解決指南MLCC的彎曲裂紋對(duì)策概要圖1：元件體裂紋的情形（切面）印刷線(xiàn)路板的分割與螺絲緊固、振動(dòng)與掉落所導(dǎo)致的沖擊會(huì)使MLCC（MultilayerCeramicChipCapacitor，積層貼片陶瓷片式電容器）的元件體產(chǎn)生裂紋，從而可能導(dǎo)致短路模式的故障。故障模式分為斷線(xiàn)狀態(tài)的開(kāi)路模式與短路模式，因短路模式導(dǎo)致的故障甚至可能導(dǎo)致異常發(fā)熱、冒煙、起火等情況，因此對(duì)于要求可靠性的設(shè)備而言對(duì)策不可或缺。為避免彎曲裂紋，同時(shí)提高設(shè)備可靠性，hisdar提供經(jīng)過(guò)冗長(zhǎng)設(shè)計(jì)的特殊型MLCC產(chǎn)品。客戶(hù)可根據(jù)用途選擇產(chǎn)品,從而提高產(chǎn)品可靠性。MLCC發(fā)生彎曲裂紋的主要原因及過(guò)程電容器元件體內(nèi)部發(fā)生裂紋，相對(duì)的內(nèi)部電極導(dǎo)通時(shí)會(huì)發(fā)生彎曲裂紋。彎曲裂紋對(duì)策中需特別注意的應(yīng)用及基板從SMD封裝到成套組裝工序中發(fā)生的細(xì)微裂紋在產(chǎn)品被送往市場(chǎng)使用的過(guò)程中將可能逐步發(fā)展成為電容器元件體裂紋。hisdar提供下述MLCC以解決彎曲裂紋問(wèn)題1)金屬端子分散彎曲應(yīng)力，降低施加于電容器上的負(fù)荷：金屬支架電容2)樹(shù)脂電極吸收彎曲應(yīng)力，降低施加于電容器上的負(fù)荷：樹(shù)脂電珍品3)雙重故障安全功能設(shè)計(jì)可吸收彎曲應(yīng)力，即使發(fā)生元件體裂紋時(shí)也能預(yù)防彎曲裂紋：安全設(shè)計(jì)品（CEU系列）4)即使元件體發(fā)生裂紋。哪家的陶瓷電容器的價(jià)格優(yōu)惠？山東陶瓷電容器量大從優(yōu)
又因高濕度環(huán)境中陶瓷介質(zhì)表面凝有水膜，使電容器邊緣表面電暈放電電壓xian著下降，工作條件下產(chǎn)生表面極間飛弧現(xiàn)象。嚴(yán)重時(shí)導(dǎo)致電容器表面極間飛弧擊穿。表面擊穿與電容結(jié)構(gòu)、極間距離、負(fù)荷電壓、保護(hù)層的疏水性與透濕性等因素有關(guān)。邊緣表面極間飛弧擊穿的主要原因是，介質(zhì)留邊量較小，在潮濕環(huán)境中工作時(shí)的銀離子遷移和表面水膜形成使電容器邊緣表面絕緣由于銀離子遷移的產(chǎn)生與發(fā)展需要一段時(shí)間，所以在耐壓試驗(yàn)初期，失效模式以介質(zhì)擊穿為主，直到試驗(yàn)500h以后，只要失效模式才過(guò)度為邊緣表面極間飛弧擊穿。4.電極材料的改進(jìn)陶瓷電容器一直使用銀電極。銀離子遷移和由此而引起含鈦陶瓷介質(zhì)的加速老化是導(dǎo)致陶瓷電容器失效的主要原因。有的廠(chǎng)家生產(chǎn)陶瓷電容器已不用銀電極，而改用鎳電極，在陶瓷基片上采用化學(xué)鍍鎳工藝。由于鎳的化學(xué)穩(wěn)定性比銀好，電遷移率低，提高了陶瓷電容器的性能和可靠性。又如，以銀做電極的獨(dú)石低頻瓷介質(zhì)電容器，由于銀電極和瓷料在900℃下一次燒結(jié)時(shí)瓷料欠燒不能獲得致密的陶瓷介質(zhì)，存在較大的氣孔率；此外銀電極常用的助溶劑氧化鋇會(huì)滲透到瓷體內(nèi)部，在高溫下依靠氧化鋇和銀之間良好的浸潤(rùn)“互熔”能力，使電極及介質(zhì)內(nèi)部出現(xiàn)熱擴(kuò)散現(xiàn)象。洛陽(yáng)超高壓瓷片電容器陶瓷電容器貼片型陶瓷Y1Y2安規(guī)電容器。
