對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管...

至于型號后綴字母的觸發(fā)電流，各個廠家的**含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F(xiàn)=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流，通常為25-35mA；PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒有統(tǒng)一的...

安秒特性：熔斷器的動作是靠熔體的熔斷來實現(xiàn)的，熔斷器有個非常明顯的特性，就是安秒特性。熔斷器（圖6）對熔體來說，其動作電流和動作時間特性即熔斷器的安秒特性，也叫反時延特性，即：過載電流小時，熔斷時間長；過載電流大時，熔斷時間短。對安秒特性的理解，我們從焦耳定律...

在電子技術中常用的數(shù)碼管，發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反。當發(fā)光二極管正向偏置通過電流時會發(fā)出光來，這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。它的光譜范圍比較窄，其波長由所使用的基本材料而定。 [4]用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標，稱為二極管...

斷路器是指能夠關合、承載和開斷正常回路條件下的電流并能在規(guī)定的時間內關合、承載和開斷異常回路條件下的電流的開關裝置。斷路器按其使用范圍分為高壓斷路器與低壓斷路器，高低壓界線劃分比較模糊，一般將3kV以上的稱為高壓電器。斷路器可用來分配電能，不頻繁地啟動異步電動...

至于型號后綴字母的觸發(fā)電流，各個廠家的**含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F(xiàn)=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流，通常為25-35mA；PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒有統(tǒng)一的...

光敏二極管，又叫光電二極管（英語：photodiode ）是一種能夠將光根據(jù)使用方式，轉換成電流或者電壓信號的光探測器。管芯常使用一個具有光敏特征的PN結，對光的變化非常敏感，具有單向導電性，而且光強不同的時候會改變電學特性，因此，可以利用光照強弱來改變電路中...

（2）先用萬用表判別普通二極管正、負電極的方法進行檢查，即交換紅、黑表筆兩次測量管子兩引腳間的電阻值，正常時，所得阻值應為一大一小。以阻值較小的一次為準，紅表筆所接的管腳步為負極，黑表筆所接的管腳為正極。 [8]2. 檢測性能好壞。用萬用表電阻擋測量紅外接收二...

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。 同時， 可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VD R M 和反向重復峰值電...

可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它...

安秒特性：熔斷器的動作是靠熔體的熔斷來實現(xiàn)的，熔斷器有個非常明顯的特性，就是安秒特性。熔斷器（圖6）對熔體來說，其動作電流和動作時間特性即熔斷器的安秒特性，也叫反時延特性，即：過載電流小時，熔斷時間長；過載電流大時，熔斷時間短。對安秒特性的理解，我們從焦耳定律...

圖7是雙向觸發(fā)二極管與雙向可控硅等元件構成的臺燈調光電路。通過調節(jié)電位器R2，可以改變雙向可控硅的導通角，從而改變通過燈泡的電流（平均值）實現(xiàn)連續(xù)調光。如果將燈泡換電熨斗、電熱褥還可實現(xiàn)連續(xù)調溫。該電路在雙向可控硅加散熱器的情況下，可控負載功率可達500W，各...

3、線路中各級熔斷器熔體額定電流要相應配合，保持前一級熔體額定電流必須大于下一級熔體額定電流；4、熔斷器的熔體要按要求使用相配合的熔體，不允許隨意加大熔體或用其他導體代替熔體。熔斷器巡視檢查：1、檢查熔斷器和熔體的額定值與被保護設備是否相配合；2、檢查熔斷器外...

IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸...

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

從晶閘管的內部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管.當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。中每個晶...

發(fā)光二極管的**部分是由P型半導體和N型半導體組成的晶片，在P型半導體和N型半導體之間有一個過渡層，稱為PN結。在某些半導體材料的PN結中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉換為光能。PN結加反向電壓，少數(shù)載流...

面接觸型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開關、脈沖及低頻電路中。面接觸型二極管是二極管中的一種。二極管種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)其不同用途，可分為檢波二極管、...

因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產(chǎn)生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導...

IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機、民用小容量電機、變換器（逆變器）、照相機的頻閃觀測器、感應加熱（InductionHeating）電飯鍋等領域。根據(jù)封裝的不同，IGBT大致分為兩種類型，...

1、英標熔斷器英式熔斷器主要用于英聯(lián)邦國家生產(chǎn)的設備。英標熔斷器殼體采用陶瓷材質，產(chǎn)品具有體積小、性價比高等特點，特別受到240V以下的UPS廠商青睞。2、美標熔斷器美式熔斷器應用**為***，涵蓋了大部分電力電子產(chǎn)品應用。美標熔斷器殼體采用三聚氰胺網(wǎng)格布加陶...

光敏二極管，又叫光電二極管（英語：photodiode ）是一種能夠將光根據(jù)使用方式，轉換成電流或者電壓信號的光探測器。管芯常使用一個具有光敏特征的PN結，對光的變化非常敏感，具有單向導電性，而且光強不同的時候會改變電學特性，因此，可以利用光照強弱來改變電路中...

正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現(xiàn)，其電壓和電流容量還很有限，遠遠不能滿足電力電子應用技術發(fā)展的需求，特別是在高壓領域的許多應用中，要求器件的電壓等級達到10KV以上。目前只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術來實現(xiàn)高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采...

IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機、民用小容量電機、變換器（逆變器）、照相機的頻閃觀測器、感應加熱（InductionHeating）電飯鍋等領域。根據(jù)封裝的不同，IGBT大致分為兩種類型，...

自復熔斷器是可多次動作使用的熔斷器，在日本稱為長久熔斷器。在分斷過載或短路電流后瞬間，熔體能自動恢復到原狀。自復熔斷器是可多次動作使用的熔斷器，在日本稱為長久熔斷器。在分斷過載或短路電流后瞬間，熔體能自動恢復到原狀 [1]。外殼由奧氏體不銹鋼制成，外殼中心埋有...

在使用IGBT的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程...

可控硅一個關鍵用途在于做為無觸點開關。在自動化設備中,用無觸點開關代替通用繼電器已被逐步應用。其***特點是無噪音,壽命長。可控硅***陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)...

3、調節(jié)功率開關器件的通斷速度柵極電阻小，開關器件通斷快，開關損耗小；反之則慢，同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率**提高，從而產(chǎn)生較大的干擾，嚴重的將使整個裝置無法工作，因此必須統(tǒng)籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種...

為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻取100R，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。3、關于轉換電流變化率當負載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉換電流變化率變高，這種...

它們在反向電壓作用下參加漂移運動，使反向電流明顯變大，光的強度越大，反向電流也越大。這種特性稱為“光電導”。光敏二極管在一般照度的光線照射下，所產(chǎn)生的電流叫光電流。如果在外電路上接上負載，負載上就獲得了電信號，而且這個電信號隨著光的變化而相應變化。光敏二極管是...