含鈦陶瓷容易發生電化學老化，即絕緣電阻逐漸減小，介質損耗逐漸增大，以致zui后不能使用。鋯酸鹽瓷大部分能工作在155℃甚至更高溫度下，而很少發生電化學老化。在鋯酸鹽化合物中，適宜于制造高頻電容器的材料只有鋯酸鈣和鋯酸鍶兩種。鈦酸鋇系瓷的相對介電常數很高（4000～6000），故又稱強介瓷，這類瓷主要是鐵電瓷。鐵電瓷的特點是相對介電常數隨外加電場強度的變化而改變，即具有非線性。根據非線性強弱。可分為強非線性瓷和弱非線性瓷。弱非線性瓷主要用作電容器介質，而制造電壓敏感電容器時，則采用強非線性瓷。介電陶瓷主要用于制造體積很小、容量上限較大和用于低頻電路的電容器。因此，對它的主要要求首先是相對介電常數大及其溫度穩定性好，其次才是抗電強度高和介質損耗角正切值小等。而一般規律是相對介電常數越大的強介瓷，其非線性越強，相對介電常數隨溫度的變化率也越大。陶瓷電容器矩形電容命名方法編輯矩形片狀陶瓷電容器矩形電容命名方法有多種，常見的有：（1）同內矩形片狀陶瓷電容器矩形電容命名系列代號溫度特性容量誤差耐壓包裝CC3216CH151K101WT（2）美國Predsidio公司系列代號溫度特性容量誤差包裝CCl206NPO151JZT與片狀電阻相同。醫療器械用高壓陶瓷電容器。長春超高壓瓷片電容器陶瓷電容器
高壓瓷片電容器的絕緣電阻高壓瓷片電容器的絕緣電阻取決于介質材料配方、工藝過程（燒結）和測量時的溫度。所有介質的絕緣電阻都會隨溫度的提高而下降，在低溫（-55℃）到高溫（125℃）的MIL溫度特性范圍內可以觀察到一個非常大的下降過程。測量瓷片電容器絕緣電阻的時需要重點考慮絕緣電阻與電容量的關系。電容量值與絕緣電阻成反比，即電容量越高，絕緣電阻越低。這是因為電容量與漏電流大小是相互成正比的，可以用歐姆定律和比體積電容關系加以說明。歐姆定律表述了導體中電流（I），電壓（V）和電阻（R）之間的關系：I=V/R但是，電阻（R）是一個與尺寸有關的物理量，也與材料本征的電阻率有關，如下所示：R=ρL/A這里L=導體長度A=導體橫截面積。因此電流（I）可以表示為：I=VA/ρL高壓瓷片電容器中通過絕緣體的漏電流（i）也可用上述關系式表示：I=VA’/ρt，這里V=測試電壓A’=有效電極面積ρ=介質電阻率t=介質層厚度從上面關系式可以看到，對于給定的測試電壓，漏電流大小正比于電容器有效電極面積，反比于介質層厚度（和電阻率），即：i∝A’/t類似地，電容量（C）正比于有效電極面積，反比于介質層厚度，即：C=KA’/。廣西Y1陶瓷電容器陶瓷電容器蘇州海視達電子科技有限公司，陶瓷電容器供應，如有需要歡迎來電咨詢。
電源開關電源變壓器中的輸出功率轉換電路輸出電磁能，全是脈動飲料直流電，電流量諧波失真很大，電源開關電路常選用大電容量的電解法電容，伴隨著電源變壓器的高頻率化與微型化，對開關電源輸出主要參數規定也愈來愈高，現階段均已選用層疊陶瓷電容器，這類電容器其內部選用鎳，歷經碳膜化高溫解決使電容量、耐額定電壓及泄露電流減少獲得巨大的改進。層疊陶瓷電容的容抗跟鋁電解電容對比十分小，在電路中作為光滑諧波失真的實際效果很好，電容本身的發然量很低，對輸出100~500kHz的諧波失真電流量的光滑度有明顯提升。一般來說，鋁電解電容伴隨著使用時間的增加，它的電容量隨電解質溶液干枯而減少，而陶瓷電容的容積幾乎不隨時間轉變。2.消化吸收脈沖電流。電子器件電路在工作中期內，因為遭受自然環境標準、牽引帶負荷、電路元器件劇變等危害，在變電器電感器功效下，產生脈沖電流，這類脈沖電流力度高、動能大，對電源變壓器的驅動器輸出功率晶體三極管的沖擊性將是致命性的，為了更好地維護晶體三極管的安全性，通常將陶瓷電容與電阻器串連后串聯收到變電器的一次繞阻，構成消化吸收電路，該電容一般在471080F下列，抗壓在630V之上。3.旁通噪音影響。
陶瓷電容分類：
一般販售的陶瓷電容可分為以下三類：
