（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。常用可控硅的封...

IGBT是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR...

（3）煤礦中的應用由于發光二極管較普通發光器件具有效率高、能耗小、壽命長、光度強等特點，因此礦工燈以及井下照明等設備使用了發光二極管。雖然還未完全普及，但在不久將得到普遍應用，發光二極管將在煤礦應用中取代普通發光器件。 [6]（4）城市的裝飾燈在當今繁華的商業...

它們在反向電壓作用下參加漂移運動，使反向電流明顯變大，光的強度越大，反向電流也越大。這種特性稱為“光電導”。光敏二極管在一般照度的光線照射下，所產生的電流叫光電流。如果在外電路上接上負載，負載上就獲得了電信號，而且這個電信號隨著光的變化而相應變化。光敏二極管是...

若U1與U2的電壓值相同，但與U的電壓值不同，則說明該雙向觸發二極管的導通性能對稱性良好。若U1與U2的電壓值相差較大時，則說明該雙向觸發二極管的導通性不對稱。若U1、U2電壓值均與市電U相同時，則說明該雙向觸發二極管內部已短路損壞。若U1、U2的電壓值均為0...

雙向可控硅可被認為是一對反并聯連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2， 一個門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發導通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負觸發脈沖都...

安秒特性：熔斷器的動作是靠熔體的熔斷來實現的，熔斷器有個非常明顯的特性，就是安秒特性。熔斷器（圖6）對熔體來說，其動作電流和動作時間特性即熔斷器的安秒特性，也叫反時延特性，即：過載電流小時，熔斷時間長；過載電流大時，熔斷時間短。對安秒特性的理解，我們從焦耳定律...

雙向可控硅屬于NPNPN五層器件，三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向導通，故除門極G以外的兩個電極統稱為主端子，用T1、T2表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點是，當G極和T2極相對于T1，的電壓均為正時，T2是陽極，T1是陰極。反之，當G極和T2極...

熔斷電流，指導線在熔斷時所能通過的比較大的電流。但隨著導線的電阻增大，其熔斷電流也將降低。熔斷電流：Fusing current 單位： mA，A等。在導線橫截面積一定的情況下，長度越長，電阻越大，其熔斷電流也就越小。在長度一定的情況下，導線橫截面積越大，其電...

2010年，中國科學院微電子研究所成功研制國內***可產業化IGBT芯片，由中國科學院微電子研究所設計研發的15-43A /1200V IGBT系列產品（采用Planar NPT器件結構）在華潤微電子工藝平臺上流片成功，各項參數均達到設計要求，部分性能優于國外...

2、保護單臺長期工作的電機熔體電流可按比較大起動電流選取，也可按下式選取：IRN ≥ (1.5～2.5)IN式中IRN--熔體額定電流；IN--電動機額定電流。如果電動機頻繁起動，式中系數可適當加大至3～3.5，具體應根據實際情況而定。3、保護多臺長期工作的電...

快速熔斷器的特性反時限電流保護特性。熔斷器具有反時延特性，即過載電流小時，熔斷時間長；過載電流大時，熔斷時間短。所以，在一定過載電流和過載時間范圍內，熔斷器是不會熔斷的，可連續使用。熔斷器有各種不同的熔斷特性曲線，可以適用于不同類型保護對象的需要。限流特性由于...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋...

通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內可控...

畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半...

通常為達到更好的驅動效果，IGBT開通和關斷可以采取不同的驅動速度，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的。IGBT驅動器有些是開通和關斷分別輸出控制，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。有些驅動器只有一個輸出端，這就...

快速熔斷器是一種熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流，因此要求短路保護具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結構和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以...

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎上發展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯的可控硅，而且*需一個觸發電路，是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個字母)交流半導體開...

分斷能力強發生短路故障時，圓孔狹頸處首先被熔斷，電弧被石英砂分隔成許多小段，電弧被很快熄滅。由于石英砂是絕緣的，電弧熄滅后，熔斷器立即變成一個絕緣體，將電路分斷。因而快速熔斷器分斷能力強，可高達50kA。負載設備承受的沖擊能量小電路出現短路故障時，負載設備承受...

4、法標熔斷器法標熔斷器具有循環性能強、體積小、構造獨特等特點，適用于占用空間小的小型UPS、小型交流驅動器以及其它小功率應用。 [2]對于高電流保護區，所選熔斷器應具備以下性能： ①容量大，通常在幾十到幾百A； ②能夠承受瞬間高電流、高脈沖； ③安全可靠性高...

為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作IGBT采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數α作為解決閉鎖的措施。具體地來說，p+n-p的電流放大系數α設計為0.5以下。 IGBT的閉鎖電流IL為額定電流（直流）的3倍以上。IGBT的驅動原理與電力MOSFET基本相同...

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2（P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2（以硅單晶為基本...

為了使熔斷器起到其應有的作用，確保整車用電器安全工作，選擇合適的類型及規格就變得尤為重要。熔斷器的選型涉及以下因素：施加在熔斷器上的電流特性、電壓特性、熔斷器的環境溫度、安裝尺寸限制、應用線路等。當外加電壓和安裝尺寸一定的情況下，熔斷器的選擇主要從電流特性、環...

自復熔斷器的特點是分斷電流大，可以分斷200千安交流（有效值），甚至更大的電流。這種熔斷器具有非常***的限流作用，當瞬時電流達到接近165千安時即能被迅速限流。自復熔斷器的結構主要由電流端子（又叫電極）、云母玻璃（填充劑）、絕緣管、熔體、活塞、氬氣和外殼等組...

90年代中期，溝槽柵結構又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規模集成(LSI)工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術實現的新刻蝕工藝，但仍然是穿通(PT)型芯片結構。[4]在這種溝槽結構中，實現了在通態電壓和關斷時間之間折衷的更重要的改進。硅芯片的重直結構也得到了急...

當無光照時，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。當制成大面積的光電二極管時，可當作一種能源而稱為光電池。此時它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。 [4]發光二極管發光二極管發光二極管是...

變容二極管將萬用表紅、黑表筆怎樣對調測量，變容二極管的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中，發現萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零，說明被測變容二極管有漏電故障或已經擊穿壞。 [8]單色發光二極管在萬用表外部附接一節能1.5V干電池，將萬用表置R×10或...

3、調節功率開關器件的通斷速度柵極電阻小，開關器件通斷快，開關損耗小；反之則慢，同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率**提高，從而產生較大的干擾，嚴重的將使整個裝置無法工作，因此必須統籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種...

斷路器是指能夠關合、承載和開斷正常回路條件下的電流并能在規定的時間內關合、承載和開斷異常回路條件下的電流的開關裝置。斷路器按其使用范圍分為高壓斷路器與低壓斷路器，高低壓界線劃分比較模糊，一般將3kV以上的稱為高壓電器。斷路器可用來分配電能，不頻繁地啟動異步電動...

熔斷器具有結構簡單、使用方便、價格低廉等優點，在低壓系統中***被應用。鑒于熔斷器***的短路保護性能，它廣泛應用于高低壓配電系統和控制系統以及用電設備中，作為短路和過電流的保護器，是應用**普遍也**重要的保護器件之一。在應用中要重視熔斷器的使用注意事項、日...