在陶瓷基片上采用化學鍍鎳工藝。由于鎳的化學穩定性比銀好，電遷移率低，提高了陶瓷電容器的性能和可靠性。又如，以銀做電極的獨石低頻瓷介質電容器，由于銀電極和瓷料在900℃下一次燒結時瓷料欠燒不能獲得致密的陶瓷介質，存在較大的氣孔率；此外銀電極常用的助溶劑氧化鋇會滲透到瓷體內部，在高溫下依靠氧化鋇和銀之間良好的浸潤“互熔”能力，使電極及介質內部出現熱擴散現象，即宏觀上看到的“瓷吸銀”現象。銀伴隨著氧化鋇進入瓷體中后，大da減薄了介質的有效厚度，引起產品絕緣電阻的減少和可靠性的降低。為了提高獨石電容器的可靠性，改用銀-鈀電極代替通常含有氧化鋇的電極，并且在材料配方中添加了1%的5#玻璃粉。消除了在高溫下一次燒結時金屬電極向瓷介質層的熱擴散現象，能促使瓷料燒結致密化，使得產品的性能和可靠性有較大提高，與原工藝和介質材料相比較，電容器的可靠性提高了1~2個數量級。5.疊片陶瓷電容器的斷裂疊片陶瓷電容器常見的失效是斷裂，這是疊片陶瓷電容器自身介質的脆性決定的。由于疊片陶瓷電容器直接焊接在電路板上，直接承受來自電路板的各種機械應力，而引線式陶瓷電容器則可以通過引腳吸收來自電路板的機械應力。因此。蘇州現貨供應陶瓷電容器。四川高壓陶瓷電容器陶瓷電容器
電容器的溫度特性是以作為電介質材料的陶瓷種類為準。主要使用的陶瓷種類為類型1(低介電常數)以及類型2(高介電常數)。類型1的陶瓷是以二氧化鈦（TiO2）為基材的非強介電性陶瓷，其中多數含有添加物鈦酸鍶（SrTiO3）以及鈦酸鈣（CaTiO3）。類型1的陶瓷為中介電性（非強介電性），因此溫度穩定性十分質量。此外，DC偏壓下靜電容量不會發生變化，同時靜電容量也不會因老化發生變化。類型2的陶瓷為強介電性，通常以鈦酸鋇（BaTiO3）為基材。相比類型1的陶瓷，其擁有極高的介電常數。但介電常數會因溫度、偏置電壓、老化而發生大幅變動。陶瓷的晶格結構會隨溫度發生相變，因此介電常數會隨溫度發生大幅變化。此外，靜電容量也會因施加直流電壓（DC偏壓）或老化而降低。類型2，其高介電常數系列的電容器(B/X5R特性或E/Z5U、R/X7R、F/Y5V特性)，由于施加直流電壓，其靜電容量有時會不同于標稱值，因此應特別注意。例如，如下圖所示，對高介電常數系列電容器施加的直流電壓越大，其實際靜電容量越低。下圖是橫軸表示施加在電容器的直流電壓(V)，縱軸表示的是相對于初始值的靜電容量的變化情況。如圖所示，根據所施加的電壓，其靜電容量發生變化的特性稱為"DC(直流)偏壓特性"。四川陶瓷電容器售后保障哪家陶瓷電容器的的性價比好?
