這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，...

其特點是：超前橋臂實現(xiàn)零電壓開通，原理不變；滯后橋臂實現(xiàn)零電流關(guān)斷，開關(guān)管兩端不再并聯(lián)電容，以避免開通時電容釋放的能量加大開通損耗。在此對移相全橋 ZVZCS PWM 變換器的基本原理做一簡要介紹。 [5]圖4 工作波形基本移相全橋 ZVZCS 電路及主要工作...

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應(yīng)降級使用?？煽毓?..

當(dāng)無光照時，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。當(dāng)制成大面積的光電二極管時，可當(dāng)作一種能源而稱為光電池。此時它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。 [4]發(fā)光二極管發(fā)光二極管發(fā)光二極管是...

相對于傳統(tǒng)的隔離式12脈沖變壓整流器為1.03P的等效容量，自耦式變壓整流器的等效容量減小到了0.18P，大大減小了整流變壓器的等效容量。 [3]脈沖自耦變壓整流器右圖給出自耦式12脈沖變壓整流器，變壓器用于產(chǎn)生滿足整流器要求的兩組三相電壓，兩組三相電壓（Va...

Windows 9x專門提供有“添加新硬件向?qū)А保ㄒ韵潞喎Q硬件向?qū)В﹣韼椭褂谜甙惭b硬件驅(qū)動程序，使用者的工作就是在必要時告訴硬件向?qū)г谀膬嚎梢哉业脚c硬件型號相匹配的.inf文件，剩下的絕大部分安裝工作都將由硬件安裝向?qū)ё约和瓿伞＝o硬件設(shè)備安裝驅(qū)動程序?qū)in...

紫外發(fā)光二極管是氮化物技術(shù)發(fā)展和第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展的主要趨勢，擁有廣闊的應(yīng)用前景。中國科技部為了加快第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源的發(fā)展，爭施了“第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)”重點研發(fā)計劃專項（2016YFB0400800）。國家重點研發(fā)計劃的支...

（2）限幅電路在電子電路中，常用限幅電路對各種信號進行處理。它是用來讓信號在預(yù)置的電平范圍內(nèi)，有選擇地傳輸一部分信號。大多數(shù)二極管都可作為限幅使用，但有些時候需要用到**限幅二極管，如保護儀表時。 [6]（3）穩(wěn)壓電路在穩(wěn)壓電路中通常需要使用齊納二極管，它是一...

圖3b是兩組三相橋并聯(lián)組成大電流的十二相整流電路。兩橋變壓器次級繞組電壓依次相差30°。若兩組橋的交流線電壓相等,各自的控制角也相等,則兩組橋的整流平均電壓也相等,只要極性相符合,就可以并聯(lián)運行。但是兩組整流電壓的瞬時值是不等的，兩組電源間會出現(xiàn)交流環(huán)流。為了...

整流：調(diào)整氣流、水流或電流的形態(tài)，或能對氣流、水流或電流的形態(tài)進行調(diào)整。在電力電子方面：將交流電變換為直流電稱為AC/DC變換，這種變換的功率流向是由電源傳向負載，稱之為整流 [1]。整流電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詫⒄撟兓慕涣麟妷鹤優(yōu)閱蜗蛎}動電壓的電路。...

電力網(wǎng)供給用戶的是交流電，而各種無線電裝置需要用直流電。整流，就是把交流電變?yōu)橹绷麟姷倪^程。利用具有單向?qū)щ娞匦缘钠骷?，可以把方向和大小改變的交流電變換為直流電。下面介紹利用晶體二極管組成的各種整流電路。 [1]半波整流電路半波整流電路三相橋式全控電路半波整流...

推挽驅(qū)動是兩不同極性晶體管輸出電路無輸出變壓器（有OTL、OCL等）。是兩個參數(shù)相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于電路中,各負責(zé)正負半周的波形放大任務(wù),電路工作時，兩只對稱的功率開關(guān)管每次只有一個導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小效率高。推挽輸出既...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等。可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋...

另外在IGBT驅(qū)動器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）...

畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導(dǎo)通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導(dǎo)通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中，常把交流電的半...