薄瓷片的電阻率，一般比處理?xiàng)l件相同的較厚瓷體的電阻率低一些。由于再氧化處理形成的表面絕緣性介質(zhì)層的厚度比較薄，所以盡管其介電常數(shù)不一定很高，但是經(jīng)還原再氧化處理后，該表面層半導(dǎo)體陶瓷電容器的單位面積容量仍可達(dá)～μF/cm2。（2）晶界層陶瓷電容器晶粒發(fā)育比較充分的BaTiO3半導(dǎo)體陶瓷的表面上，涂覆適當(dāng)?shù)慕饘傺趸铮ɡ鏑uO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），在適當(dāng)溫度下，于氧化條件下進(jìn)行熱處理，涂覆的氧化物將與BaTiO3形成低共溶液相，沿開(kāi)口氣孔和晶界迅速擴(kuò)散滲透到陶瓷內(nèi)部，在晶界上形成一層薄薄的固溶體絕緣層。這種薄薄的固溶體絕緣層的電阻率很高（可達(dá)1012～1013Ω·cm），盡管陶瓷的晶粒內(nèi)部仍為半導(dǎo)體，但是整個(gè)陶瓷體表現(xiàn)為顯介電常數(shù)高達(dá)2×104到8×104的絕緣體介質(zhì)。用這種瓷制備的電容器稱(chēng)為晶界層陶瓷電容器（boundarglayerceramiccapacitor），簡(jiǎn)稱(chēng)BL電容器。[1]陶瓷電容器高壓陶瓷電容器（一）概述隨著電子工業(yè)的高速發(fā)展，迫切要求開(kāi)發(fā)擊穿電壓高、損耗小、體積小、可靠性高的高壓陶瓷電容器。近20多年來(lái)。
陶瓷電容陶瓷電容器是以陶瓷為介電質(zhì)的電容器。其結(jié)構(gòu)是由二層或更多層交替出現(xiàn)的陶瓷層和金屬層所組成，金屬層連結(jié)到電容器的電極。陶瓷材料的成分決定了陶瓷電容器的電氣特性及其應(yīng)用范圍，依穩(wěn)定性可分為以下三類(lèi)：Class1陶瓷電容器：有高穩(wěn)定性和低損失，適用于諧振電路的應(yīng)用。Class2陶瓷電容器：其容積效率高，但穩(wěn)定性及準(zhǔn)確度較差，適用于緩沖、解耦及旁路電路。Class3陶瓷電容器：其容積效率更高，但其穩(wěn)定性及準(zhǔn)確度更差。陶瓷電容器是電子設(shè)備中zui常使用的電容，每年的產(chǎn)量約為一兆顆[1]。其中zui常用的是積層陶瓷電容器（MLCC），且有采用表面安裝技術(shù)的元件。陶瓷電容上會(huì)印有三位數(shù)的編碼標(biāo)示其電容值，前二個(gè)數(shù)字標(biāo)示容值z(mì)ui高的二位數(shù)，zui后一數(shù)字則標(biāo)示10的次方，其單位為皮法拉（pF）。數(shù)字后會(huì)有一個(gè)字母標(biāo)示其電容允差范圍[4]。B±pFC±pFM±20%D±pFP+100?0%J±5%Y?20+50%K±10%Z?20+80%例：一陶瓷電容標(biāo)示104K，表示其容值為10×104pF=100,000pF=100nF=μF±10%EIA也有針對(duì)電容的溫度系數(shù)有三個(gè)字的識(shí)別碼。對(duì)于不是Class1的非溫度補(bǔ)償型電容，第yi個(gè)字對(duì)應(yīng)工作溫度的下限，第二個(gè)字為數(shù)字，對(duì)應(yīng)工作溫度的上限。如何正確使用陶瓷電容器的。
含鈦陶瓷容易發(fā)生電化學(xué)老化，即絕緣電阻逐漸減小，介質(zhì)損耗逐漸增大，以致zui后不能使用。鋯酸鹽瓷大部分能工作在155℃甚至更高溫度下，而很少發(fā)生電化學(xué)老化。在鋯酸鹽化合物中，適宜于制造高頻電容器的材料只有鋯酸鈣和鋯酸鍶兩種。鈦酸鋇系瓷的相對(duì)介電常數(shù)很高（4000～6000），故又稱(chēng)強(qiáng)介瓷，這類(lèi)瓷主要是鐵電瓷。鐵電瓷的特點(diǎn)是相對(duì)介電常數(shù)隨外加電場(chǎng)強(qiáng)度的變化而改變，即具有非線(xiàn)性。根據(jù)非線(xiàn)性強(qiáng)弱。可分為強(qiáng)非線(xiàn)性瓷和弱非線(xiàn)性瓷。