重慶高壓取能陶瓷電容器陶瓷電容器

陶瓷電容的結構和主要加工環節

如下面圖的瓷片電容的結構，內電極導體一般為Ag或AgPd，陶瓷介質一般為BaTiO3， 多層陶瓷結構通過高溫燒結而成。器件端頭鍍層（外電極）一般為燒結Ag/AgPd，然后制備一層Ni阻擋層(以阻擋內部Ag/AgPd材料，防止其和外部Sn發生反應)，再在Ni層上制備Sn或SnPb層用以焊接。近年來，也出現了端頭使用Cu的MLCC產品。

下面簡單介紹一下陶瓷電容的主要加工環節：

a） 備料成型：原料經過煅燒、粉碎與混和后，達到一定的顆粒細度，原則上顆粒越細越好。然后根據電容器結構形狀，進行陶瓷介質坯件成型；

b） 燒成：對瓷坯進行高溫處理，是其成為具有高機械強度、優良電氣性能的瓷體。燒成溫度一般在1300℃以上。高溫保持時間過短，固相反應不完全徹底，影響整個坯體結構，造成電性能惡化，是所謂“生燒”；高溫保持時間過長，使坯體起泡變形以及晶粒變大，同樣惡化電性能，造成“過燒”；

c） 然后是電極制造，引線焊接，涂覆，包封；

    ③原料豐富，成本低，易于大量生產。除表面層型和晶界層型瓷介外，瓷介zui大的缺點是難以做得很薄，故使電容器的容量受到要大限制。此外，瓷介常含有氣隙，致使其抗電強度不高，一般不超過35kV/mm。電容器瓷介有多種分類方法。按用途可分為：1類瓷，用于制造1類（高頻）瓷介電容器；2類瓷，用于制造2類（鐵電）瓷介電容器；3類瓷，用于制造3類（半導體）瓷介電容器。其中相對介電常數較大（ε=12～600）的1類瓷稱為高介瓷；而把相對介電常數更高（ε=103～104）的2類瓷稱為強介瓷；而相對介電常數較低（ε<）的3類瓷稱為低介瓷。高介瓷和低介瓷的tanδ很小，適合于制造高頻電路中的電容器，故稱之為高頻瓷。由于強介瓷的tanδ大，只適合于制造低頻電路中應用的電容器，因而又稱之為低頻瓷。工程上一般采用混合分類的方法，將電容器瓷分為高介瓷、強介瓷、獨石瓷和半導體晶界瓷。下面主要介紹幾種低介、高介瓷和強介瓷的性能特點。陶瓷電容器低介瓷滑石瓷是一種典型的低介瓷。滑石瓷是以天然滑石（3MgO·4SiO2·H2O）為主要原料制備而成的，故此取名滑石瓷。它的主晶相是原頑輝石，即偏硅酸鎂（MgO-SiO2）。滑石瓷的配方中除主要成分滑石外。河南陶瓷電容器廠家現貨選擇蘇州海視達電子科技有限公司，選擇較高質量陶瓷電容器產品。

    是數字0，不是字母O，有些文獻筆誤為NPO）以及我國標準的CC系列等型號的陶瓷介質（溫度系數為0±30PPM/℃），這種介質極其穩定，溫度系數極低，而且不會出現老化現象，損耗因數不受電壓、頻率、溫度和時間的影響，介電系數可以達到400，介電強度相對高。這種介質非常適用于高頻（特別是工業高頻感應加熱的高頻功率振蕩、高頻無線發射等應用的高頻功率電容器）、超高頻和對電容量、穩定性有嚴格要求定時、振蕩電路的工作環境，這種介質電容器wei一的缺點是電容量不能做得很大（由于介電系數相對小），通常1206表面貼裝C0G介質電容器的電容量從μF。Ⅱ類陶瓷電容器Ⅱ類的穩定級陶瓷介質材料如美國電工協會（EIA）標準的X7R、X5R以及我國標準的CT系列等型號的陶瓷介質（溫度系數為±），這種介質的介電系數隨溫度變化較大，不適用于定時、振蕩等對溫度系數要求高的場合，但由于其介電系數可以做得很大（可以達到1200），因而電容量可以做得比較大，適用于對工作環境溫度要求較高（X7R：-55~+125℃）的耦合、旁路和濾波。通常1206的SMD封裝的電容量可以達到10μF或在再高一些；II類的可用級陶瓷介質材料如美國電工協會。

    本發明涉及電子元器件領域，尤其涉及高壓陶瓷電容器的均壓裝置。背景技術：陶瓷電容器，一般為片狀、圓柱狀結構。以陶瓷材料為介質進行成型燒結，然后在兩端涂覆導電層，再在導電層上設置電極，然后通過絕緣樹脂進行封裝。電極作為陶瓷電容器的引出端為外部電路連接。高壓脈沖陶瓷電容器一般使用在電力行業或軍工行業中，可起到計量、分壓、儲能等作用。目前在高壓智能包括電網中使用的一種高壓陶瓷電容器，包括陶瓷電容器芯片，陶瓷芯片的兩端涂覆有導電層，導電層一般通過涂覆銀漿然后燒結而成。在導電層的中心部位設置有電極。電極結構一般包括與導電層接觸的圓形基座，及在圓形基座上設置的與外部電路連接的電極連接部。然后在陶瓷芯片與電極外部澆注有絕緣樹脂層，澆注后，僅電極連接部一端露出在絕緣樹脂層外，以方便與外部電路連接。該類陶瓷電容器使用在高壓智能電網上，其電氣性能穩定，工作可靠，但是還存在一些缺陷。在實際使用過程中，該類陶瓷電容器對智能電網的傳輸信號的干擾較大，會造成傳輸信號失真，滿足不了智能電網對傳輸信號精度要求。經分析得知，造成干擾較大不良現象的，皆因陶瓷電容器的電磁場分布不均造成。因此，如何使陶瓷電容器在使用過程中。醫療器械用高壓陶瓷電容器。

    Y5U等低頻介質陶瓷電容器只能應用在1KHZ以內的場合，主要是在工頻50HZ環境一應用。Y5T，Y5P等II類陶瓷電容器則可以在高頻(30KHZ~100KHZ)環境下應用。N4700則可以應用在550KHZ以上的高頻環境。材料等級越高，頻率范圍越高，比如說NP0，N150，N750等，能在1GHZ以上應用。民用的直流高壓陶瓷電容器主要包括以下參數：1.電壓等級；2.容量等級；3.溫度系數；4.外觀尺寸；5.頻率特性；6.損耗因素；7.絕緣電阻；8.漏電流；9.內阻[2]。高壓陶瓷電容器交流高壓陶瓷電容器編輯交流高壓陶瓷電容器，主要應用在交流電壓的工作場合，如電力檢測設備，國家電網設備等。交流高壓陶瓷電容器對電容器的各項指標要求較高，一般要求以下參數：1.交流工作電壓；2.雷電沖擊電壓；3.局部放電水平；4.溫度變化率；5.較高的頻率特性；6.損耗角正切值；7.電壓線性度特性；8.過電流能力；9.絕緣電阻；10.漏電流；以上各項指標是電力公司在衡量一顆電容器是否達到要求的必須指標，除此之外還會有尺寸，包封村料，外觀等各項要求。高壓陶瓷電容器君用直流高壓陶瓷電容器編輯君用直流高壓陶瓷電容器，是以直流電壓為工作電壓，往往要求比民用的更嚴格，在各方面都會有明確的指標。蘇州海視達電子科技有限公司為您介紹使用陶瓷電容器需要注意的事項。黑龍江陶瓷電容器誠信推薦

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