可控硅質量好壞的判別可以從四個方面進行。***是三個PN結應完好；第二是當陰極和陽極間電壓反向連接時能夠阻斷，不導通；第三是當控制極開路時，陽極和陰極間的電壓正向連接時也不導通；第四是給控制極加上正向電流，給陰極和陽極加正向電壓時，可控硅應當導通，把控制極電流...

(2) 在風機吊裝完后，吊裝變壓器直接就位于基礎上，利用千斤頂進行找平、找正。(3) 按廠家規定的固定方式（螺接或焊接）進行變壓器與基礎之間的連接。(4) 若為分體到貨，在變壓器安裝找正后，進行外殼的安裝。(5) 懸掛標志牌，清掃變壓器箱體內部。(6) 在下一...

將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極(D)，紅表筆接IGBT 的源極(S)，此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極(G)和漏極(D)，這時IGBT 被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指...

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。 同時， 可控硅承受斷態重復峰值電壓VD R M 和反向重復峰值電...

2、轉移驅動器的功率損耗電容電感都是無功元件，如果沒有柵極電阻，驅動功率就將絕大部分消耗在驅動器內部的輸出管上，使其溫度上升很多。3、調節功率開關器件的通斷速度柵極電阻小，開關器件通斷快，開關損耗小；反之則慢，同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和...

三組電壓矢量長度不同，其中電網輸出電壓矢量**長，為主矢量，由于輔矢量短，每個主矢量與相位差較大的輔矢量構成線電壓整流后輸出。如右圖3所示，輸出的線電壓共三組18個。為了保證輸出電壓平滑，輸出的各線電壓矢量長度相等，且相鄰矢量間隔為20°。在一個交流周期內，每...

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領域中已經得到廣泛的應用，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅動器的作用對整個換流系統來說同樣至關重要。驅動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統的可靠性。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT ...

交通領域：電力機車和電動汽車的牽引控制系統中也大量使用了晶閘管模塊，以實現高效的電能轉換和動力控制。冶金行業：晶閘管模塊作為電力調整器的主要組成部分，能夠精確控制電能，提高冶煉過程的自動化水平和能源利用效率。石油化工行業：晶閘管模塊被用于加熱爐、裂解爐等電熱設...

電樞反向接線動作速度快，但需多用一組大容量的晶閘管整流器;磁場反向接線由于磁慣性動作速度緩慢，但可省用一組大容量晶閘管整流器，增加的只不過是一組小容量的晶閘管整流器。盡管電樞反向接線動作迅速，但對于提升機來說是不必要的，動作過快反而對電動機的換向造成困難及對機...

IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ，...

2、轉移驅動器的功率損耗電容電感都是無功元件，如果沒有柵極電阻，驅動功率就將絕大部分消耗在驅動器內部的輸出管上，使其溫度上升很多。3、調節功率開關器件的通斷速度柵極電阻小，開關器件通斷快，開關損耗小；反之則慢，同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和...

要使晶閘管從導通狀態轉變回阻斷狀態，需要使陽極電流減小到維持電流以下，或者使陽極電壓變為反向。二、類型與特點類型：單向可控硅：具有單向導電性，常用于直流或單向交流電路的控制。雙向可控硅（TRIAC）：相當于兩個單向可控硅反向連接，具有雙向導通功能，適用于交流電...

當控制極G接收到觸發信號時，晶閘管會從截止狀態轉變為導通狀態。值得注意的是，一旦晶閘管導通，即使控制極信號消失，只要陽極和陰極間維持著正向電壓，它將繼續保持導通狀態，直到陽極電流降至維持電流以下或陽極出現反向偏置時，才會重新回到截止狀態。二、應用領域晶閘管模塊...

這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關于連續峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續峰值開路電壓VDRM的最大值，此時可控硅(晶閘管)...

外加電壓使P區相對N區為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側附近產生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）,稱為正向導通狀態。若加相反的電壓,使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過很小的反向電流（稱反向漏電流），稱為反向阻斷狀態。整流二極管具有明...

大電流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅動電路除上面介紹的由分立元件構成之外，已制造出集成化的IGBT**驅動電路。其性能更好，整機的可靠性更高及體積更小。選擇IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT...

