主要優勢:細分領域技術突破與產業鏈協同
技術積累與自主化能力
公司擁有23年光刻膠研發經驗,實現了從樹脂合成、光引發劑制備到配方優化的全流程自主化。例如,其納米壓印光刻膠通過自主開發的樹脂體系,分辨率達3μm,適用于MEMS傳感器、光學器件等領域,填補了國內空白。
技術壁壘:掌握光刻膠主要原材料(如樹脂、光酸)的合成技術,部分原材料純度達PPT級,金屬離子含量低于0.1ppb,良率超99%。
產品多元化與技術化布局
產品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導體錫膏等,形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如:
? LCD光刻膠:適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術,與京東方、TCL華星合作開發高分辨率產品,良率提升至98%。
? 半導體錫膏:供應華為、OPPO等企業,年采購量超200噸,用于5G手機主板封裝。
技術化延伸:計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發,目標進入中芯國際、長江存儲供應鏈。
質量控制與生產能力
通過ISO9001:2008質量體系認證,生產環境執行8S管理,原材料采用美、德、日進口高質量材料。擁有全自動化生產線,年產能達2000噸(光刻膠及配套材料),支持大規模訂單交付。
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廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,各有特性與優勢,適用于不同領域。
厚板光刻膠 JT - 3006:具有優異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標準,保質期 1 年。需保存在干燥區域并密封,使用前要閱讀參考技術資料。適用于厚板的光刻加工,在對精度、感光度和抗蝕刻要求高的生產場景中發揮作用,如特定的電路板制造領域。
水油光刻膠 SR - 3303:適用于光學儀器、太陽能電池等領域的光刻工藝。品質保障、性能穩定的特點,由工廠研發且支持定制,工廠直銷。
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技術優勢:23年研發沉淀與細分領域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發中實現了從樹脂合成、光引發劑制備到配方優化的全流程自主化。例如,其納米壓印光刻膠通過自主開發的樹脂體系,實現了3μm的分辨率,適用于MEMS傳感器、光學器件等領域。
技術壁壘:公司擁有23年光刻膠研發經驗,掌握光刻膠主要原材料(如樹脂、光酸)的合成技術,部分原材料純度達PPT級。
細分領域技術先進
? 納米壓印光刻膠:在納米級圖案化領域(如量子點顯示、生物芯片)實現技術突破,分辨率達3μm,填補國內空缺。
? LCD光刻膠:針對顯示面板行業需求,開發出高感光度、高對比度的光刻膠,適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術。
研發投入與合作
公司2018年獲高新技術性企業認證,與新材料領域同伴們合作開發半導體光刻膠,計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發。
國家大基金三期:注冊資本3440億元,明確將光刻膠列為重點投資領域,計劃投入超500億元支持樹脂、光引發劑等原料研發,相當于前兩期投入總和的3倍。
地方專項政策:湖北省對通過驗證的光刻膠企業給予設備采購補貼+稅收減免,武漢太紫微憑借全流程國產化技術獲中芯國際百萬級訂單;福建省提出2030年化工新材料自給率達90%,光刻膠是重點突破方向。
研發專項:科技部“雙十計劃”設立20億元經費,要求2025年KrF/ArF光刻膠國產化率突破10%,并啟動EUV光刻膠預研。
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客戶認證:從實驗室到產線的漫長“闖關”
驗證周期與試錯成本
半導體光刻膠需經歷PRS(性能測試)、STR(小試)、MSTR(中批量驗證)等階段,周期長達2-3年。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗證,直至2025年才通過客戶50nm閃存平臺認證。試錯成本極高,單次晶圓測試費用超百萬元,且客戶為維持產線穩定,通常不愿更換供應商。
設備與工藝的協同難題
光刻膠需與光刻機、涂膠顯影機等設備高度匹配。國內企業因缺乏ASML EUV光刻機測試資源,只能依賴二手設備或與晶圓廠合作驗證,導致研發效率低下。例如,華中科技大學團隊開發的EUV光刻膠因無法接入ASML原型機測試,性能參數難以對標國際。
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國際標準與客戶認證
公司通過ISO9001、ISO14001等認證,并嚴格執行8S現場管理,生產環境潔凈度達Class 10級。其光刻膠產品已通過京東方、TCL華星的供應商認證,在顯示面板領域的市占率約5%,成為本土企業中少數能與日本JSR、德國默克競爭的廠商。
全流程可追溯體系
吉田半導體建立了從原材料入庫到成品出庫的全流程追溯系統,關鍵批次數據(如樹脂分子量分布、光敏劑純度)實時上傳云端,確保產品一致性和可追溯性。這一體系使其在車規級芯片等對可靠性要求極高的領域獲得突破,2023年車用光刻膠銷售額同比增長120%。
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