)來(lái)破膜，以便進(jìn)行各種實(shí)驗(yàn)和研究。相比傳統(tǒng)的玻璃針穿刺、Peizo機(jī)械打孔等方法，胚胎激光破膜儀具有以下優(yōu)點(diǎn)：精確：激光打孔對(duì)細(xì)胞無(wú)擠壓，孔徑小，精確，消除了傳統(tǒng)...

注意事項(xiàng)播報(bào)編輯1.激光二極管發(fā)射的激光有可能對(duì)人眼造成傷害。二極管工作時(shí)，嚴(yán)禁直接注視其端面，不能透過(guò)鏡片直視激光，也不能透過(guò)反視鏡觀察激光。2.器件需要合適的驅(qū)動(dòng)電源，瞬時(shí)反向電流不能超過(guò)2uA，反向電壓不得超過(guò)3V,否則會(huì)損壞器件。驅(qū)動(dòng)電源子在電源通斷時(shí)...

工作原理播報(bào)編輯圖6 激光二極管晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏...

DBR-LDDBR-LD（分布布拉格反射器激光二極管）相當(dāng)有代表性的是超結(jié)構(gòu)光柵SSG結(jié)構(gòu)。器件**是有源層，兩邊是折射光柵形成的SSG區(qū)，受周期性間隔調(diào)制，其反射光譜變成梳狀峰，梳狀光譜重合的波長(zhǎng)以大的不連續(xù)變化，可實(shí)現(xiàn)寬范圍的波長(zhǎng)調(diào)諧。采用DBR-LD構(gòu)成...

隨著科技的不斷進(jìn)步，激光打孔技術(shù)作為一種高效、精細(xì)的加工方式，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。特別是在薄膜材料加工領(lǐng)域，激光打孔技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，成為了不可或缺的重要加工手段。本文將重點(diǎn)探討激光打孔技術(shù)在薄膜材料中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)。 激光打孔技術(shù)簡(jiǎn)介激...

細(xì)胞分割技術(shù)，也被稱為細(xì)胞分裂技術(shù)，是一種重要的生物學(xué)研究工具，用于研究細(xì)胞的生長(zhǎng)、復(fù)制和發(fā)育過(guò)程。本文將介紹細(xì)胞分割技術(shù)的原理、應(yīng)用和未來(lái)的發(fā)展方向。一、原理細(xì)胞分割是指細(xì)胞在生物體內(nèi)或體外通過(guò)分裂過(guò)程產(chǎn)生兩個(gè)或多個(gè)新的細(xì)胞的過(guò)程。在有絲分裂中，細(xì)胞通過(guò)一系...

DFB-LD圖9 激光二極管F-P(法布里-珀羅）腔LD已成為常規(guī)產(chǎn)品，向高可靠低價(jià)化方向發(fā)展。DFB-LD的激射波長(zhǎng)主要由器件內(nèi)部制備的微小折射光柵周期決定，依賴沿整個(gè)有源層等間隔分布反射的皺褶波紋狀結(jié)構(gòu)光柵進(jìn)行工作。DFB-LD兩邊為不同材料或不同組分的半...

激光打孔技術(shù)在薄膜材料加工中的優(yōu)勢(shì) 1.高精度、高效率激光打孔技術(shù)具有高精度和高效率的特點(diǎn)。通過(guò)精確控制激光束的能量和運(yùn)動(dòng)軌跡，可以在薄膜材料上快速、準(zhǔn)確地加工出微米級(jí)和納米級(jí)的孔洞。這種加工方式可以顯著提高生產(chǎn)效率和加工質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本。 ...

2·反向特性在電子電路中，二極管的正極接在低電位端，負(fù)極接在高電位端，此時(shí)二極管中幾乎沒(méi)有電流流過(guò)，此時(shí)二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，這種連接方式，稱為反向偏置。二極管處于反向偏置時(shí)，仍然會(huì)有微弱的反向電流流過(guò)二極管，稱為漏電流。當(dāng)二極管兩端的反向電壓增大到某一數(shù)值，反...

