0.66eV 帶隙使鍺二極管導(dǎo)通電壓低至 0.2V，結(jié)電容可小至 0.5pF，曾是高頻通信的要點(diǎn)。2AP9 檢波管在 AM 收音機(jī)中解調(diào) 535-1605kHz 信號時(shí)，失真度＜3%，其點(diǎn)接觸型結(jié)構(gòu)通過金絲壓接形成 0.01mm2 的 PN 結(jié)，適合處理微安級...

MOSFET在工業(yè)機(jī)器人的自適應(yīng)控制系統(tǒng)中有著重要應(yīng)用。自適應(yīng)控制系統(tǒng)能夠根據(jù)工作環(huán)境和任務(wù)要求，自動調(diào)整機(jī)器人的控制參數(shù)和運(yùn)動策略，提高機(jī)器人的適應(yīng)性和工作效率。MOSFET作為自適應(yīng)控制系統(tǒng)的驅(qū)動元件，能夠精確控制機(jī)器人的關(guān)節(jié)運(yùn)動和末端執(zhí)行器的動作，確保機(jī)...

快恢復(fù)二極管（FRD）通過控制少子壽命實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)功能，在于縮短 “反向恢復(fù)時(shí)間”。傳統(tǒng)整流二極管在反向偏置時(shí)，PN 結(jié)內(nèi)存儲的少子（P 區(qū)電子）需通過復(fù)合或漂移逐漸消失，導(dǎo)致恢復(fù)過程緩慢（微秒級）。快恢復(fù)二極管通過摻雜雜質(zhì)（如金、鉑）或電子輻照，引入復(fù)合中心...

在 5G 基站的前傳和回傳鏈路中，TVS 瞬變抑制二極管為光模塊和射頻拉遠(yuǎn)單元（RRU）提供了可靠的過電壓保護(hù)。5G 網(wǎng)絡(luò)的高頻段特性使得信號鏈路對瞬態(tài)干擾更加敏感，TVS 二極管通過在光模塊的電源接口和射頻輸入 / 輸出端口設(shè)置保護(hù)，能有效抑制感應(yīng)雷浪涌和操...

1990 年代，寬禁帶材料掀起改變：碳化硅（SiC）二極管憑借 3.26eV 帶隙和 2.5×10? V/cm 擊穿場強(qiáng)，在電動汽車 OBC 充電機(jī)中實(shí)現(xiàn) 1200V 高壓整流，正向壓降 1.5V（硅基為 1.1V 但需更大體積），效率提升 5% 的同時(shí)體積...

工業(yè)制造：高壓大電流的持續(xù)攻堅(jiān) 6kV/50A 高壓硅堆由 30 個(gè)以上硅二極管串聯(lián)而成，采用陶瓷封裝與玻璃鈍化工藝，耐受 100kA 瞬時(shí)浪涌電流，用于工業(yè) X 射線機(jī)時(shí)可提供穩(wěn)定的高壓直流電源。快恢復(fù)外延二極管（FRED）如 MUR1560（15A/600...

在醫(yī)療電子的康復(fù)設(shè)備中，MOSFET用于控制電刺激信號的輸出。康復(fù)設(shè)備通過電刺激來促進(jìn)肌肉收縮、神經(jīng)再生等，幫助患者恢復(fù)身體功能。MOSFET能夠精確控制電刺激信號的強(qiáng)度、頻率和波形，根據(jù)患者的康復(fù)情況調(diào)整參數(shù)。在康復(fù)過程中，MOSFET的高可靠性和穩(wěn)定性確保...

在智能家居的智能家電故障預(yù)警系統(tǒng)領(lǐng)域，穩(wěn)壓二極管為各種故障預(yù)警設(shè)備和傳感器提供穩(wěn)定的電壓。智能家電故障預(yù)警系統(tǒng)需要實(shí)時(shí)監(jiān)測家電的運(yùn)行狀態(tài)，提前預(yù)警設(shè)備故障，對電源的穩(wěn)定性和可靠性要求極高。電壓波動可能導(dǎo)致預(yù)警數(shù)據(jù)不準(zhǔn)確、預(yù)警不及時(shí)等問題，影響家電的正常使用和維...