(3)沖擊電流問題。由于可控硅前沿斬波使得輸入電壓可能一直處于峰值附近，輸入濾波電容將承受大的沖擊電流，同時還可能使得可控硅意外截止，導(dǎo)致可控硅不斷重啟，所以一般需要在驅(qū)動器輸入端串接電阻來減小沖擊。(4)導(dǎo)通角較小時LED會出現(xiàn)閃爍。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角較小時，由...

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應(yīng)降級使用?？煽毓?..

單相整流電路圖1a為單相半波可控整流電路。圖中ug為晶閘管的觸發(fā)脈沖，其工作過程如下：當(dāng)u2負半周時，晶閘管不導(dǎo)通。在u2正半周時，不加觸發(fā)脈沖之前，晶閘管也不導(dǎo)通，只有加觸發(fā)脈沖之后，晶閘管才導(dǎo)通，這時負載Rd上流過電流。在電流為零時刻，晶閘管自動關(guān)斷，為下...

led驅(qū)動電路是一種用于可控硅調(diào)光器的電路，分為兩類AC/ DC轉(zhuǎn)換和DC/ DC轉(zhuǎn)換兩類，又根據(jù)驅(qū)動原理的不同，可以分為線性驅(qū)動電路和開關(guān)驅(qū)動電路。LED在具體的使用時，要注意驅(qū)動電路的選用。LED 驅(qū)動電路除了要滿足安全要求外，另外的基本功能應(yīng)有兩個方面：...

在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙...

但是，在實際并聯(lián)運用時"，由于各二極管特性不完全一致，不能均分所通過的電流，會使有的管子因為負擔(dān)過重而燒毀。因此需在每只二極管上串聯(lián)一只阻值相同的小電阻器，使各并聯(lián)二極管流過的電流接近一致。這種均流電阻R一般選用零點幾歐至幾十歐的電阻器。電流越大，R應(yīng)選得越小...

反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和比較高反向電壓作用***過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶谩Ｖ档米⒁獾氖欠聪螂娏髋c溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為25...

**型號如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅；Philips公司的產(chǎn)品型號前綴為“BTA”字頭的，通常是指三象限的雙向可控硅...

Windows怎樣知道安裝的是什么設(shè)備，以及要拷貝哪些文件。答案在于.inf文件。.inf是從Windows 95時***始引入的一種描述設(shè)備安裝信息的文件，它用特定語法的文字來說明要安裝的設(shè)備類型、生產(chǎn)廠商、型號、要拷貝的文件、拷貝到的目標路徑，以及要添加到...

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設(shè)備，如果超過此功率，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應(yīng)降級使用?？煽毓?..

通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高， 則 IH 越小。 [1...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪健⑵桨迨胶推降资饺N，螺旋...

IGBT驅(qū)動：IGBT常被用于中大功率數(shù)字電源開發(fā)，其驅(qū)動電壓范圍為-15~15V。IGBT驅(qū)動電路分為正壓驅(qū)動和負壓驅(qū)動，負壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險，加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗。IGBT的驅(qū)動電路一般采用**的驅(qū)動芯片，如東芝的TLP系列、富士公司的EXB系...

這個直流方波電壓經(jīng)過 Lf和 Cf組成的輸出濾波器后成為一個平直的直流電壓，其電壓值為VO =D*Vin/K，其中 D 是占空比，D=2Ton/Ts，Ton 是導(dǎo)通時間，Ts 是開關(guān)周期。通過調(diào)節(jié)占空比D來調(diào)節(jié)輸出電壓 VO。 這種基本的全橋 PWM 開關(guān)變換...

高亮度單色發(fā)光二極管高亮度單色發(fā)光二極管和超高亮度單色發(fā)光二極管使用的半導(dǎo)體材料與普通單色發(fā)光二極管不同，所以發(fā)光的強度也不同。通常，高亮度單色發(fā)光二極管使用砷鋁化鎵（GaAlAs）等材料，超高亮度單色發(fā)光二極管使用磷銦砷化鎵（GaAsInP）等材料，而普通單...