像下面的電路中，鋁電解電容旁邊都會并聯一個小的瓷片電容。很多人都知道大電解電容起到貯能和濾除低頻信號的作用，而小瓷片電容起到濾除高頻信號的作用。然而，這是為什么呢？為什么鋁電解電容不能濾除高頻信號而小的瓷片電容卻可以濾除高頻信號？我們都知道電容容抗的公式為：從上面的公式可以看出，當C和f很大時，容抗XC將會很小，按理說大容量鋁電解電容是可以濾除高頻信號的，那么為什么說大容量的電解電容不能濾除高頻信號呢？這是因為鋁電解電容，有很大的電感成分，其等效模型如下：由于電感有隔交通直的作用，所以當頻率越高電容的阻抗反而會增加。如下圖：所以鋁電解電容不能濾除高頻信號。當輸入為低頻信號的時候，由電感的感抗公式（如下圖）可知，頻率越低，感抗越小。所以在低頻階段起主導作用的是電容，等效電感可以忽略。所以大容量的鋁電解電容能夠濾除低頻信號。為了有效的濾除高頻信號，工程上會在一個電容量較大的電解電容旁邊并聯了一個小容量的瓷片電容（一般為100nF），用來濾除高頻信號。因為瓷片電容的等效電感很小，基本可以忽略，而且從上面容抗公式可以看出頻率越高，需要的電容量C可以越小。現貨供應Y5P陶瓷電容器。福建Y2陶瓷電容器陶瓷電容器
已制備出超薄層賤金屬內電極MLCC產品，陶瓷介質單層厚度約為3μm。3．大容量化、高頻化一方面，伴隨半導體器件低壓驅動和低功耗化，集成電路的工作電壓已由5V降低到3V和V；另一方面，電源小型化需要小型、大容量產品以替代體積大的鋁電解電容器。為了滿足這類低壓大容量MLCC的開發與應用，在材料方面，已開發出相對介電常數比BaTiO3高1～2倍的弛豫類高介材料。在開發新產品過程中，同時發展了三種關鍵技術，即制取超薄生片粉料分散技術、改善生片成膜技術和內電極與陶瓷生片收縮率相匹配技術。*近日本的松下電子組件公司成功研制出電容量*大為100μF，*高耐壓為25V的大容量MLCC，該產品可用于液晶顯示器（LCD）的電源線路。通信產業的快速發展對元器件的頻率要求越來越高。美國Vishay公司推出的Cer—F系列MLCC的高頻特性可以與薄膜電容器相媲美，在高頻段的某些應用中可以替代薄膜電容器。而我國高頻、超高頻MLCC產品與國外仍有一定的差距，主要原因是缺乏基礎原料及其配方的研發力度。隨著技術不斷更新，現已不斷涌現出了低失真率和沖擊噪聲小的產品、高頻寬溫長壽命產品、高安全性產品以及高可靠低成本產品。湖南陶瓷電容器廠家現貨供應HM安規陶瓷電容器。
銀電極與陶瓷介質一次燒結過程中，銀參與了陶瓷介質表面的固相反應，滲入了瓷-銀接觸形成界面層。如果陶瓷介質不夠致密，則水分滲入后，銀離子遷移不僅可以在陶瓷介質表面發生，還可能穿透陶瓷介質層。多層疊片結構的縫隙較多，電極位置不易，介質表面的留邊量小，疊片層兩端涂覆外電極時銀漿滲入縫隙，降低了介質表面的絕緣電阻，并使電極之間的路徑縮短，銀離子遷移時容易產生短路現象。3.高溫條件下陶瓷電容器擊穿機理半密封陶瓷電容器在高濕度環境條件下工作時，發生擊穿失效是比較普遍的嚴重問題。所發生的擊穿現象大約可以分為介質擊穿和表面極間飛弧擊穿兩類。介質擊穿按發生時間的早晚又可分為早期擊穿與老化擊穿兩種，早期擊穿暴露了電容介質材料與生產工藝方面存在的缺陷，這些缺陷導致陶瓷介質介電強度顯著降低，以至于在高濕度環境的電場作用下，電容器在耐壓試驗過程中或工作初期，就產生電擊穿。老化擊穿大多屬于電化學擊穿范疇。由于陶瓷電容器銀的遷移，陶瓷電容器的電解老化擊穿已成為相當普遍的問題。銀遷移形成的導電樹枝狀物，使漏電流局部增大，可引起熱擊穿，使電容器斷裂或燒毀。熱擊穿現象多發生在管形或圓片形的小型瓷介質電容器中。