PGS適用人群播報(bào)編輯高齡孕婦(年齡≥35歲)反復(fù)自然流產(chǎn)史的孕婦（自然流產(chǎn)≥3次）反復(fù)胚胎種植失敗的孕婦（失敗≥3次）生育過(guò)染色體異常疾病患兒的夫婦染色體數(shù)目及結(jié)構(gòu)異常的夫婦注意事項(xiàng)播報(bào)編輯選擇了PGS，常規(guī)產(chǎn)前檢查仍不可忽視。因?yàn)槿澜绺鞣N遺傳性疾病有40...

PGS適用人群播報(bào)編輯高齡孕婦(年齡≥35歲)反復(fù)自然流產(chǎn)史的孕婦（自然流產(chǎn)≥3次）反復(fù)胚胎種植失敗的孕婦（失敗≥3次）生育過(guò)染色體異常疾病患兒的夫婦染色體數(shù)目及結(jié)構(gòu)異常的夫婦注意事項(xiàng)播報(bào)編輯選擇了PGS，常規(guī)產(chǎn)前檢查仍不可忽視。因?yàn)槿澜绺鞣N遺傳性疾病有40...

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段內(nèi)，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發(fā)日趨成熟，國(guó)際上*少數(shù)幾家廠商可提供商用產(chǎn)品。優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，有源區(qū)為應(yīng)變超晶格QW。有源區(qū)周邊一般為...

囊胚注射概念囊胚注射（Blastocystinjection）是一種生物技術(shù)方法，用于將特定基因或DNA序列導(dǎo)入到胚胎的囊胚階段。這種技術(shù)通常用于轉(zhuǎn)基因研究和基因編輯領(lǐng)域。囊胚是胚胎發(fā)育的一個(gè)早期階段，特點(diǎn)是胚胎形成囊狀結(jié)構(gòu)，并且內(nèi)部有胚冠細(xì)胞和內(nèi)細(xì)胞群（IC...

激光破膜儀在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的其他應(yīng)用 除了在輔助生殖技術(shù)中的應(yīng)用，激光破膜儀還具有以下醫(yī)學(xué)應(yīng)用：?***殺菌?：激光可以加快局部血液循環(huán)，****防御，抑制細(xì)菌等病原體繁殖?34。?促進(jìn)傷口愈合?：刺激細(xì)胞活性，改善微循環(huán)，降低***風(fēng)險(xiǎn)?34。?緩解疼痛...

胚胎激光破膜儀的應(yīng)用領(lǐng)域 胚胎激光破膜儀主要用于胚胎活檢（EB）、產(chǎn)前遺傳診斷（PGD）和輔助孵化（AH）等實(shí)驗(yàn)和研究方面。其中，胚胎活檢是指通過(guò)對(duì)胚胎進(jìn)行活檢，獲取胚胎內(nèi)部細(xì)胞團(tuán)（ICM）和外部細(xì)胞團(tuán)（TE）等細(xì)胞，以進(jìn)行基因組學(xué)、轉(zhuǎn)錄組學(xué)、蛋白質(zhì)...

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段內(nèi)，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發(fā)日趨成熟，國(guó)際上*少數(shù)幾家廠商可提供商用產(chǎn)品。優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，有源區(qū)為應(yīng)變超晶格QW。有源區(qū)周邊一般為...

簡(jiǎn)介播報(bào)編輯體細(xì)胞核移植（Somatic Cell nuclear transfer）:又稱體細(xì)胞克隆，作為動(dòng)物細(xì)胞工程技術(shù)的常用技術(shù)手段，即把體細(xì)胞核移入去核卵母細(xì)胞中，使其發(fā)生再程序化并發(fā)育為新的胚胎，這個(gè)胚胎**終發(fā)育為動(dòng)物個(gè)體。用核移植方法獲得的動(dòng)物稱...