弱非線(xiàn)性瓷主要用作電容器介質(zhì)，而制造電壓敏感電容器時(shí)，則采用強(qiáng)非線(xiàn)性瓷。介電陶瓷主要用于制造體積很小、容量上限較大和用于低頻電路的電容器。因此，對(duì)它的主要要求首先是相對(duì)介電常數(shù)大及其溫度穩(wěn)定性好，其次才是抗電強(qiáng)度高和介質(zhì)損耗角正切值小等。而一般規(guī)律是相對(duì)介電常數(shù)越大的強(qiáng)介瓷，其非線(xiàn)性越強(qiáng)，相對(duì)介電常數(shù)隨溫度的變化率也越大。陶瓷電容器矩形電容命名方法編輯矩形片狀陶瓷電容器矩形電容命名方法有多種，常見(jiàn)的有：（1）同內(nèi)矩形片狀陶瓷電容器矩形電容命名系列代號(hào)溫度特性容量誤差耐壓包裝CC3216CH151K101WT（2）美國(guó)Predsidio公司系列代號(hào)溫度特性容量誤差包裝CCl206NPO151JZT與片狀電阻相同。陶瓷電容器的的發(fā)展趨勢(shì)。常州陶瓷電容器生產(chǎn)商
蘇州現(xiàn)貨供應(yīng)陶瓷電容器。山東陶瓷電容器量大從優(yōu)
Y1電容器的特點(diǎn)及應(yīng)用：
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，Y1電容器就是分別跨接在電力線(xiàn)兩線(xiàn)和地之間（L-E，N-E）的電容，一般是成對(duì)出現(xiàn)。基于漏電流的限制，Y電容值不能太大，一般X電容是uF級(jí)，Y電容是nF級(jí)。X電容yi制差模干擾，Y1電容器yi制共模干擾。Y1電容器特點(diǎn)：
體積小；
通過(guò)并符合安規(guī)認(rèn)證的交流電容器；
高頻損耗小，可承受交流尖峰浪涌沖擊；
過(guò)電流能力強(qiáng)，容量和損耗衰減很小；
使用壽命長(zhǎng)；
Y1額定電壓<400-500VAC,實(shí)驗(yàn)電壓4000VAC；
Y電容常采用高壓瓷片；
Y1屬于雙絕緣Y電容,用于跨接一二次側(cè)；
阻燃的環(huán)氧樹(shù)脂封裝，安規(guī)電容是指用于這樣的場(chǎng)合，即電容器失效后，不會(huì)導(dǎo)致電擊，不危及人身安全。Y1電容器應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于小家電產(chǎn)品、電源產(chǎn)品、機(jī)電馬達(dá)，LED燈飾、充電器、不間斷電源、濾波器、電子整流器、汽車(chē)電子、安防等等行業(yè)。 山東陶瓷電容器量大從優(yōu)
蘇州海視達(dá)電子科技有限公司專(zhuān)注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才，以不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力，加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。蘇州海視達(dá)電子科技有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋電力高壓取電取能電容器，電子滅弧器消弧器濾波器，X2抗干擾安規(guī)薄膜電容器，高低壓金屬化薄膜電容器，堅(jiān)持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿(mǎn)意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶(hù)的支持和信賴(lài)。公司深耕電力高壓取電取能電容器，電子滅弧器消弧器濾波器，X2抗干擾安規(guī)薄膜電容器，高低壓金屬化薄膜電容器，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間、更寬泛的領(lǐng)域拓展。