這里K=介電常數A’=有效電極面積t=介質層厚度）因此C∝A’/t以及i∝C漏電流（i）與絕緣電阻成反比，即：IR∝1/C基于上述關系，可以歸納出以下幾點：1．絕緣電阻是測試電壓的函數，漏電流正比于外加電壓：i=VA’/ρt或IR=ρt/VA’2.對于任意給定的電容器，絕緣電阻很大程度上依賴于介質材料本征的電阻率（ρ），也依賴于材料配方和測量時的溫度。3.電容器絕緣電阻（IR）的測量值與電容量成反比，也就是說，IR是電容量的函數，因此，工業應用中產品IR的zui小標準是由電阻（R）和容量（C）,（R×C），所決定的，如下表所示。EIA標準要求產品在25℃時R×C超過1000歐姆-法拉（通常表示成1000兆歐-微法），在125℃時超過100歐姆-法拉。穎特新電子-高壓瓷片電容器廠家，專業生產JEC安規電容及高壓瓷片電容器30年，生產的高壓瓷片電容器規格型號多，全自動生產設備及檢測設備在行業領先。出貨快，鉆石品質。本著安全的安規電容生產，為科技守護美好生活，更好的守護我們身邊zui愛的人的安全。蘇州低漏電陶瓷電容器廠家。重慶超高壓瓷片電容器陶瓷電容器
高頻使用：
陶瓷電容的電感性較其他主要電容器（薄膜電容或電解電容）要低，因此適用于高頻的應用，一般可以到達數百MHz，若在電路上進行微調，甚至可以到達1GHz。若希望達到更高自共振頻率，需要使用更昂貴及少見的電容，例如玻璃電容或云母電容。
以下分別列出一組C0G（溫度補償型）及X7R（非溫度補償型）陶瓷電容的自共振頻率共參考：
10 pF100 pF1 nF10 nF100 nF1 μFC0G (Class 1)1550 MHz460 MHz160 MHz55 MHzX7R (Class 2)190 MHz56 MHz22 MHz10 MHz，
河北陶瓷電容器量大從優蘇州現貨供應陶瓷電容器。
和其它的電容器相比具有體積小、容量大、耐熱性好、適合批量生產、價格低等優點。由于原材料豐富，結構簡單，價格低廉，而且電容量范圍較寬（一般有幾個PF到上百μF），損耗較小，電容量溫度系數可根據要求在很大范圍內調整。陶瓷電容器品種繁多，外形尺寸相差甚大從0402（約1×）封裝的貼片電容器到大型的功率陶瓷電容器。按使用的介質材料特性可分為Ⅰ型、Ⅱ型和半導體陶瓷電容器；按無功功率大小可分為低功率、高功率陶瓷電容器；按工作電壓可分為低壓和高壓陶瓷電容器；按結構形狀可分為圓片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、疊片、獨石、塊狀、支柱式、穿心式等。陶瓷電容器的分類陶瓷電容器從介質類型主要可以分為兩類，即Ⅰ類陶瓷電容器和Ⅱ類陶瓷電容器。Ⅰ類陶瓷電容器（ClassⅠceramiccapacitor），過去稱高頻陶瓷電容器（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介質損耗小、絕緣電阻高、介電常數隨溫度呈線性變化的陶瓷介質制造的電容器。它特別適用于諧振回路，以及其它要求損耗小和電容量穩定的電路，或用于溫度補償。Ⅱ類陶瓷電容器（ClassⅡceramiccapacitor）過去稱為為低頻陶瓷電容器（Lowfrequencycermiccapacitor），指用鐵電陶瓷作介質的電容器。
