導通IGBT硅片的結構與功率MOSFET 的結構十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個N+ 緩沖層（NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分），其中一個MOSFET驅(qū)動兩個雙極器件。基片的應用在管體的P+和N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個J1結。當正柵偏...

這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的最大值，此時可控硅(晶閘管)...

整流橋一般帶有足夠大的電感性負載， 因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。 [1]一般整流橋應用時, 常在其負載端接有平波電抗器, 故可將其負載視為恒流源。 [2]多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波相互抵消。按整流變壓器的類型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和...

對稱式多脈沖整流就是整流橋輸出的電壓是相等的，各整流橋之間是并列關系，它們相互之間互不干擾；不對稱式結構是整流橋在工作時整流橋相互之間是主從關系，主整流橋傳輸大部分功率，輔整流橋傳輸部分功率，主整流橋和輔整流橋之間會相互影響。但對稱式結構增加了平衡電抗器。 [...

在使用IGBT的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程...

移相全橋 PWM DC/DC 變換器基本的全橋電路結構基本的 DC/DC 全橋變換器由全橋逆變器和輸出整流濾波電路構成，右圖 顯示了PWM DC/DC 全橋變換器的電路基本拓撲結構及主要波形。Vin是直流輸入電壓，Q1&D1～Q4&D4構成變換器的兩個橋臂，高...

脈沖數(shù)越多，整流器的輸入電流及輸出電壓特性越好，但是整流器的系統(tǒng)越復雜。按整流變壓器的類型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和自耦式多脈沖變壓整流器。傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器采用隔離變壓器實現(xiàn)輸入電壓和輸出電壓的隔離，但整流變壓器的等效容量大，體積龐大。自耦變壓整流...

正向阻斷當柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子施加一個正電壓時，P/NJ3結受反向電壓控制。此時，仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓。 [2]閂鎖IGBT在集電極與發(fā)射極之間有一個寄生PNPN晶閘管。在特殊條件下，這種寄生器件會導通。這種現(xiàn)象會使集電極與發(fā)...

在使用IGBT的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程...

冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認為Cin=4.5Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [...

PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉(zhuǎn)為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區(qū)。(5)應在額定參數(shù)范圍...

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為 PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件...

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為 PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件...

三相全波整流橋不需要輸入電源的零線（中性線）。整流橋堆一般用在全波整流電路中。全橋是由6只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構成的，右圖為其外形。全橋的正向電流有5A、10A、20A、35A、50A等多種規(guī)格，耐壓值（比較高反向電壓）有50V、...

4、故障解除：當整流器故障時，發(fā)出燈光報警信號并停機，操作人員應在排除故障以后可 合閘，否則將擴大故障范圍，造成更大損失，故障排除后，可將 K 主令開關置一下，除去電 笛聲，排除故障后，然后按正常運行程序開機。5、起動后，直流輸出電壓或電流達不到額定值則丟脈沖...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示...

而對于5次和7次諧波電流，以及更高次16(2n+1)±1，n=0，1，2，…的諧波電流來說，兩組6脈波TCR在變壓器的一次側(cè)產(chǎn)生的諧波電流幅值相等，但相位剛好相反，二者相互抵消。所以在一次側(cè)的線電流里將*含12n±1(13為整數(shù))次諧波，也使得對諧波濾波器的要...

另外，由于整流元件的特性，可以在整流電爐的閥側(cè)直接控制硅整流元件導通的相位角度，可以平滑的調(diào)整整流電壓的平均值，這種調(diào)壓方式稱為相控調(diào)壓。實現(xiàn)相控調(diào)壓，一是采用晶閥管，二是采用自飽和電抗器，自飽和電抗器基本上是由一個鐵芯和兩個繞組組成的，一個是工作繞組，它串聯(lián)...

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。...

晶閘管控制電抗器也稱晶閘管相控變壓器（TCR）。TCR是SVC中**重要的組成部件之一，IEEE將晶閘管相控電抗器(TCR)定義為一種并聯(lián)型晶閘管控制電抗器，通過控制晶閘管的導通時間，它的有效電抗可以連續(xù)變化。基本的單相TCR由反并聯(lián)的一對晶閘管閥T1、T2與...

三組電壓矢量長度不同，其中電網(wǎng)輸出電壓矢量**長，為主矢量，由于輔矢量短，每個主矢量與相位差較大的輔矢量構成線電壓整流后輸出。如右圖3所示，輸出的線電壓共三組18個。為了保證輸出電壓平滑，輸出的各線電壓矢量長度相等，且相鄰矢量間隔為20°。在一個交流周期內(nèi)，每...

晶閘管特性單向晶閘管的結構與符號為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板（圖3）。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極，控制極G通過按鈕開關SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用...

4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓。5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻...

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領域中已經(jīng)得到廣泛的應用，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關重要。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT ...

一、電化學工業(yè)這是應用整流變**多的行業(yè)，電解有色金屬化合物以制取鋁、鎂、銅及其它金屬；電解食鹽以制取氯堿；電解水以制取氫和氧。二、牽引用直流電源用于礦山或城市電力機車的直流電網(wǎng)。由于閥側(cè)接架空線，短路故障較多，直流負載變化輻度大，電機車經(jīng)常起動，造成不同程度...

PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉(zhuǎn)為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區(qū)。(5)應在額定參數(shù)范圍...

當控制極G接收到觸發(fā)信號時，晶閘管會從截止狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷顟B(tài)。值得注意的是，一旦晶閘管導通，即使控制極信號消失，只要陽極和陰極間維持著正向電壓，它將繼續(xù)保持導通狀態(tài)，直到陽極電流降至維持電流以下或陽極出現(xiàn)反向偏置時，才會重新回到截止狀態(tài)。這種獨特的開關特性使得...

右圖給出自耦式12脈沖變壓整流器，變壓器用于產(chǎn)生滿足整流器要求的兩組三相電壓，兩組三相電壓（Va''，Vb''，Vc''）與(Va'，Vb'，Vc')分別超前與滯后于輸入三相電壓15°，兩組三相電壓輸出分別連接到整流橋1和整流橋2，整流橋輸出通過平衡電抗器并聯(lián)...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后，...

這個直流方波電壓經(jīng)過 Lf和 Cf組成的輸出濾波器后成為一個平直的直流電壓，其電壓值為VO =D*Vin/K，其中 D 是占空比，D=2Ton/Ts，Ton 是導通時間，Ts 是開關周期。通過調(diào)節(jié)占空比D來調(diào)節(jié)輸出電壓 VO。 這種基本的全橋 PWM 開關變換...