什么是陶瓷電容器？陶瓷電容器（ceramiccapacitor；ceramiccondenser）就是用陶瓷作為電介質，在陶瓷基體兩面噴涂銀層，然后經低溫燒成銀質薄膜作極板而制成。它的外形以片式居多，也有管形、圓形等形狀。陶瓷電容器是以陶瓷材料為介質的電容器的總稱。其品種繁多，（CG電容器、Y電容、高壓陶瓷電容、交流陶瓷安規電容）外形尺寸相差甚大。按使用電壓可分為高壓，中壓和低壓陶瓷電容器。按溫度系數，介電常數不同可分為負溫度系數、正溫度系數、零溫度系數、高介電常數、低介電常數等。此外，還有I型、II型、III型的分類方法。一般陶瓷電容器和其他電容器相比，具有使用溫度較高，比容量大，耐潮濕性好，介質損耗較小，電容溫度系數可在大范圍內選擇等優點。廣fan用于電子電路中，用量十分可觀。這幾種是：Y5V，X5R，X7R，NPO（COG）那么這些材質代biao什么意思呢？第yi位表示低溫，第二位表示高溫，第三位表示偏差Y5V表示工作在-30~+85度，整個溫度范圍內偏差-82%~+22%X5R表示工作在-55~+85度，整個溫度范圍內偏差正負15%X7R表示工作在-55~+125度，整個溫度范圍內偏差正負15%NPO（COG）是溫度特性*穩定的電容器，電容溫漂很小（什么是溫漂？你上網查查）。哪家的陶瓷電容器的價格低？
高頻使用：
陶瓷電容的電感性較其他主要電容器（薄膜電容或電解電容）要低，因此適用于高頻的應用，一般可以到達數百MHz，若在電路上進行微調，甚至可以到達1GHz。若希望達到更高自共振頻率，需要使用更昂貴及少見的電容，例如玻璃電容或云母電容。
以下分別列出一組C0G（溫度補償型）及X7R（非溫度補償型）陶瓷電容的自共振頻率：10 pF100 pF1 nF10 nF100 nF1 μFC0G (Class 1)1550 MHz460 MHz160 MHz55 MHzX7R (Class 2)190 MHz56 MHz22 MHz10 MHz
取代鉭質電容及電解電容：
相較于鉭質電容及電解電容，陶瓷電容在成本、可靠度及體積上都有競爭力，因此越來越多的應用會用陶瓷電容來取代鉭質電容及小容值的鋁電解電容，尤其應用在高頻的開關電源或是旁路電容中。而且因為陶瓷電容的ESR低，因此可以配合較小的容值使用。
顫噪效應：有些陶瓷電容會有輕微的顫噪效應，也就是將機械振動轉換為電氣噪聲的情形。 陶瓷電容器的的發展趨勢。洛陽陶瓷電容器生產商
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是數字0，不是字母O，有些文獻筆誤為NPO）以及我國標準的CC系列等型號的陶瓷介質（溫度系數為0±30PPM/℃），這種介質極其穩定，溫度系數極低，而且不會出現老化現象，損耗因數不受電壓、頻率、溫度和時間的影響，介電系數可以達到400，介電強度相對高。這種介質非常適用于高頻（特別是工業高頻感應加熱的高頻功率振蕩、高頻無線發射等應用的高頻功率電容器）、超高頻和對電容量、穩定性有嚴格要求定時、振蕩電路的工作環境，這種介質電容器wei一的缺點是電容量不能做得很大（由于介電系數相對小），通常1206表面貼裝C0G介質電容器的電容量從μF。Ⅱ類陶瓷電容器Ⅱ類的穩定級陶瓷介質材料如美國電工協會（EIA）標準的X7R、X5R以及我國標準的CT系列等型號的陶瓷介質（溫度系數為±），這種介質的介電系數隨溫度變化較大，不適用于定時、振蕩等對溫度系數要求高的場合，但由于其介電系數可以做得很大（可以達到1200），因而電容量可以做得比較大，適用于對工作環境溫度要求較高（X7R：-55~+125℃）的耦合、旁路和濾波。通常1206的SMD封裝的電容量可以達到10μF或在再高一些；II類的可用級陶瓷介質材料如美國電工協會。福建Y2陶瓷電容器陶瓷電容器
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