a）為表面層陶瓷電容器的一般結構，（b）為其等效電路。在半導體陶瓷表面形表面層陶瓷電容器的結構及其等效電路成表面介質層的方法很多，這里僅作簡單介紹。在BaTiO3導體陶瓷的兩個平行平面上燒滲銀電極，銀電極和半導體陶瓷的接觸介面就會形成極薄的阻擋層。由于Ag是一種電子逸出功較大的金屬，所以在電場作用下，BaTiO3導體陶瓷與Ag電極的接觸介面上就會出現缺乏電子的阻擋層，而阻擋層本身存在著空間電荷極化，即介面極化。這樣半導體陶瓷與Ag電極之間的這種阻擋層就構成了實際上的介質層。這種電容器瓷件，先在大氣氣氛中燒成，然后在還原氣氛中強制還原半導化，再在氧化氣氛中把表面層重新氧化成絕緣性的介質層。再氧化層的厚度應控制適當。若氧化膜太薄，電極和陶瓷間仍可呈現pn結的整流特性，絕緣電阻和耐電強度都得不到改善。隨著厚度的逐漸增加，pn結的整流特性消失，絕緣電阻提高，對直流偏壓的依存性降低。但是，再氧化的時間不宜過長，否則可能導致陶瓷內部重新再氧化而使電容器的容量降低。還原處理的溫度為800～1200℃，再氧化處理的溫度為500～900℃。經還原處理后的陶瓷材料，絕緣電阻率可降至10～103Ω·cm，表面層的電阻率低于內部瓷體的電阻率。現貨供應HJK高壓陶瓷電容器。杭州陶瓷電容器誠信推薦
EIA）標準的Z5U、Y5V以及我國標準的CT系列的低檔產品型號等陶瓷介質（溫度系數為Z5U的+22%，-56%和Y5V的+22%，-82%），這種介質的介電系數隨溫度變化較大，不適用于定時、振蕩等對溫度系數要求高的場合，但由于其介電系數可以做得很大（可以達到1000~12000），因而電容量可以做得比更大，適用于一般工作環境溫度要求（-25~+85℃）的耦合、旁路和濾波。通常1206表面貼裝Z5U、Y5V介質電容器量甚至可以達到100μF，在某種意義上是取代鉭電解電容器的有力競爭對手。陶瓷電容器的溫度特性應用陶瓷電容器首先要注意的就是其溫度特性；不同材料的陶瓷介質，其溫度特性有極大的差異。第yi類陶瓷介質電容器的溫度性質根據美國標準EIA-198-D，在用字母或數字表示陶瓷電容器的溫度性質有三部分：第yi部分為（例如字母C）溫度系數α的有效數字；第二位部分有效數字的倍乘（如0即為100）；第三部分為隨溫度變化的容差（以ppm/℃表示）。這三部分的字母與數字所表達的意義如表。例如，C0G（有時也稱為NP0）表示為：第yi位字母C為溫度系數的有效數字為0，第二位數字0為有效溫度系數的倍乘為100=1，第三位字母G為隨溫度變化的容差為±30ppm/℃，即0±30ppm/℃。南陽高壓陶瓷電容器陶瓷電容器海視達供應安規電容器廠家,安規電容器定制。
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高壓瓷片電容器的絕緣電阻高壓瓷片電容器的絕緣電阻取決于介質材料配方、工藝過程（燒結）和測量時的溫度。所有介質的絕緣電阻都會隨溫度的提高而下降，在低溫（-55℃）到高溫（125℃）的MIL溫度特性范圍內可以觀察到一個非常大的下降過程。測量瓷片電容器絕緣電阻的時需要重點考慮絕緣電阻與電容量的關系。電容量值與絕緣電阻成反比，即電容量越高，絕緣電阻越低。這是因為電容量與漏電流大小是相互成正比的，可以用歐姆定律和比體積電容關系加以說明。歐姆定律表述了導體中電流（I），電壓（V）和電阻（R）之間的關系：I=V/R但是，電阻（R）是一個與尺寸有關的物理量，也與材料本征的電阻率有關，如下所示：R=ρL/A這里L=導體長度A=導體橫截面積。