這三部分的字母與數字所表達的意義如表。例如,C0G(有時也稱為NP0)表示為:第yi位字母C為溫度系數的有效數字為0,第二位數字0為有效溫度系數的倍乘為100=1,第三位字母G為隨溫度變化的容差為±30ppm/℃,即0±30ppm/℃;C0H分別表示為:第yi位字母C為溫度系數的有效數字為0,第二位數字0為有效溫度系數的倍乘為100=1,第三位字母H為隨溫度變化的容差為±60ppm/℃,即0±60ppm/℃;S2H則分別表示為:第yi位字母S為溫度系數的有效數字為,第二位數字2為有效溫度系數的倍乘為102=100,第三位字母H為隨溫度變化的容差為±60ppm/℃,即-330±60ppm/℃第yi類陶瓷電容器的電容量幾乎不隨溫度變化,下面以C0G介質為例。C0G介質的變化量僅0±30ppm/℃,實際上C0G的電容量隨溫度變化小于0±30ppm/℃,大約為0±30ppm/℃的一半。第二類陶瓷介質電容器的溫度性質根據美國標準EIA-198-D,在用字母或數字表示陶瓷電容器的溫度性質有三部分:第yi部分為(例如字母X)zui低工作溫度;第二位部分有效數字為zui高工作溫度;第三部分為隨溫度變化的容差(以ppm/℃表示)。這三部分的字母與數字所表達的意義如表。常見的Ⅱ類陶瓷電容器有:X7R、X5R、Y5V、Z5U。其中。哪家的陶瓷電容器價格比較低?石家莊陶瓷電容器性價比
詳細說明如下:1、電極間失效及結合線破裂主要由陶瓷的高空隙,或電介質層與相對電極間存在的空隙引起,使電極間是電介質層裂開,成為潛伏性的漏電危機;2、燃燒破裂的特性與電極垂直,且一般源自電極邊緣或終端。假如顯示出破裂是垂直的話,則它們應是由燃燒所引起;備注:原材失效類中第yi種失效因平行電容內部層結構分離程度不易測出,第三種垂直結構金相則能保證測出結論:由熱擊所造成的破裂會由表面蔓延至組件內部,而過大的機械性張力所引起的損害,則可由組件表面或內部形成,這些破損均會以近乎45°角的方向蔓延,至于原材失效,則會帶來與內部電極垂直或平行的破裂。另外:熱擊破裂一般由一個端接蔓延至另一個端接﹐由取放機造成的破裂﹐則在端接下面出現多個破裂點﹐而因電路板扭曲而造成的損壞﹐通常則只有一個破裂點。一張圖教你分析電解電容失效分析鉭電容:優點:體積小、電容量較大、外形多樣、長壽命、高可靠性、工作溫度范圍寬缺點:容量較小、價格貴、耐電壓及電流能力較弱應用:jun事通訊、航天、工業控制、影視設備、通訊儀表1.也屬于電解電容的一種,使用金屬鉭做介質,不像普通電解電容那樣使用電解液。南京陶瓷電容器量大從優蘇州海視達電子科技有限公司給您講解使用陶瓷電容器需要注意的事項。
并不是只要單純地將鉭電解電容器換成片狀多層陶瓷電容器,工作就結束了的。根據用途的不同,有時還需要注意一些問題。圖1:替換成片狀多層陶瓷電容器可以yi制紋波電壓將DC-DC轉換器的輸出電容器由鉭電解電容器換成片狀多層陶瓷電容器時的輸出電壓波形。DC-DC轉換器的開關頻率為300MHz。鉭電解電容器的容量為100μF。使用3個22μF的片狀多層陶瓷電容器產品。替換前的紋波電壓為56mV,更換成片狀多層陶瓷電容器后降到了7mV。典型事例是用于上面提到的DC-DC轉換器等輸出平滑電路時。雖然片狀多層陶瓷電容器確實具備因ESR比較低而能降低輸出紋波電壓的優點,但ESR低的特性有時卻是把“雙刃劍”。原因是替換為片狀多層陶瓷電容器后,DC-DC轉換器反饋環路響應特性的相位會大幅偏移。zui壞的情況會出現180度偏移,導致DC-DC轉換器的輸出異常振蕩。這樣的話,DC-DC轉換器就無法發揮作用了。為此,將片狀多層陶瓷電容器用于輸出平滑電路時,需要調整相位補償電路的常數。如果相位補償電路集成在DC-DC轉換器IC的內部,需要測量被替換掉的鉭電解電容器的ESR,然后串聯插入ESR與鉭電解電容器相同的電阻器。這樣做就能yi制異常振蕩。詳情請參見圖2。圖2。
