陶瓷靶材：ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、濺射靶材氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。LLZO靶材和LLZTO靶材，是一種新型陶瓷復合靶材。蘇州YBCO靶材定制
濺射靶材的分類有哪些？金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材，氮化物陶瓷濺射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材，硅化物陶瓷濺射靶材，硫化物陶瓷濺射靶材，碲化物陶瓷濺射靶材，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，砷化鉛靶材(PbAs)，砷化銦靶材(InAs)。1.金屬靶材：鎳靶、Ni、鈦靶、T濺射靶材i、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、濺射靶材不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。揚州鐵鎳靶材綁定純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。
什么是DLC薄膜？ 類金剛石薄膜通常又被人們稱為DLC薄膜，是英文詞匯Diamond Like Carbon的簡稱，它是一類性質近似于金剛石，具有高硬度，高電阻率。良好光學性能等，同時又具有自身獨特摩擦學特性的非晶碳薄膜。碳元素因碳原子和碳原子之間的不同結合方式，從而使其終產生不同的物質：金剛石（diamond）—碳碳以 sp3鍵的形式結合；石墨（graphite）—碳碳以sp2鍵的形式結合。 而類金剛石（DLC）—碳碳則是以sp3和sp2鍵的形式結合，生成的無定形碳的一種亞穩定形態，它沒有嚴格的定義，可以包括很寬性質范圍的非晶碳，因此兼具了金剛石和石墨的優良特性；所以由類金剛石而來的DLC膜同樣是一種亞穩態長程無序的非晶材料，碳原子間的鍵合方式是共價鍵，主要包含sp2和sp3兩種雜化鍵，而在含氫的DLC膜中還存在一定數量的C-H鍵。
非晶硅薄膜的制備方法 非晶硅薄膜的制備方法有很多，如低壓化學氣相沉積(LPCVD)，等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)，直流(射頻)磁控濺射等。生長多晶硅薄膜的方法有：化學氣相沉積包括低壓化學氣相沉積(LPCVD)、大氣壓強化學氣相沉積(APCVD)、等離子體化學氣相沉積(PCVD)以及液相生長、激光再晶化和固相晶化法(SPC)等。固相晶化法是指在(高溫)退火的條件下，使固態非晶硅薄膜的硅原子被、重組，從而轉化為多晶硅薄膜。它的特點是非晶固體發生晶化的溫度低于其熔融后結晶的溫度。常規高溫爐退火、快速熱退火、金屬誘導晶化、微波誘導晶化等都屬于固相晶化的范疇。本文采用PECVD 和磁控濺射方法在不同的條件下制備了a- Si: H 和a- Si 薄膜，并采取高溫退火和激光誘導晶化的方式，利用X- 射線衍射及拉曼光譜，對制備的非晶硅薄膜晶化過程進行了系統地研究。
一般靶材拋光后，濺射速率、電壓等工藝參數比較穩定，容易控制。
釬焊：一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/cm2，釬料常用In、Sn、In-Sn；導電膠：采用的導電膠要耐高溫，厚度在0.02-0.05um。二.綁定的適用范圍：建議綁定的靶材：ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結靶材；錫、銦等軟金屬靶；靶材太薄、靶材太貴的情況等。但下列情況綁定有弊端：1.熔點低的靶材，像銦、硒等，金屬化的時候可能會變軟變形；2.貴金屬靶材，一是實際重量易出現分歧，二是金屬化以及解綁的時候都會有浪費料，建議墊一片銅片。三.背靶的選擇對材質的要求：一般選用無氧銅和鉬靶，厚度在3mm左右；導電性好：常用無氧銅，無氧銅的導熱性比紫銅好；強度足夠：太薄，易變形，不易真空密封；結構要求：空心或者實心結構；厚度適中：3mm左右，太厚，消耗部分磁強；太薄，容易變形。靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學和光學性能。揚州鐵鎳靶材綁定
適用范圍和背靶的選擇三個方面來為大家介紹一下靶材綁定。蘇州YBCO靶材定制
中頻雙靶反應磁控濺射與直流反應磁控濺射相比具有以下幾個顯巨優點： (1)消除了靶面打弧放電現象，中頻反應磁控濺射鍍制的絕緣薄膜與直流反應磁控濺射鍍制的同種膜相比，膜面缺 陷要少幾個數量級; (2)可以得到比直流反應磁控濺射高出數倍的濺射沉積速率; (3)中頻雙靶反應磁控濺射的整個濺射沉積過程，可以始終穩定在所設定的工作點上，為大規模工業化穩定生產提供了條件。 選用非對稱雙極脈沖靶電源與選用“雙靶-中頻靶電源”不同，使用單個磁控靶進行反應磁控濺射，調節相應的鍍膜工藝參數，可以消除磁控靶面打弧放電現象和實現長時間穩定的薄膜沉積，可以達到上述“中頻-雙靶反應磁控濺射”的同樣效果。
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江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業生產濺射靶材和蒸發材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術，并通過與國內外**研發機構合作，整合各行業資源優勢，生產出多系列***濺射靶材產品。 公司目前主要生產金屬，合金，陶瓷三大類靶材產品。經過幾年的發展和技術積累，已經擁有：真空熱壓，冷壓燒結，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術。另外也可根據客戶要求研發新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業領域。同時也為國內外各大院校和研究所提供了很多常規和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好。”的發展理念。