廣州LCD光刻膠感光膠

來源： 發布時間：2025-05-25

定義與特性

負性光刻膠是一種在曝光后，未曝光區域會溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比，其主要特點是耐蝕刻性強、工藝簡單、成本低，但分辨率較低（通常≥1μm），主要應用于對精度要求相對較低、需要厚膠或高耐腐蝕性的場景。

化學組成與工作原理

 主要成分

 基體樹脂：

? 早期以聚異戊二烯橡膠（天然或合成）為主，目前常用環化橡膠（Cyclized Rubber）或聚乙烯醇肉桂酸酯，提供膠膜的機械強度和耐蝕刻性。

 光敏劑：

? 主要為雙疊氮化合物（如雙疊氮芪）或重氮醌類衍生物，占比約5%-10%，吸收紫外光后引發交聯反應。

 交聯劑：

? 如六亞甲基四胺（烏洛托品），在曝光后與樹脂發生交聯，形成不溶性網狀結構。

 溶劑：

? 多為有機溶劑（如二甲苯、環己酮），溶解樹脂和光敏劑，涂布后揮發形成均勻膠膜。

 工作原理

 曝光前：光敏劑和交聯劑均勻分散在樹脂中，膠膜可溶于顯影液（有機溶劑）。

 曝光時：

? 光敏劑吸收紫外光（G線436nm為主）后產生活性自由基，引發交聯劑與樹脂分子間的共價鍵交聯，使曝光區域形成不溶于顯影液的三維網狀結構。

 顯影后：

? 未曝光區域的樹脂因未交聯，被顯影液溶解去除，曝光區域保留，形成負性圖案（與掩膜版相反）。
吉田半導體實現光刻膠技術突破，為半導體產業鏈自主化提供材料支撐。廣州LCD光刻膠感光膠

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技術趨勢與挑戰

 半導體先進制程：

? EUV光刻膠需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷數＜10個），開發低粗糙度（≤5nm）材料；

? 極紫外吸收問題：膠膜對13.5nm光吸收率高，需厚度控制在50-100nm，挑戰化學增幅體系的靈敏度。

 環保與低成本：

? 水性負性膠替代溶劑型膠（如PCB阻焊膠），減少VOC排放；

? 單層膠工藝替代多層膠，簡化流程（如MEMS厚膠的一次性涂布）。

 新興領域拓展：

? 柔性電子：開發耐彎曲（曲率半徑＜5mm）、低模量感光膠，用于可穿戴設備電路；

? 光子芯片：高折射率膠（n＞1.8）制作光波導，需低傳輸損耗（＜0.1dB/cm）。

典型產品與廠商

? 半導體正性膠：

? 日本信越（Shin-Etsu）的ArF膠（分辨率22nm，用于12nm制程）；

? 美國陶氏（Dow）的EUV膠（靈敏度10mJ/cm2，缺陷密度＜5個/cm2）。

? PCB負性膠：

? 中國容大感光（LP系列）：耐堿性蝕刻，厚度20-50μm，國產化率超60%；

? 日本東京應化（TOK）的THMR-V：全球PCB膠市占率30%，適用于高可靠性汽車板。

? MEMS厚膠：

? 美國陶氏的SU-8：實驗室常用，厚度5-200μm，分辨率1μm（需優化交聯均勻性）；

? 德國Microresist的MR膠：耐深硅蝕刻，線寬精度±2%，用于工業級MEMS制造。

常州網版光刻膠廠家嚴苛光刻膠標準品質，吉田半導體綠色制造創新趨勢。

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廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求。

厚板光刻膠：JT-3001 型號，具有優異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標準，保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝，如特定電路板制造。

負性光刻膠

  • SU-3 負性光刻膠：分辨率優異，對比度良好，曝光靈敏度高，光源適應，重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。
  • 負性光刻膠 JT-1000：有 1L 和 100g 兩種規格，具有優異的分辨率、良好的對比度和高曝光靈敏度，光源適應。主要應用于對光刻精度要求高的領域，如半導體器件制造。
  • 耐腐蝕負性光刻膠 JT-NF100：重量 1L，具備耐腐蝕特性。適用于有腐蝕風險的光刻工藝，如特殊環境下的半導體加工或電路板制造。


生產設備與工藝：從設計到制造的“木桶效應”

 前端設備的進口依賴
光刻膠生產所需的超臨界流體萃取設備、納米砂磨機等關鍵裝備被德國耐馳、日本光洋等企業壟斷。國內企業如拓帕實業雖推出砂磨機產品，但在研磨精度（如納米級顆粒分散）上仍落后于國際水平。

 工藝集成的系統性短板
光刻膠生產涉及精密混合、過濾、包裝等環節，需全流程數字化控制。國內企業因缺乏MES（制造執行系統）等智能管理工具，導致批次一致性波動。例如，鼎龍股份潛江工廠的KrF光刻膠產線雖實現自動化，但工藝參數波動仍較日本同類產線高約10%。

半導體光刻膠：技術領域取得里程碑。

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光刻膠（Photoresist）是一種對光敏感的高分子材料，主要用于光刻工藝中，通過光化學反應實現圖案的轉移，是半導體、集成電路（IC）、印刷電路板（PCB）、液晶顯示（LCD）等制造領域的材料之一。

光刻膠特性與組成

? 光敏性：在特定波長（如紫外光、極紫外光EUV等）照射下，會發生化學結構變化（如交聯或分解），從而改變在顯影液中的溶解性。

? 主要成分：

? 樹脂（成膜劑）：形成基礎膜層，決定光刻膠的機械和化學性能。

? 光敏劑：吸收光能并引發化學反應（如光分解、光交聯）。

? 溶劑：調節粘度，便于涂覆成膜。

? 添加劑：改善性能（如感光度、分辨率、對比度等）。
吉田半導體公司基本概況。江西阻焊光刻膠廠家

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納米壓印光刻膠


  • 微納光學器件制造：制作衍射光學元件、微透鏡陣列等微納光學器件時，納米壓印光刻膠可實現高精度的微納結構復制。通過納米壓印技術，將模板上的微納圖案轉移到光刻膠上，再經過后續處理，可制造出具有特定光學性能的微納光學器件，應用于光通信、光學成像等領域。
  • 生物芯片制造：在 DNA 芯片、蛋白質芯片等生物芯片的制造中，需要在芯片表面構建高精度的微納結構，用于生物分子的固定和檢測。納米壓印光刻膠可幫助實現這些精細結構的制作，提高生物芯片的檢測靈敏度和準確性。


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