并不是只要單純地將鉭電解電容器換成片狀多層陶瓷電容器，工作就結束了的。根據用途的不同，有時還需要注意一些問題。圖1：替換成片狀多層陶瓷電容器可以yi制紋波電壓將DC-DC轉換器的輸出電容器由鉭電解電容器換成片狀多層陶瓷電容器時的輸出電壓波形。DC-DC轉換器的開關頻率為300MHz。鉭電解電容器的容量為100μF。使用3個22μF的片狀多層陶瓷電容器產品。替換前的紋波電壓為56mV，更換成片狀多層陶瓷電容器后降到了7mV。典型事例是用于上面提到的DC-DC轉換器等輸出平滑電路時。雖然片狀多層陶瓷電容器確實具備因ESR比較低而能降低輸出紋波電壓的優點，但ESR低的特性有時卻是把“雙刃劍”。原因是替換為片狀多層陶瓷電容器后，DC-DC轉換器反饋環路響應特性的相位會大幅偏移。zui壞的情況會出現180度偏移，導致DC-DC轉換器的輸出異常振蕩。這樣的話，DC-DC轉換器就無法發揮作用了。為此，將片狀多層陶瓷電容器用于輸出平滑電路時，需要調整相位補償電路的常數。如果相位補償電路集成在DC-DC轉換器IC的內部，需要測量被替換掉的鉭電解電容器的ESR，然后串聯插入ESR與鉭電解電容器相同的電阻器。這樣做就能yi制異常振蕩。詳情請參見圖2。圖2。
陶瓷電容器是以陶瓷為介電質的電容器。其結構是由二層或更多層交替出現的陶瓷層和金屬層所組成，金屬層連結到電容器的電極。陶瓷材料的成分決定了陶瓷電容器的電氣特性及其應用范圍，依穩定性可分為以下三類：Class 1 陶瓷電容器：有高穩定性和低損失，適用于諧振電路的應用。Class 2 陶瓷電容器：其容積效率高，但穩定性及準確度較差，適用于緩沖、解耦及旁路電路。Class 3 陶瓷電容器：其容積效率更高，但其穩定性及準確度更差。陶瓷電容器是電子設備中zui常使用的電容，每年的產量約為一兆顆。其中zui常用的是積層陶瓷電容器（MLCC），且有采用表面安裝技術的元件。
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個人收藏查詢我的個人收藏0有效+1已網絡投票0瓷片電容編寫鎖住探討本百度詞條由“科普中國”科學研究百度百科詞條撰寫與運用工作項目審批。瓷片電容(ceramiccapacitor)是一種用結構陶瓷作物質，在瓷器表層涂敷一層金屬材料塑料薄膜，再經高溫煅燒后做為電級而成的電容器。一般用以高平穩震蕩回路中，做為回路、旁通電容器及墊整電容器。中文名字瓷片電容英語名ceramiccapacitor介質結構陶瓷作物質應用高平穩震蕩回路中作用回路、旁通電容器及墊整電容器分類高頻率瓷介和低頻瓷介二種文件目錄1歸類2優點和缺點3功效4高壓5鑒別瓷片電容歸類編寫瓷片電容分高頻率瓷介和低頻瓷介二種。具備小的正電容溫度系數的電容器，用以高平穩震蕩回路中，做為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器jin限于在輸出功率較低的回路中作旁通或隔直流電用，或對可靠性和耗損規定不太高的場所〈包含高頻率以內〉。這類電容器不適合應用在單脈沖電源電路中，由于他們便于被單脈沖工作電壓穿透。按瓷介電容電解介質又分：1.類電解介質(NP0,C0G)；2.類電解介質(X7R,2X1)；3.類電解介質(Y9V,2F4)瓷介電容器EIARS-198。[1]瓷片電容優點和缺點編寫優勢：平穩，介電強度好。質量好的陶瓷電容器的找誰好？河北陶瓷電容器高壓取電用
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是數字0，不是字母O，有些文獻筆誤為NPO）以及我國標準的CC系列等型號的陶瓷介質（溫度系數為0±30PPM/℃），這種介質極其穩定，溫度系數極低，而且不會出現老化現象，損耗因數不受電壓、頻率、溫度和時間的影響，介電系數可以達到400，介電強度相對高。這種介質非常適用于高頻（特別是工業高頻感應加熱的高頻功率振蕩、高頻無線發射等應用的高頻功率電容器）、超高頻和對電容量、穩定性有嚴格要求定時、振蕩電路的工作環境，這種介質電容器wei一的缺點是電容量不能做得很大（由于介電系數相對小），通常1206表面貼裝C0G介質電容器的電容量從μF。Ⅱ類陶瓷電容器Ⅱ類的穩定級陶瓷介質材料如美國電工協會（EIA）標準的X7R、X5R以及我國標準的CT系列等型號的陶瓷介質（溫度系數為±），這種介質的介電系數隨溫度變化較大，不適用于定時、振蕩等對溫度系數要求高的場合，但由于其介電系數可以做得很大（可以達到1200），因而電容量可以做得比較大，適用于對工作環境溫度要求較高（X7R：-55~+125℃）的耦合、旁路和濾波。通常1206的SMD封裝的電容量可以達到10μF或在再高一些；II類的可用級陶瓷介質材料如美國電工協會。四川高壓陶瓷電容器陶瓷電容器
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