在消費(fèi)電子領(lǐng)域，TVS 瞬變抑制二極管的應(yīng)用隨處可見。智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等設(shè)備的充電接口、USB 接口、HDMI 接口等部位，均面臨著靜電放電和瞬態(tài)過電壓的風(fēng)險(xiǎn)。TVS 二極管通過集成在接口電路中，能有效保護(hù)主控芯片、充電管理芯片等關(guān)鍵器件。例如，...

工業(yè)PLC系統(tǒng)的TVS保護(hù)需要覆蓋各類I/O模塊。數(shù)字量輸入模塊通常每個(gè)通道都配置TVS，防止現(xiàn)場設(shè)備引入的瞬態(tài)干擾。模擬量輸入通道則要擇低漏電流TVS，以避免影響測量精度。高速計(jì)數(shù)器模塊需要ns級響應(yīng)速度的TVS來保護(hù)精密的定時(shí)信號。通信端口(如RS-485...

MOSFET在工業(yè)機(jī)器人的人機(jī)交互系統(tǒng)中有著重要應(yīng)用。人機(jī)交互系統(tǒng)使操作人員能夠與機(jī)器人進(jìn)行實(shí)時(shí)溝通和協(xié)作，提高生產(chǎn)效率和安全性。MOSFET用于人機(jī)交互設(shè)備的信號處理和顯示控制電路，確保人機(jī)交互信號的準(zhǔn)確傳輸和顯示。在觸摸屏、語音識別等人機(jī)交互設(shè)備中，MOS...

肖特基二極管的熱阻對其散熱性能有重要影響。熱阻是指熱量在器件內(nèi)部傳導(dǎo)時(shí)遇到的阻力，它決定了器件在工作過程中產(chǎn)生的熱量能否及時(shí)散發(fā)出去。肖特基二極管工作時(shí)會產(chǎn)生熱量，若熱阻過大，熱量會在器件內(nèi)部積聚，導(dǎo)致器件溫度升高。溫度升高不會影響器件的電學(xué)性能，如增大漏電流...

在醫(yī)療電子的康復(fù)訓(xùn)練輔助設(shè)備中，MOSFET用于控制訓(xùn)練設(shè)備的運(yùn)動和反饋。康復(fù)訓(xùn)練輔助設(shè)備通過模擬人體的運(yùn)動和提供反饋，幫助患者進(jìn)行康復(fù)訓(xùn)練。MOSFET能夠精確控制訓(xùn)練設(shè)備的運(yùn)動軌跡、速度和力度，根據(jù)患者的康復(fù)情況調(diào)整訓(xùn)練參數(shù)。在康復(fù)訓(xùn)練過程中，MOSFET...

MOSFET在智能穿戴設(shè)備的運(yùn)動訓(xùn)練計(jì)劃制定功能中發(fā)揮著重要作用。智能穿戴設(shè)備能夠根據(jù)用戶的運(yùn)動目標(biāo)和身體狀況，制定個(gè)性化的運(yùn)動訓(xùn)練計(jì)劃。MOSFET用于運(yùn)動訓(xùn)練計(jì)劃算法的實(shí)現(xiàn)和數(shù)據(jù)處理電路，確保訓(xùn)練計(jì)劃的準(zhǔn)確性和科學(xué)性。其低功耗特性使智能穿戴設(shè)備能夠在長時(shí)間...

