上海水性光刻膠工廠

來源：發布時間：2025-05-23

“設備-材料-工藝”閉環驗證

吉田半導體與中芯國際、華虹半導體等晶圓廠建立了聯合研發機制，針對28nm及以上成熟制程開發專門使用光刻膠，例如其KrF光刻膠已通過中芯國際北京廠的產線驗證，良率達95%以上。此外，公司參與國家重大專項（如02專項），與中科院微電子所合作開發EUV光刻膠基礎材料，雖未實現量產，但在酸擴散控制和靈敏度優化方面取得階段性突破。

政策支持與成本優勢

作為廣東省專精特新企業，吉田半導體享受稅收優惠（如15%企業所得稅）和研發補貼（2023年獲得國家補助超2000萬元），比較明顯降低產品研發成本。同時，其本地化生產（東莞松山湖基地）可將物流成本壓縮至進口產品的1/3，并實現48小時緊急訂單響應，這對中小客戶具有吸引力。

吉田質量管控與認證壁壘。上海水性光刻膠工廠

光刻膠的工作原理：

1. 涂覆與曝光：在基底（如硅片、玻璃、聚合物）表面均勻涂覆光刻膠，通過掩膜（或直接電子束掃描）對特定區域曝光。

2. 化學變化：曝光區域的光刻膠發生光化學反應（正性膠曝光后溶解，負性膠曝光后交聯不溶）。

3. 顯影與刻蝕：溶解未反應的部分，留下圖案化的膠層，作為后續刻蝕或沉積的掩模，將圖案轉移到基底上。

在納米技術中，關鍵挑戰是突破光的衍射極限（λ/2），因此需依賴高能束曝光技術（如電子束光刻、極紫外EUV光刻）和高性能光刻膠（高分辨率、低缺陷）。

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國家大基金三期：注冊資本3440億元，明確將光刻膠列為重點投資領域，計劃投入超500億元支持樹脂、光引發劑等原料研發，相當于前兩期投入總和的3倍。

地方專項政策：湖北省對通過驗證的光刻膠企業給予設備采購補貼+稅收減免，武漢太紫微憑借全流程國產化技術獲中芯國際百萬級訂單；福建省提出2030年化工新材料自給率達90%，光刻膠是重點突破方向。

研發專項：科技部“雙十計劃”設立20億元經費，要求2025年KrF/ArF光刻膠國產化率突破10%，并啟動EUV光刻膠預研。

公司遵循國際質量管理標準，通過 ISO9001:2008 認證，并在生產過程中執行 8S 現場管理，從原料入庫到成品出庫實現全流程監控。以錫膏產品為例，其無鹵無鉛配方符合環保要求，同時具備低飛濺、高潤濕性等特點，適用于電子產品組裝。此外，公司建立了行業標準化實驗室，配備先進檢測設備，確保產品性能達到國際同類水平。

憑借多年研發積累，公司形成了覆蓋光刻膠、焊接材料、電子膠等領域的豐富產品線。在焊接材料方面，不僅提供常規錫膏、助焊膏，還針對特殊場景開發了 BGA 助焊膏、針筒錫膏等定制化產品，滿足精密電子組裝的多樣化需求。同時，感光膠系列產品分為水性與油性兩類，兼具耐潮性與易操作性，廣泛應用于印刷電路板制造。

厚板光刻膠 JT-3001，抗深蝕刻，PCB 電路板制造Preferred!

吉田半導體的光刻膠產品覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等領域，通過差異化技術（如納米壓印、厚膜工藝）和環保特性（水性配方），滿足從傳統電子到新興領域（如第三代半導體、Mini LED）的多樣化需求。其產品不僅支持高精度、高可靠性的制造工藝，還通過材料創新推動行業向綠色化、低成本化方向發展。吉田半導體光刻膠的優勢在于技術全面性、環保創新、質量穩定性及本土化服務，尤其在納米壓印、厚膜工藝及水性膠領域形成差異化競爭力。

光刻膠的關鍵應用領域。煙臺紫外光刻膠感光膠

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光伏電池（半導體級延伸）

? HJT/TOPCon電池：在硅片表面圖形化金屬電極，使用高靈敏度光刻膠（曝光能量≤50mJ/cm2），線寬≤20μm，降低遮光損失。

? 鈣鈦礦電池：用于電極圖案化和層間隔離，需耐有機溶劑（適應溶液涂布工藝）。

納米壓印技術（下一代光刻）

? 納米壓印光刻膠：通過模具壓印實現10nm級分辨率，用于3D NAND存儲孔陣列（直徑≤20nm）、量子點顯示陣列等。

微流控與生物醫療

? 微流控芯片：制造微米級流道（寬度10-100μm），材料需生物相容性（如PDMS基材適配）。

? 生物檢測芯片：通過光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點，精度≤5μm。

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標簽：光刻膠錫片

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