磁控濺射制備非晶硅薄膜 本實驗采用石英玻璃為襯底，實驗前先將玻璃襯底浸泡在溶液中，放到JHN- 4F(200 W)超聲波清洗機清洗30 min;然后用分析乙醇同樣在超聲波清洗機中清洗30 min; 放入裝有去離子水的燒杯中在超聲波清洗器中清洗約30 min 后晾干。然后以高純硅為靶材在JGP500型超高真空磁控濺射設備上，分別采用直流和射頻方式制備了兩塊樣品。在濺射前，預濺射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 樣品采用直流磁控濺射方式， 濺射功率為100 W， 本底真空度6×10- 4 Pa ， 濺射時間20 min，濺射氣壓0.5 Pa，襯底溫度為室溫。2#樣品采用射頻磁控濺射方式，濺射功率150 W，本底真空度6×10- 4 Pa，濺射時間120 min，濺射氣壓2.0 Pa，襯底溫度為室溫。樣品1# 和2# 均切為3 小塊，其中各保留一小塊不做退火處理，其他的小塊樣品處理情況為1#750℃、1#850℃，2#750℃、2#850℃在馬弗爐中退火1h。將1# 和2#未處理樣品用拉曼激光誘導方法，研究非晶硅薄膜的晶化過程。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當發生靶中毒時，濺射電壓會***降低。蘇州錳酸鍶靶品牌
購買靶材的注意事項有哪些許多用戶在采購靶材時沒有從專業的角度去考慮，下面為大家指出購買靶材時需要注意的事項。
對于所有的金屬來說，純度是靶材的主要性能指標之一，靶材的純度對后期產品薄膜的性能影響很大。但是每一個產品對靶材的純度要求也有不相同的地方。
其次就是靶材的雜質含量。在經過一系列的靶材工藝處理后靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。因為用處不一樣，所以不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。比如現在的半導體工業用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。 上海釤靶哪家好所以如果是表面容易變質的靶材，如果不拋光去除表面變質部分，沉積到基材上的膜層性質就是表面變質的雜質。
高純金屬的概念： 任何金屬都不能達到純。“高純”和“超純”具有相對的含義，是指技術上達到的標準。由于技術的發展，也常使“超純”的標準升級。例如過去高純金屬的雜質為 ppm級（即百萬分之幾）,而超純半導體材料的雜質達ppb級（十億分之幾）,并將逐步發展到以ppt級（一萬億分之幾）表示。實際上純度以幾個“9”(N)來表示（如雜質總含量為百萬分之一，即稱為6個“9”或6N），是不完整概念，如電子器件用的超純硅以金屬雜質計算，其純度相當于9 個“9”。 但如計入碳，則可能不到6個“9”。“超純”的相對名詞是指“雜質”，廣義的雜質是指化學雜質（元素）及“物理雜質”，后者是指位錯及空位等，而化學雜質是指基體以外的原子以代位或填隙等形式摻入。但只當金屬純度達到很高的標準時(如純度 9N 以上的金屬)，物理雜質的概念才是有意義的， 因此目前工業生產的金屬仍是以化學雜質的含量作為標準，即以金屬中雜質總含量為百萬分之幾表示。
6. 起輝濺射真空度與前次的差別？
---------更換不同的靶材，起輝壓強不盡相同。
換靶材后需要重新調功率匹配器的，只有功率匹配調好了才能正常起輝。 五．磁控濺射一定要求靶材表面要拋光嗎？磁控濺射過程中，等離子體的離子撞擊靶材，濺射出靶材的原子、原子團、離子、電子、光子等，原子、離子、原子團沉積到基材上形成薄膜。
濺射發生在靶材表面，靶材表面物理狀態不均勻也沒有關系，濺射的時候會先濺射凸起，濺射時間長了，靶材自己就平了。所以物理不均勻的狀態不需要拋光。 起輝電源是否正常------------檢查靶電源。
2、鈀 靶材 99.99%? 常規尺寸：φ50*1mm；φ60*3mm；φ76.2*4mm等，尺寸可定做 3、電鏡鈀片常規尺寸：φ57*0.1mm；φ57*0.2mm；φ58*0.1mm；φ58*0.2mm 4、鈀 箔片 99.99% 常規尺寸：100*100*0.2mm等，尺寸可定做 二、其他服務： 打穿的鈀靶材、鈀殘料可提供回收再加工服務。 回收流程如下： 稱重----清洗、提純---熔煉加工---靶材等成品 供應高純靶,鈀靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶材 產品編碼 產品名稱 規格 應用 Au-G5034 金 顆粒 99.999% φ3*4mm 熱蒸發、電子束鍍膜 Pt-G4028 鉑 顆粒 99.99% φ2*8mm 熱蒸發、電子束鍍膜 Ag-G4025 銀 顆粒 99.99% φ2*5mm 熱蒸發、電子束鍍膜 Pd-G3536 鈀 顆粒 99.95% φ3*6mm 熱蒸發、電子束鍍膜 Al-G5033 鋁 顆粒 99.999% φ3*3mm 熱蒸發、電子束鍍膜 Cr-G3501 鉻 顆粒 99.95% 1-3mm 熱蒸發、電子束鍍膜 Ti-G4533 鈦 顆粒 99.995% φ3*3mm 熱蒸發、電子束鍍膜 Ni-G4533 鎳 顆粒 99.995% φ3*3mm 熱蒸發、電子束鍍膜 S-G5002 硫 顆粒 99.999% 1-6mm 熱蒸發、濺射出靶材的原子、原子團、離子、電子、光子等，原子、離子、原子團沉積到基材上形成薄膜。蘇州錳酸鍶靶品牌
除嚴格控制材料純度、致密度、晶粒度以及結晶取向之外，對熱處理條件、后續加工方法等亦需加以嚴格控制。蘇州錳酸鍶靶品牌
利用原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM)，對所制備的非晶硅薄膜進行了定性和定量的表征，研究了濺射功率、襯底溫度、濺射時間、氬氣氣壓等因素對非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影響。實驗結果表明：非晶硅薄膜的表面粗糙度會隨濺射功率、濺射時間和濺射氣壓的增加而增大，而隨著襯底加熱溫度的增加而減小。 對制備的非晶硅薄膜在不同溫度和時間進行了退火處理。再利用X- 射線衍射儀(XRD)和拉曼光譜儀，對不同退火溫度的樣品進行晶化程度的表征。實驗結果表明：不同條件制備的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已發生不同程度的晶化，并且直流磁控濺射制備的非晶硅薄膜比射頻磁控濺射制備的非晶硅薄膜更容易發生晶化;退火溫度越高，非晶硅薄膜晶化速率越快。 此外，通過拉曼激光誘導晶化，結果表明：拉曼激光誘導非晶硅晶化為局域晶化，具有晶化速度快的特點;晶化過程中，需要控制激光強度，過強的激光會把非晶硅薄膜燒蝕掉。蘇州錳酸鍶靶品牌
江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業生產濺射靶材和蒸發材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術，并通過與國內外**研發機構合作，整合各行業資源優勢，生產出多系列***濺射靶材產品。 公司目前主要生產金屬，合金，陶瓷三大類靶材產品。經過幾年的發展和技術積累，已經擁有：真空熱壓，冷壓燒結，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術。另外也可根據客戶要求研發新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業領域。同時也為國內外各大院校和研究所提供了很多常規和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好。”的發展理念。