MOSFET在工業(yè)機(jī)器人的遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)中有著重要應(yīng)用。遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)使操作人員能夠通過網(wǎng)絡(luò)實(shí)時(shí)監(jiān)控工業(yè)機(jī)器人的運(yùn)行狀態(tài)和生產(chǎn)情況，及時(shí)發(fā)現(xiàn)并解決問題。MOSFET用于遠(yuǎn)程監(jiān)控設(shè)備的信號傳輸和數(shù)據(jù)處理電路，確保監(jiān)控信號的準(zhǔn)確傳輸和處理。在遠(yuǎn)程監(jiān)控過程中，MOSFE...

MOSFET在可再生能源領(lǐng)域正發(fā)揮著愈發(fā)關(guān)鍵的作用。在太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中，MOSFET是光伏逆變器的元件。光伏電池板產(chǎn)生的直流電，需要經(jīng)過逆變器轉(zhuǎn)換為交流電才能并入電網(wǎng)或供負(fù)載使用。MOSFET憑借其快速開關(guān)和高效轉(zhuǎn)換特性，實(shí)現(xiàn)直流到交流的高效轉(zhuǎn)換，減少能量...

按照響應(yīng)速度，肖特基二極管有快速響應(yīng)和普通響應(yīng)類型。快速響應(yīng)肖特基二極管具有極短的開關(guān)時(shí)間，能在極短的時(shí)間內(nèi)完成導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的轉(zhuǎn)換，適用于高頻電路、開關(guān)電源等對速度要求高的場合。在高頻通信設(shè)備中，它能快速處理高速變化的信號，保證信號的完整性和準(zhǔn)確性。普通響應(yīng)...

在工業(yè)自動化的智能生產(chǎn)資源調(diào)度系統(tǒng)領(lǐng)域，穩(wěn)壓二極管為各種調(diào)度設(shè)備和通信模塊提供穩(wěn)定的電壓。智能生產(chǎn)資源調(diào)度系統(tǒng)需要實(shí)現(xiàn)對生產(chǎn)資源的合理調(diào)度和優(yōu)化配置，對電源的穩(wěn)定性和可靠性要求極高。電壓波動可能導(dǎo)致調(diào)度指令執(zhí)行錯(cuò)誤、資源分配不合理等問題，影響生產(chǎn)效率和經(jīng)濟(jì)效益...

肖特基二極管的封裝形式對其散熱和電學(xué)性能有重要影響。常見的封裝形式有貼片式、直插式等。貼片式封裝體積小，適合高密度集成電路，但散熱能力相對較弱；直插式封裝便于散熱，但占用空間較大。封裝材料的熱導(dǎo)率也會影響散熱效果，高熱導(dǎo)率的封裝材料能更快地將器件產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)...

在電子對抗設(shè)備領(lǐng)域，穩(wěn)壓二極管為設(shè)備的電子系統(tǒng)和通信系統(tǒng)提供穩(wěn)定的電源。電子對抗設(shè)備需要在復(fù)雜的電磁環(huán)境中工作，對電源的穩(wěn)定性和抗干擾能力要求極高。電壓波動和電磁干擾可能導(dǎo)致設(shè)備性能下降、通信中斷等問題。穩(wěn)壓二極管能夠穩(wěn)定電源電壓，提高設(shè)備的抗干擾能力，確保電...

封裝技術(shù)對 MOSFET 的性能與可靠性至關(guān)重要。傳統(tǒng)封裝（如 TO-220）已難以滿足高頻、小型化需求，而系統(tǒng)級封裝（SiP）與晶圓級封裝（WLP）正成為主流。SiP 技術(shù)通過將多個(gè)芯片集成于單一封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了功能模塊的高密度集成。例如，智能手機(jī)電源管理芯...

1990 年代，寬禁帶材料掀起改變：碳化硅（SiC）二極管憑借 3.26eV 帶隙和 2.5×10? V/cm 擊穿場強(qiáng)，在電動汽車 OBC 充電機(jī)中實(shí)現(xiàn) 1200V 高壓整流，正向壓降 1.5V（硅基為 1.1V 但需更大體積），效率提升 5% 的同時(shí)體積...