Class 1 陶瓷電容：有溫度補償，電容值準確的電容器。在不同的電壓、溫度下的穩定性比較好，且其損失zui少。但是其容積效率也比較低。典型Class 1電容的溫度系數為30 ppm/°C，而且對溫度的線性度很高，Class 1 陶瓷電容的散逸因數約為0.15%，因此適用在高品質因子的濾波器中。一般Class 1電容的電容誤差約為5%至10%，也可以找到高準確度，誤差只有1%的電容器。比較高準確度的Class 1電容其標示為C0G或NP0。Class 2 陶瓷電容：其容積效率較Class 1電容要好，但其電容準確度及穩定性較差。一般的Class 2電容在?55°C至85°C的溫度范圍內，電容量誤差值會在15%以內。
Class 2電容的散逸因數約為2.5%。Class 3 陶瓷電容：其容積效率更好，但其電容準確度及穩定性也更差。一般的Class 3電容在10°C至55°C的溫度范圍內，電容量會有-22%至+56%的變化。
Class 3電容的散逸因數約為4%。一般Class 3電容會用在去耦電容及其他電源供應器的應用中。 高頻陶瓷電容器_y1y2系列。
約1×）封裝的貼片電容器到大型的功率陶瓷電容器。按使用的介質材料特性可分為Ⅰ型、Ⅱ型和半導體陶瓷電容器；按無功功率大小可分為低功率、高功率陶瓷電容器；按工作電壓可分為低壓和高壓陶瓷電容器；按結構形狀可分為圓片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、疊片、獨石、塊狀、支柱式、穿心式等。陶瓷電容器的分類陶瓷電容器從介質類型主要可以分為兩類，即Ⅰ類陶瓷電容器和Ⅱ類陶瓷電容器。Ⅰ類陶瓷電容器（ClassⅠceramiccapacitor），過去稱高頻陶瓷電容器（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介質損耗小、絕緣電阻高、介電常數隨溫度呈線性變化的陶瓷介質制造的電容器。它特別適用于諧振回路，以及其它要求損耗小和電容量穩定的電路，或用于溫度補償。Ⅱ類陶瓷電容器（ClassⅡceramiccapacitor）過去稱為為低頻陶瓷電容器（Lowfrequencycermiccapacitor），指用鐵電陶瓷作介質的電容器，因此也稱鐵電陶瓷電容器。這類電容器的比電容大，電容量隨溫度呈非線性變化，損耗較大，常在電子設備中用于旁路、耦合或用于其它對損耗和電容量穩定性要求不高的電路中。Ⅰ類陶瓷電容器按美國電工協會（EIA）標準為C0G（是數字0，不是字母O，有些文獻筆誤為COG）或NP0。海視達電子科技陶瓷電容器產品，用了不后悔！紹興超高壓瓷片電容器陶瓷電容器
陶瓷電容器的的發展趨勢。長春超高壓瓷片電容器陶瓷電容器
引線焊點與電極表面銀層之間，間隔著具有半導體性質的氧化銀，使無介質電容器的等效串聯電阻增大，金屬部分損耗增加，電容器的損耗角正切值xian著上升。由于正電極有效面積減小，電容器的電容量會因此而下降。表面絕緣電阻則因無機介質電容器兩電極間介質表面上存在氧化銀半導體而降低。銀離子遷移嚴重時，兩電極間搭起樹枝狀的銀橋，使電容器的絕緣電阻大幅度下降。綜上所述，銀離子遷移不僅會使非密封無機介質電容器電性能惡化，而且可能引起介質擊穿場強下降，zui后導致電容器擊穿。值得一提的是：銀電極低頻陶瓷獨石電容器由于銀離子遷移而引起失效的現象，比其他類型的陶瓷介質電容器嚴重得多，原因在于這種電容器的一次燒成工藝與多層疊片結構。銀電極與陶瓷介質一次燒結過程中，銀參與了陶瓷介質表面的固相反應，滲入了瓷-銀接觸形成界面層。如果陶瓷介質不夠致密，則水分滲入后，銀離子遷移不僅可以在陶瓷介質表面發生，還可能穿透陶瓷介質層。多層疊片結構的縫隙較多，電極位置不易精確，介質表面的留邊量小，疊片層兩端涂覆外電極時銀漿滲入縫隙，降低了介質表面的絕緣電阻，并使電極之間的路徑縮短，銀離子遷移時容易產生短路現象。長春超高壓瓷片電容器陶瓷電容器
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