低壓熔斷器（low voltage fuse）是2020年公布的電力名詞。低壓熔斷器***用于低壓供配電系統和控制系統中，主要用于短路保護，有時也可用于過載保護。熔斷器串聯在電路中，當電路發生短路或嚴重過載時，熔斷器中的熔體將自動熔斷，從而切斷電路，起到保護作...

熔斷器具有結構簡單、使用方便、價格低廉等優點，在低壓系統中***被應用。鑒于熔斷器***的短路保護性能，它廣泛應用于高低壓配電系統和控制系統以及用電設備中，作為短路和過電流的保護器，是應用**普遍也**重要的保護器件之一。在應用中要重視熔斷器的使用注意事項、日...

最高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時，會將管子擊穿，失去單向導電能力。為了保證使用安全，規定了最高反向工作電壓值。 [4]小功率晶體二極管1. 判別正、負電極（1）觀察外殼上的符號標記。通常在二極管的外殼上標有二極管的符號，帶有三角形箭頭的一端...

3、熔斷器應與配電裝置同時進行維修工作：（1）清掃灰塵，檢查接觸點接觸情況；（2）檢查熔斷器外觀（取下熔斷器管）有無損傷、變形，瓷件有無放電閃爍痕跡；（3）檢查熔斷器，熔體與被保護電路或設備是否匹配，如有問題應及時調查；（4）注意檢查在TN接地系統中的N線，設...

應用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。***象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時，我們稱為正向電壓，并用符號U21表示。當這個電壓逐漸增加到等于轉折電...

（3）現今產品多具有智能特點，除保護功能外，還有電量測量、故障記錄，以及通信接口，實現配電裝置及系統集中監控管理。2、主要問題（1）價格很高，因此只宜在配電線路首端和特別重要場所的分干線使用；（2）尺寸較大。信息技術設備(ITE)熔斷器標識要求依照GB4943...

點接觸型二極管點接觸型二極管的PN結接觸面積小，不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓，但它的高頻性能好，適宜在高頻檢波電路和開關電路中使用 [5]。面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結接觸面積大，可以通過較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路...

2023年5月，新加坡—麻省理工學院研究與技術聯盟的科學家開發了世界上**小的LED。 發光二極管簡稱為LED。由含鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。當電子與空穴復合時能輻射出可見光，因而可以用來制成發光二極管。在電路及儀器中作為指示燈...

（三）環保LED燈內部不含有任何的汞等重金屬材料，但是熒光燈中含有，這就體現了LED燈環保的特點。現在的人都十分重視環保，所以，會有更多的人愿意選擇環保的LED燈。 [3]（四）響應速度快LED燈還有一個突出的特點，就是反應的速度比較快。只要一接通電源，LED...

IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態時，由于它的PNP 晶體管為寬基區晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。由于N+ 區存在電導調制效應，所以IGBT...

紅外發光二極管1. 判別紅外發光二極管的正、負電極。紅外發光二極管有兩個引腳，通常長引腳為正極，短引腳為負極。因紅外發光二極管呈透明狀，所以管殼內的電極清晰可見，內部電極較寬較大的一個為負極，而較窄且小的一個為正極。 [8]2. 先測量紅個發光二極管的正、反向...

當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。 [5]當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電...

在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。可控硅...

2、保護單臺長期工作的電機熔體電流可按比較大起動電流選取，也可按下式選取：IRN ≥ (1.5～2.5)IN式中IRN--熔體額定電流；IN--電動機額定電流。如果電動機頻繁起動，式中系數可適當加大至3～3.5，具體應根據實際情況而定。3、保護多臺長期工作的電...

在晶閘管導通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1和a1迅速下降，當1-（a1+a2）≈0時，晶閘管恢復阻斷狀態。普通可控硅**基本的用途就是可控整流。二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成可控硅...

2010年，中國科學院微電子研究所成功研制國內***可產業化IGBT芯片，由中國科學院微電子研究所設計研發的15-43A /1200V IGBT系列產品（采用Planar NPT器件結構）在華潤微電子工藝平臺上流片成功，各項參數均達到設計要求，部分性能優于國外...

· 驅動器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅動功率PG。驅動器的比較大平均輸出電流必須大于計算值。· 驅動器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計算得到的比較大峰值電流。· 驅動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對I...

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。常用可控硅的封...

若U1與U2的電壓值相同，但與U的電壓值不同，則說明該雙向觸發二極管的導通性能對稱性良好。若U1與U2的電壓值相差較大時，則說明該雙向觸發二極管的導通性不對稱。若U1、U2電壓值均與市電U相同時，則說明該雙向觸發二極管內部已短路損壞。若U1、U2的電壓值均為0...

全范圍熔斷器，由高分斷能力熔斷器和噴射式熔斷器串聯組成的熔斷器，把熔體分成比一般熔斷器多幾倍的并聯熔體的結構，分斷低過載電流至額定分斷電流的熔斷器。能可靠分斷低過載電流至額定分斷電流的熔斷器。全范圍熔斷器有3種結構形式:①由高分斷能力熔斷器和噴射式熔斷器串聯組...

2、熔斷器參數確定通常熔斷器的額定電流值是基于環境溫度23±5 ℃時的值，為了滿足電動汽車實際工況要求，需要對額定電流值進行修正。可允許的比較大連續負載電流可以用以下公式進行計算Ib=In·Kt·Ke·Kv·Kf·Kb（1）式 中：Ib———可允許的比較大連續...

PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區。(5)應在額定參數范圍...

測量雙向觸發二極管的轉折電壓有三種方法（如圖3所示）：方法一1）將兆歐表的正極（E）和負極（L）分別接雙向觸發二極管的兩端，用兆歐表提供擊穿電壓，同時用萬用表的直流電壓檔測量出電壓值，將雙向觸發二極管的兩極對調后再測量一次。比較一下兩次測量的電壓值的偏差（一般...

導通壓降電導調制效應使電阻RN減小，使通態壓降小。關斷當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低于門限值時，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區內。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因為換向開始后，在N層內還存在少數的載流子（少子）...

熔斷器由絕緣底座（或支持件）、觸頭、熔體等組成，熔體是熔斷器的主要工作部分，熔體相當于串聯在電路中的一段特殊的導線，當電路發生短路或過載時，電流過大，熔體因過熱而熔化，從而切斷電路。熔體常做成絲狀、柵狀或片狀。熔體材料具有相對熔點低、特性穩定、易于熔斷的特點。...

至于型號后綴字母的觸發電流，各個廠家的**含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，型號沒有后綴字母之觸發電流，通常為25-35mA；PHILIPS公司的觸發電流**字母沒有統一的...

IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區域。多使用在工業用電機、民用小容量電機、變換器（逆變器）、照相機的頻閃觀測器、感應加熱（InductionHeating）電飯鍋等領域。根據封裝的不同，IGBT大致分為兩種類型，...

畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半...

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機、變頻器、變頻家電等領域。IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅動...

熔斷器（fuse）是指當電流超過規定值時，以本身產生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據電流超過規定值一段時間后，以其自身產生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運用這種原理制成的一種電流保護器。熔斷器廣泛應用于高低壓配電系統和控制系統以及用電設備...