MOSFET在智能電網(wǎng)的電力電子變換器中有著重要應(yīng)用。智能電網(wǎng)需要實(shí)現(xiàn)電能的高效傳輸、分配和利用，電力電子變換器在其中起著關(guān)鍵作用。MOSFET作為變換器中的開關(guān)元件，能夠?qū)崿F(xiàn)直流 - 交流、交流 - 直流等不同形式的電能轉(zhuǎn)換。其快速開關(guān)能力和低損耗特性，使電...

肖特基二極管的輻射效應(yīng)不容忽視。當(dāng)器件暴露在輻射環(huán)境中，如宇宙射線、核輻射等，輻射粒子會與半導(dǎo)體材料發(fā)生相互作用。這些相互作用會產(chǎn)生電子 - 空穴對，改變半導(dǎo)體中的載流子濃度和分布。同時(shí)，輻射還可能引起晶格損傷，導(dǎo)致半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能發(fā)生改變。對于在航天、核...

MOSFET在可再生能源領(lǐng)域正發(fā)揮著愈發(fā)關(guān)鍵的作用。在太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中，MOSFET是光伏逆變器的元件。光伏電池板產(chǎn)生的直流電，需要經(jīng)過逆變器轉(zhuǎn)換為交流電才能并入電網(wǎng)或供負(fù)載使用。MOSFET憑借其快速開關(guān)和高效轉(zhuǎn)換特性，實(shí)現(xiàn)直流到交流的高效轉(zhuǎn)換，減少能量...

肖特基二極管工作時(shí)，其內(nèi)部載流子運(yùn)動并非均勻恒定。在正向偏置下，多數(shù)載流子從金屬向半導(dǎo)體擴(kuò)散形成電流，但擴(kuò)散過程中會受到晶格散射影響。半導(dǎo)體晶格并非規(guī)則排列，存在一些原子熱振動產(chǎn)生的微小畸變，這些畸變區(qū)域會像“絆腳石”一樣阻礙載流子運(yùn)動，導(dǎo)致載流子速度出現(xiàn)波動...

除主流用途外，二極管在特殊場景中展現(xiàn)多元價(jià)值。恒流二極管（如 TL431）為 LED 燈帶提供 10mA±1% 恒定電流，在 2-30V 電壓波動下亮度均勻性＜3%。磁敏二極管（MSD）對磁場靈敏度達(dá) 10%/mT，用于無接觸式電流檢測，在新能源汽車電機(jī)中替代...

5G 通信網(wǎng)絡(luò)的大規(guī)模建設(shè)與普及，為二極管帶來了廣闊的應(yīng)用前景。5G 基站設(shè)備對高頻、高速、低功耗的二極管需求極為迫切。例如，氮化鎵（GaN）二極管憑借其的電子遷移率和高頻性能，在 5G 基站的射頻前端電路中，可實(shí)現(xiàn)高效的信號放大與切換，大幅提升基站的信號處理...

在智能家居的智能家電故障預(yù)警系統(tǒng)領(lǐng)域，穩(wěn)壓二極管為各種故障預(yù)警設(shè)備和傳感器提供穩(wěn)定的電壓。智能家電故障預(yù)警系統(tǒng)需要實(shí)時(shí)監(jiān)測家電的運(yùn)行狀態(tài)，提前預(yù)警設(shè)備故障，對電源的穩(wěn)定性和可靠性要求極高。電壓波動可能導(dǎo)致預(yù)警數(shù)據(jù)不準(zhǔn)確、預(yù)警不及時(shí)等問題，影響家電的正常使用和維...

占據(jù)全球 90% 市場份額的硅二極管，憑借 1.12eV 帶隙與成熟的平面鈍化工藝，成為通用。典型如 1N4007（1A/1000V）整流管，采用玻璃鈍化技術(shù)將漏電流控制在 0.1μA 以下，在全球超 10 億臺家電電源中承擔(dān)整流任務(wù)，其面接觸型結(jié)構(gòu)可承受 1...