第二、鉭電容的成本高看看我們的淘寶就可以知道100uF的鉭電容與100uF的陶瓷電容的價格差別，大概鉭電容的價格是陶瓷電容的10倍。如果電容容量需求在100uF以下的情況下，我們現在絕大多數下，耐壓如果滿足的情況下，我們一般需用陶瓷電容。再大容量，或者再高耐壓，陶瓷電容的封裝大于1206的時候，盡量謹慎選擇。貼片陶瓷電容zui主要的失效模式斷裂（封裝越大越容易失效）：貼片陶瓷電容器作常見的失效是斷裂,這是貼片陶瓷電容器自身介質的脆性決定的.由于貼片陶瓷電容器直接焊接在電路板上,直接承受來自于電路板的各種機械應力,而引線式陶瓷電容器則可以通過引腳吸收來自電路板的機械應力.因此,對于貼片陶瓷電容器來說,由于熱膨脹系數不同或電路板彎曲所造成的機械應力將是貼片陶瓷電容器斷裂的zui主要因素。第三、鉭電容未來將耗盡，有錢你都買不到。早在2007年，美國國防后勤署(DLA)十多年來已貯存大量鉭礦物，為履行美國國會的會議決定，該組織將耗盡其擁有的zui后140，000磅鉭材料。從美國國防后勤署購買鉭礦石的買主已包括HCStarck、DMChemi-Met、ABS合金公司、Umicore、Ulba冶金公司和Mitsui采礦公司。海視達供應安規電容器廠家,安規電容器定制。
中文名字高壓瓷片電容器英語名Highvoltageceramiccapacitor原理以結構陶瓷為物質的電容器文件目錄1基本要素?介紹?應用領域2功效3潛在性安全隱患4優勢高壓瓷片電容器基本要素編寫高壓瓷片電容器介紹常見于高壓場所。瓷器有I類瓷，II類瓷，III類瓷之分，I類瓷，NP0，溫度特點，頻率特點和工作電壓特點佳，因相對介電常數不高，因此容積做并不大；II類瓷，X7R其次，溫度特點和工作電壓特點不錯；III類瓷，相對介電常數高，因此容積能夠做非常大，但溫度特點和工作電壓特點不大好。瓷片電容器一般容積并不大。此外，再注重一個關鍵特性：瓷介電容器穿透后，通常呈短路故障情況。（它是它的缺點）而塑料薄膜電容器無效后，一般呈引路情況。高壓瓷片電容器應用領域高壓瓷片電容器的典型性功效是能夠清chu高頻率影響，廣fan運用于負離子產品、激光器、X光機、控測機器設備、高壓包、點火器、產生器、變電器、電氣設備、倍壓控制模塊、悍機、靜電粉末噴涂以及他必須高壓高頻率的機械設備。[1]高壓瓷片電容器功效編寫1、高壓瓷器電容具備耐磨損直流電高壓的特性，適用高壓旁通和耦合電路中，在其中的低損耗高壓圓片具備較低的介電損耗，高壓瓷片電容要是對于于高頻率。質量好的陶瓷電容器的機構聯系方式。沈陽陶瓷電容器廠
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陶瓷電容的結構和主要加工環節
如下面圖的瓷片電容的結構，內電極導體一般為Ag或AgPd，陶瓷介質一般為BaTiO3， 多層陶瓷結構通過高溫燒結而成。器件端頭鍍層（外電極）一般為燒結Ag/AgPd，然后制備一層Ni阻擋層(以阻擋內部Ag/AgPd材料，防止其和外部Sn發生反應)，再在Ni層上制備Sn或SnPb層用以焊接。近年來，也出現了端頭使用Cu的MLCC產品。
下面簡單介紹一下陶瓷電容的主要加工環節：
a） 備料成型：原料經過煅燒、粉碎與混和后，達到一定的顆粒細度，原則上顆粒越細越好。然后根據電容器結構形狀，進行陶瓷介質坯件成型；
b） 燒成：對瓷坯進行高溫處理，是其成為具有高機械強度、優良電氣性能的瓷體。燒成溫度一般在1300℃以上。高溫保持時間過短，固相反應不完全徹底，影響整個坯體結構，造成電性能惡化，是所謂“生燒”；高溫保持時間過長，使坯體起泡變形以及晶粒變大，同樣惡化電性能，造成“過燒”；
c） 然后是電極制造，引線焊接，涂覆，包封；
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