因此電流（I）可以表示為：I=VA/ρL高壓瓷片電容器中通過絕緣體的漏電流（i）也可用上述關系式表示：I=VA’/ρt，這里V=測試電壓A’=有效電極面積ρ=介質電阻率t=介質層厚度從上面關系式可以看到，對于給定的測試電壓，漏電流大小正比于電容器有效電極面積，反比于介質層厚度（和電阻率），即：i∝A’/t類似地，電容量（C）正比于有效電極面積，反比于介質層厚度，即：C=KA’/。選擇蘇州海視達電子科技有限公司，選擇較高質量陶瓷電容器產品。
它配接在主電路的輸出電路中，其旁效果比較好。這種電容的電容量一般為220~3300pF，耐壓范圍視電路作用而定，一般為500V~。4.濾除噪聲。開關電源的輸入回路常接有交流電路濾波器，它的作用是濾除外部噪聲的進入與內部噪聲的傳出，這種濾除噪聲的電容都用陶瓷電容。接在電源進線的電容，抑zhi噪聲的頻率較低，所需的電容量較大，耐壓為275V，稱它為X電容。二、陶瓷電容的特點：1）結構簡單，加工生產工藝要求不高，原料豐富，價格便宜。2）電容的絕緣性能強，絕緣電阻大，可制成耐壓很高的電容，能耐壓高達2kV。3）具有良好的耐熱性，在耐高溫的特點，可在高達500~600℃的條件下正常穩定工作。4）溫度系數范圍很寬，可以生產出不同溫度系數的電容，以適用于不同的場合。5）陶瓷電容還有耐酸、耐堿、耐鹽的特點，若受水的侵蝕，也能長期正常地工作，不易老化。6）陶瓷材料的介電系數很大，一般從幾十皮法到數百皮法，有的介電系數高達幾千皮法，這使得瓷介電容器的體積可以做得很小，如果采用多疊層的方式，電容器的容量可擴展很大。7）陶瓷電容的瓷介質材料不可以卷曲，電容器本身不帶電感性，這樣生產出來的陶瓷電容高頻特性較高。現貨供應HM安規陶瓷電容器。石家莊Y1陶瓷電容器陶瓷電容器
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因此也稱鐵電陶瓷電容器。這類電容器的比電容大，電容量隨溫度呈非線性變化，損耗較大，常在電子設備中用于旁路、耦合或用于其它對損耗和電容量穩定性要求不高的電路中。Ⅰ類陶瓷電容器按美國電工協會（EIA）標準為C0G（是數字0，不是字母O，有些文獻筆誤為COG）或NP0（是數字0，不是字母O，有些文獻筆誤為NPO）以及我國標準的CC系列等型號的陶瓷介質（溫度系數為0±30PPM/℃），這種介質極其穩定，溫度系數極低，而且不會出現老化現象，損耗因數不受電壓、頻率、溫度和時間的影響，介電系數可以達到400，介電強度相對高。這種介質非常適用于高頻（特別是工業高頻感應加熱的高頻功率振蕩、高頻無線發射等應用的高頻功率電容器）、超高頻和對電容量、穩定性有嚴格要求定時、振蕩電路的工作環境，這種介質電容器wei一的缺點是電容量不能做得很大（由于介電系數相對小），通常1206表面貼裝C0G介質電容器的電容量從μF。Ⅱ類陶瓷電容器Ⅱ類的穩定級陶瓷介質材料如美國電工協會（EIA）標準的X7R、X5R以及我國標準的CT系列等型號的陶瓷介質（溫度系數為±），這種介質的介電系數隨溫度變化較大，不適用于定時、振蕩等對溫度系數要求高的場合，但由于其介電系數可以做得很大。杭州陶瓷電容器誠信推薦
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