靶中毒現象
(1)正離子堆積：靶中毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進行下去。（2）陽極消失：靶中毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達陽極的電子無法進入陽極，形成陽極消失現象。
4、靶中毒的物理解釋
（1）一般情況下，金屬化合物的二次電子發射系數比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數量增加，提高了空間的導通能力，降低了等離子體阻抗，導致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當發生靶中毒時，濺射電壓會***降低。 果用冷卻壁的翹曲程度嚴重或背板翹曲嚴重會造成靶材安裝時發生開裂或彎曲。揚州氮化硅靶功能
濺射靶材的分類有哪些？
金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材 ，氮化物陶瓷濺射靶材 ，氧化物陶瓷靶材，硒化物
陶瓷濺射靶材 ，硅化物陶瓷濺射靶材 ，硫化物陶瓷濺射靶材 ，碲化物陶瓷濺射靶材 ，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，砷化鉛靶材(PbAs)，砷化銦靶材(InAs)。
1. 金屬靶材：
鎳靶、Ni、鈦靶、T濺射靶材i、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、濺射靶材不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。 氧化銦靶品牌靶中毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進入陰極靶面。
磁控濺射不起輝的常見原因有哪些，怎么應對？磁控濺射金屬靶時，無法起輝的原因有很多，常見主要原因有：
1. 靶材安裝準確否?
2. 靶材表面是否干凈------------金屬靶表面氧化或有不清潔物質，打磨清理干凈后即可。
3. 起輝電源是否正常------------檢查靶電源。
4. 靶與地線之間短路
----------關掉機器，把設備的濺射靶卸下來，靶附近的零件仔細清洗一下；
----------壓靶蓋旋的過緊，沒有和靶材之間留下適當的距離，調整距離即可。
5. 永磁靶表面場強是否下降太多？
---------如果下降太多，需要更換磁鋼。
直流磁控濺射制備鋅-銻熱電薄膜的技術探討 熱電材料是一種能夠實現熱能和電能直接相互轉換的綠色環保型功能材料。近年來研究發現，熱電薄膜化有助于熱電材料減低熱導率，從而能夠有效的提高材料的熱電轉換效率，因此具有十分重要的科學研究價值。Zn-Sb合金是采用的P 型熱電半導體材料之一，但由于其較低的熱電優值，所以沒有得到普遍的應用。 但近幾年研究發現，在263 K~767K 溫度區間穩定存在的β-Zn4Sb3 具有非常優異的熱電性能，材料少含稀土材料以及可適用于中溫，被國內外認為是具有前景的中溫熱電材料之一。因此，本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理條件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結構與熱電特性變化規律。 結果表明，選取適當的濺射Zn和Sb的功率條件，濺射完成合金薄膜后在Ar 氣氛下進行623 K 退火熱處理，可形成具有單一β-Zn4Sb3相結構的Zn-Sb 熱電薄膜，且薄膜顆粒大，較致密，所制備的熱電薄膜具有優良的熱電性能。濺射的時候會先濺射凸起，濺射時間長了，靶材自己就平了。
磁控靶材面積與承載功率范圍 1、靶材面積與承載功率范圍 (1) 圓形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~25瓦/cm2。 (2)矩形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~36瓦/cm2。 (3)柱狀磁控靶、錐形平面磁控靶功率密度范圍一般為40~50瓦/cm2。 2、磁控靶實際承載功率 磁控靶的實際的承載功率除了與濺射工藝、薄膜的質量要求等因數有關外，主要與靶的冷卻狀況和散熱條件密切相關。磁控靶按其冷卻散熱方式的不同，分為“靶材直接水冷卻”和“靶材間接水冷卻”兩種。 考慮到濺射靶長期使用老化后，其散熱條件變差;兼顧各種不同靶材材質的散熱系數的不同，磁控靶的使用時的承載功率，直接水冷卻靶實際的承載大功率可按略小于功率密度范圍的上限選取;間接水冷卻靶的實際承載大功率可按功率密度范圍上限值的二分之一左右選取。 磁控靶材(主要是Cu，Ag，黃銅(Brass)和Al青銅(Al bronze) “自濺射”時，一般是選用經過專門設計“靶材直接水冷卻”的磁控濺射靶。其使用時的承載功率，均需大于靶功率密度范圍的上限值(即>100W/cm2以上)。靶材密度越高，薄膜的性能越好。無錫氮化鋯靶價錢
影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過量就會導致靶中毒。揚州氮化硅靶功能
高純金屬的概念： 任何金屬都不能達到純。“高純”和“超純”具有相對的含義，是指技術上達到的標準。由于技術的發展，也常使“超純”的標準升級。例如過去高純金屬的雜質為 ppm級（即百萬分之幾）,而超純半導體材料的雜質達ppb級（十億分之幾）,并將逐步發展到以ppt級（一萬億分之幾）表示。實際上純度以幾個“9”(N)來表示（如雜質總含量為百萬分之一，即稱為6個“9”或6N），是不完整概念，如電子器件用的超純硅以金屬雜質計算，其純度相當于9 個“9”。 但如計入碳，則可能不到6個“9”。“超純”的相對名詞是指“雜質”，廣義的雜質是指化學雜質（元素）及“物理雜質”，后者是指位錯及空位等，而化學雜質是指基體以外的原子以代位或填隙等形式摻入。但只當金屬純度達到很高的標準時(如純度 9N 以上的金屬)，物理雜質的概念才是有意義的， 因此目前工業生產的金屬仍是以化學雜質的含量作為標準，即以金屬中雜質總含量為百萬分之幾表示。揚州氮化硅靶功能
江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業生產濺射靶材和蒸發材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術，并通過與國內外**研發機構合作，整合各行業資源優勢，生產出多系列***濺射靶材產品。 公司目前主要生產金屬，合金，陶瓷三大類靶材產品。經過幾年的發展和技術積累，已經擁有：真空熱壓，冷壓燒結，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術。另外也可根據客戶要求研發新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業領域。同時也為國內外各大院校和研究所提供了很多常規和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好。”的發展理念。