簡(jiǎn)介播報(bào)編輯體細(xì)胞核移植（Somatic Cell nuclear transfer）:又稱體細(xì)胞克隆，作為動(dòng)物細(xì)胞工程技術(shù)的常用技術(shù)手段，即把體細(xì)胞核移入去核卵母細(xì)胞中，使其發(fā)生再程序化并發(fā)育為新的胚胎，這個(gè)胚胎**終發(fā)育為動(dòng)物個(gè)體。用核移植方法獲得的動(dòng)物稱...

激光二極管 激光二極管包括單異質(zhì)結(jié)（SH）、雙異質(zhì)結(jié)（DH）和量子阱（QW）激光二極管。量子阱激光二極管具有閾值電流低，輸出功率高的優(yōu)點(diǎn)，是市場(chǎng)應(yīng)用的主流產(chǎn)品。同激光器相比，激光二極管具有效率高、體積小、壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)，但其輸出功率?。ㄒ话阈∮?mW）...

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段內(nèi)，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發(fā)日趨成熟，國(guó)際上*少數(shù)幾家廠商可提供商用產(chǎn)品。優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，有源區(qū)為應(yīng)變超晶格QW。有源區(qū)周邊一般為...

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段內(nèi)，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發(fā)日趨成熟，國(guó)際上*少數(shù)幾家廠商可提供商用產(chǎn)品。優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，有源區(qū)為應(yīng)變超晶格QW。有源區(qū)周邊一般為...

產(chǎn)生激光的三個(gè)條件是：實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)、滿足閾值條件和諧振條件。產(chǎn)生光的受激發(fā)射的首要條件是粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，在半導(dǎo)體中就是要把價(jià)帶內(nèi)的電子抽運(yùn)到導(dǎo)帶。為了獲得粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，通常采用重?fù)诫s的P型和N型材料構(gòu)成PN結(jié)，這樣，在外加電壓作用下，在結(jié)區(qū)附近就出現(xiàn)了粒子數(shù)反轉(zhuǎn)—...

GCSR-LDGCSR-LD（光柵耦合采樣反射激光二極管）是一種波長(zhǎng)可大范圍調(diào)諧的LD，其結(jié)構(gòu)從左往右分別為增益、耦合器、相位、反射器區(qū)域，改變其增益、耦合、相位和反射器各個(gè)部分的注入電流，就可改變其發(fā)射波長(zhǎng)。此LD波長(zhǎng)可調(diào)范圍約80nm，可提供322個(gè)國(guó)際電...

注意事項(xiàng)播報(bào)編輯1.激光二極管發(fā)射的激光有可能對(duì)人眼造成傷害。二極管工作時(shí)，嚴(yán)禁直接注視其端面，不能透過(guò)鏡片直視激光，也不能透過(guò)反視鏡觀察激光。2.器件需要合適的驅(qū)動(dòng)電源，瞬時(shí)反向電流不能超過(guò)2uA，反向電壓不得超過(guò)3V,否則會(huì)損壞器件。驅(qū)動(dòng)電源子在電源通斷時(shí)...

激光的產(chǎn)生圖1在講激光產(chǎn)生機(jī)理之前，先講一下受激輻射。在光輻射中存在三種輻射過(guò)程，一是處于高能態(tài)的粒子自發(fā)向低能態(tài)躍遷，稱之為自發(fā)輻射；二是處于高能態(tài)的粒子在外來(lái)光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷，稱之為受激輻射；三是處于低能態(tài)的粒子吸收外來(lái)光的能量向高能態(tài)躍遷稱之為受激...

激光破膜儀的優(yōu)勢(shì) 1.提升胚胎發(fā)育潛能：激光破膜儀有助于囊胚克服孵化前的結(jié)構(gòu)性阻力，使胚胎內(nèi)外的代謝產(chǎn)物和營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)能夠順利交換，從而提升胚胎的發(fā)育潛能。 2.節(jié)省胚胎能量：通過(guò)輔助孵出，激光破膜儀降低了囊胚擴(kuò)張和孵化所需的能量，節(jié)省了活力較差的...

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段內(nèi)，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發(fā)日趨成熟，國(guó)際上*少數(shù)幾家廠商可提供商用產(chǎn)品。優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，有源區(qū)為應(yīng)變超晶格QW。有源區(qū)周邊一般為...