橋式整流模塊是一種將交流電轉換為直流電的電力電子器件，采用進口方形芯片、高級芯片支撐板，經特殊燒結工藝，保證焊接層無空洞，使用更可靠。采用DCB板及其它高級導熱絕緣材料，導熱性能好，導熱基板不帶電（MDY2000型模塊除外），保證使用安全。熱循環負載次數超過國...

(3) 在跨越檔相鄰兩側桿塔上的放線滑車均應采取接地保護措施。在跨越施工前，所有接地裝置必須安裝完畢且與鐵塔可靠連接。(4) 跨越不停電線路架線施工應在良好天氣下進行，遇雷電、雨、雪、霜、霧，相對濕度大于85%或5級以上大風時，應停止作業。如施工中遇到上述情況...

晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數字移相觸發集成電路。（1）本產品均采用全數字移相觸發集成電路，實現了控制電路和晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強電的電力調控作用。（2）采用進口方形芯片，模塊壓降小、功耗低，效率高；采用進口貼片元件...

跨越施工前應由技術負責人按線路施工圖中交叉跨越點斷面圖，對跨越點交叉角度、被跨越不停電電力線路架空地線在交叉點的對地高度、下導線在交叉點的對地高度、導線邊線間寬度、地形情況進行復測。根據復測結果，選擇跨越施工方案。(1) 跨越不停電電力線，在架線施工前，施工單...

2010年，中國科學院微電子研究所成功研制國內***可產業化IGBT芯片，由中國科學院微電子研究所設計研發的15-43A /1200V IGBT系列產品（采用Planar NPT器件結構）在華潤微電子工藝平臺上流片成功，各項參數均達到設計要求，部分性能優于國外...

IGBT的開關速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。IGBT在關斷時不需要負柵壓來減少關斷時間，但關斷時間隨柵極和發射極并聯電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當。IGBT導通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨...

不控整流電路是由無控制功能的整流二極管組成的整流電路。當輸入交流電壓一定時，在負載上得到的直流電壓是不能調節的電路。它利用整流二極管的單向導電性能把外加交流電壓變為直流電壓。對于理想情況，即整流二極管既無慣性又無損耗，因為二極管的開通和關斷只需幾微秒，對于50...

跨越施工前應由技術負責人按線路施工圖中交叉跨越點斷面圖，對跨越點交叉角度、被跨越不停電電力線路架空地線在交叉點的對地高度、下導線在交叉點的對地高度、導線邊線間寬度、地形情況進行復測。根據復測結果，選擇跨越施工方案。(1) 跨越不停電電力線，在架線施工前，施工單...

觸發電流（I_gt）和觸發電壓（V_gt）：用于觸發晶閘管導通的電流和電壓。關斷時間（t_q）：晶閘管從完全導通狀態到完全關斷狀態所需的時間。導通壓降（V_f）：晶閘管在導通狀態下兩端的電壓降。浪涌電流能力（I_tsm）：晶閘管能夠承受的短時過載電流。動態dv...

右圖給出自耦式12脈沖變壓整流器，變壓器用于產生滿足整流器要求的兩組三相電壓，兩組三相電壓（Va''，Vb''，Vc''）與(Va'，Vb'，Vc')分別超前與滯后于輸入三相電壓15°，兩組三相電壓輸出分別連接到整流橋1和整流橋2，整流橋輸出通過平衡電抗器并聯...

確定IGBT 的門極電荷對于設計一個驅動器來說，**重要的參數是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數據手冊中能夠找到這個參數，那么我們就可以運用公式計算出：門極驅動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...

其特點是：超前橋臂實現零電壓開通，原理不變；滯后橋臂實現零電流關斷，開關管兩端不再并聯電容，以避免開通時電容釋放的能量加大開通損耗。在此對移相全橋 ZVZCS PWM 變換器的基本原理做一簡要介紹。 [5]圖4 工作波形基本移相全橋 ZVZCS 電路及主要工作...

保護裝置整流變壓器微機保護裝置是由高集成度、總線不出芯片單片機、高精度電流電壓互感器、高絕緣強度出口中間繼電器、高可靠開關電源模塊等部件組成。是用于測量、控制、保護、通訊為一體化的一種經濟型保護。整流變壓器微機保護裝置的優點1、可以滿足庫存配制有二十幾種保護，...

額定速態平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志，如表1-6所示。通態平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示...