第三位字母R為隨溫度變化的容值偏差±15%;Y5V表示為:第yi位Y為比較低工作溫度-30℃,第二位的數字5位比較高工作溫度+85℃,第三位字母V為隨溫度變化的容值偏差+22%,-82%±15%。Z5U表示為:第yi位Z為比較低工作溫度+10℃,第二位的數字5位比較高工作溫度+85℃,第三位字母U為隨溫度變化的容值偏差+22%,-56%,陶瓷電容器的阻抗頻率特性第yi類介質的陶瓷電容器的ESR隨頻率而上升,如圖陶瓷電容器的ESR頻率特性第yi類介質的陶瓷電容器阻抗頻率特性第二類陶瓷電容器的阻抗頻率特性陶瓷電容器的損耗因數與頻率的關系陶瓷電容器的阻抗頻率特性陶瓷電容器的絕緣電阻與溫度的關系損耗因數與溫度的關系電容量與直流偏置電壓的關系第yi類介質電容器的電容量與直流偏置電壓無關。第二類介質電容器的電容量隨直流偏置電壓變化,如圖。Y5V介質電容器的電容量隨直流偏置電壓變化非常大,從無偏置時的全部電容量下降到額定電壓下的直流偏置電壓時得不到額定電容量的25%,也就是說10μF的電容量在額定電壓時僅為不到μF!在高溫時由于電容量已經下降到很低,所以這時的電容量隨直流偏置電壓的變化不大。X7R介質電容器的電容量隨直流偏置電壓變化雖比較大,但是比Y5V好得多。質量好的陶瓷電容器的機構聯系方式。
***類介質電容器的容許工作電壓、電流量與頻率的關聯***類介質電容器的容許工作電壓、電流量與頻率的講解當載入頻率相對性較低時,即便載入交流電流為額定值交流電流時,穿過電容器的電流量小于額定電壓時,電容器容許載入額定值交流電流,即左圖的豎直一部分;當載入頻率上升到即便載入工作電壓沒有做到溝通交流額定電流時的電容器中穿過的交流電路已做到額定電壓值,它是必須減少電容器的載入交流電流,以確保穿過電容器的電流量不超過額定電壓值,即左圖的曲線圖剛開始降低一部分;而載入頻率再次升高,電容器的耗損因素而造成的發燙則變成電容器的載入工作電壓的關鍵限定要素,它是載入工作電壓將隨頻率的升高而驟降,即中左圖的曲線圖驟降一部分與載入交流電流正相反,電容器載入的交流電路在頻率較低時即便電流量沒有做到額定電壓,但電容器上的交流電流已做到其額定電流,它是載入的交流電路受電容器的額定電流限定,特個人行為載入交流電路隨頻率的提升而升高,如圖所示下圖中的電流量隨頻率提升而升高的那一部分曲線圖。當載入頻率升高到即便電容器上的交流電流沒做到額定電流時載入的交流電路早已做到額定電壓值這時候載入交流電路須維持不在高過額定電壓值。哪家的陶瓷電容器的價格低?寧波Y1陶瓷電容器陶瓷電容器
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溫度補償型電容也針對電容的溫度系數有三個字的識別碼,但規則和上述的不同。第yi個字表示電容隨溫度的變動量,以ppm/°C來表示,第二個字是其10的乘冪,第二個字是電容隨溫度的變動量(以ppm/°C來表示)的比較大允許誤差,所以數值均是以25至85 °C為準:比較高位數字乘冪允許誤差C: 0.00: -1G: ±30B: 0.31: -10H: ±60L: 0.82: -100J: ±120A: 0.93: -1000K: ±250M: 1.04: +1L: ±500P: 1.56: +10M: ±1000R: 2.27: +100N: ±2500S: 3.38: +1000T: 4.7V: 5.6U: 7.5一個標示C0G的電容,其容值不會隨溫度變化,誤差在±30 ppm/°C之間,而標示P3K的電容,其容值飄移量為?1500 ppm/°C,比較大誤差在±250 ppm/°C。
除了EIA的電容識別碼外,也有工業及jun事應用的電容識別碼。 石家莊陶瓷電容器性價比
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