濺射靶材的制備
濺射靶材的制備按工藝可分為熔融鑄造和粉末冶金兩大類，除嚴格控制材料純度、致密度、晶粒度以及結晶取向之外，對熱處理條件、后續加工方法等亦需加以嚴格控制。
一、粉末冶金法
粉末冶金法制備靶材時，其關鍵在于：(1)選擇高純、超細粉末作為原料；(2)選擇能實現快速致密化的成形燒結技術，以保證靶材的低孔隙率，并控制晶粒度；(3)制備過程嚴格控制雜質元素的引入。
二、熔融鑄造法
熔融鑄造法是制作濺射靶材的基本方法之一。為保證鑄錠中雜質元素含量盡可能低，通常其冶煉和澆注在真空或保護性氣氛下進行。但鑄造過程中，材料組織內部難免存在一定的孔隙率，這些孔隙會導致濺射過程中的微粒飛濺，從而影響濺射薄膜的質量。為此，需要后續熱加工和熱處理工藝降低其孔隙率。 純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。上海鎳銅靶費用
磁控濺射鍍膜中出現膜層不良的表現有哪些，如何改善？ 1.脫膜主要表現：點狀/片狀膜層脫落 原因分析：雜質附著，清洗殘留，真空室臟，臟污、油斑、灰點、口水點， 膜層局部附著不良等。 改善：加強清洗，加強烘烤，環境管控（清潔干燥），對于多層膜系，底層須與基材匹配（吸附力、硬度、熱膨脹）。 2.裂紋/暴膜主要表現： 網狀裂痕/龜裂/起泡脫膜，出爐外觀OK，放置一段時間后爆裂/起泡脫膜。 原因分析：鍍膜過程基材加熱不充分，成膜后及出爐后降溫過快，膜層應力累積， 膜層與基材不匹配，多層膜之間參數不匹配。 改善： 基材充分預熱加熱；增加離子輔助，減小應力；鍍膜緩慢降溫；底層須與基材匹配；多層膜之間參數不突變。 3，色差主要表現：同爐產品顏色不一致 原因分析及改善：靶材分布；布氣；磁場；遮擋。蘇州氧化鎂靶圖片在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，化合物生成率增加。
影響磁控靶濺射電壓的主要因素有：靶面磁場、靶材材質、氣體壓強、陰-陽極間距等。本文詳細分析這些因素距對靶濺射電壓的影響。 一、 靶面磁場對靶濺射電壓的影響 1. 磁控靶的陰極工作電壓，隨著靶面磁場的增加而降低，也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而降低。濺射電流也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而加大。這是因為靶的濺射刻蝕槽面會越來越接近靶材后面的磁鋼的強磁場。因此，靶材的厚度是有限制的。較厚的非磁性靶材能夠在較強的磁場中使用。 2. 鐵磁性靶材會對磁控靶的濺射造成影響，由于大部分磁力線從鐵磁性材料內部通過，使靶材表面磁場減少，需要很高電壓才能讓靶面點火起輝。除非磁場非常的強，否則磁性材靶材必須比非磁性材料要薄，才能起輝和正常運行(永磁結構的Ni靶的典型值<0.16cm，磁控靶非特殊設計最大值一般不宜超過3mm，Fe，co靶的最大值不超過2mm;電磁結構的靶可以濺射厚一些的靶材，甚至可達6mm厚)才能起輝和正常運行。正常工作時，磁控靶靶材表面的磁場強度為0.025T~0.05T左右;靶材濺射刻蝕即將穿孔時，其靶材表面的磁場強度大為提高，接近或大于0.1T左右。
規格說明： 產品規格 靶材可定制 產品數量 1000 包裝說明 雙層真空包裝 價格說明 1000 ◆ 產品說明： 高純靶,靶靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶材 鈀，是銀白色過渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積***脹大，變脆乃至破裂成碎片。 原 子 量：106.4 密 度（20℃）/g?cm-3：12.02 熔 點/℃：1552 蒸發溫度/℃：1460 沸 點/℃：3140 汽化溫度/℃：1317 比 電 阻 率（0℃）/uΩ?cm：10.6 熔 化 熱/kJ?mol-1：16.7 汽 化 熱/ kJ?mol-1：361.7 熱 導 率（0～100℃）/J?（cm?s?℃）-1：0.753 電阻溫度系 外 觀：銀白色 蒸 發 源（絲、片）：W（鍍Al2O3） 坩 堝：Al2O3 性 質：與難溶金屬形成合金，閃爍蒸發，在EB 內激烈飛濺，鈀是銀白色過渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。
PECVD制備氫化非晶硅薄膜本實驗采用單晶硅片為襯底，按石英玻璃基片的清洗步驟清洗后烘干，然后置于PECVD系統中。樣品制備條件為襯底溫度250℃，工作氣壓120Pa，射頻功率100W，氣體流量SiH4/H2=15/5sccm，沉積時間30min，制備得到a-Si：H薄膜樣品。(1)非晶硅薄膜的表面粗糙度會隨著濺射功率的增大而增大，膜的均勻性將會變差;(2)非晶硅薄膜的表面粗糙度隨著襯底加熱溫度的增大而減小，非晶硅薄膜均勻性變好;(3)在0.5Pa至2.0Pa范圍內，隨著氬氣氣壓的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微變大;(4)隨著濺射時間的增加,膜的厚度成非線性增加，沉積速率開始較快，之后逐漸減慢，膜的表面粗糙度逐漸變大;(5)隨著濺射氣壓的增大，沉積速率有所降低。由于活性反應氣體粒子與靶面原子相碰撞產生化學反應生成化合物原子。武漢 五元合金靶功能
磁控濺射不起輝的常見原因有哪些，怎么應對？上海鎳銅靶費用
磁控濺射制備非晶硅薄膜 本實驗采用石英玻璃為襯底，實驗前先將玻璃襯底浸泡在溶液中，放到JHN- 4F(200 W)超聲波清洗機清洗30 min;然后用分析乙醇同樣在超聲波清洗機中清洗30 min; 放入裝有去離子水的燒杯中在超聲波清洗器中清洗約30 min 后晾干。然后以高純硅為靶材在JGP500型超高真空磁控濺射設備上，分別采用直流和射頻方式制備了兩塊樣品。在濺射前，預濺射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 樣品采用直流磁控濺射方式， 濺射功率為100 W， 本底真空度6×10- 4 Pa ， 濺射時間20 min，濺射氣壓0.5 Pa，襯底溫度為室溫。2#樣品采用射頻磁控濺射方式，濺射功率150 W，本底真空度6×10- 4 Pa，濺射時間120 min，濺射氣壓2.0 Pa，襯底溫度為室溫。樣品1# 和2# 均切為3 小塊，其中各保留一小塊不做退火處理，其他的小塊樣品處理情況為1#750℃、1#850℃，2#750℃、2#850℃在馬弗爐中退火1h。將1# 和2#未處理樣品用拉曼激光誘導方法，研究非晶硅薄膜的晶化過程。上海鎳銅靶費用
江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業生產濺射靶材和蒸發材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術，并通過與國內外**研發機構合作，整合各行業資源優勢，生產出多系列***濺射靶材產品。 公司目前主要生產金屬，合金，陶瓷三大類靶材產品。經過幾年的發展和技術積累，已經擁有：真空熱壓，冷壓燒結，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術。另外也可根據客戶要求研發新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業領域。同時也為國內外各大院校和研究所提供了很多常規和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好。”的發展理念。