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來源: 發布時間:2025-06-28

應用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見,雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。***象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時,我們稱為正向電壓,并用符號U21表示。當這個電壓逐漸增加到等于轉折電壓UBO時,圖3(b)左邊的可控硅就觸發導通,這時的通態電流為I21,方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到,觸發電流越大,轉折電壓就越低,這種情形和普通可控硅的觸發導通規律是一致的, 當加到主電極上的電壓使Tl對T2的極性為正時,叫做反向電壓,并用符號U12表示。當這個電壓達到轉折電壓值時,圖3(b)觸發導通,這時的電流為I12,其方向是從T1到T2。這時雙向可控硅的特性曲線,如圖4中第三象限所示。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。蘇州新型可控硅模塊推薦廠家

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2、性能的差別:將旋鈕撥至R×1擋,對于1~6A單向可控硅,紅筆接K極,黑筆同時接通G、A極,在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極,指針應指示幾十歐至一百歐,此時可控硅已被觸發,且觸發電壓低(或觸發電流小)。然后瞬時斷開A極再接通,指針應退回∞位置,則表明可控硅良好。?對于1~6A雙向可控硅,紅筆接T1極,黑筆同時接G、T2極,在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極,指針應指示為幾十至一百多歐(視可控硅電流大小、廠家不同而異)。然后將兩筆對調,重復上述步驟測一次,指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,則表明可控硅良好,且觸發電壓(或電流)小。?蘇州智能可控硅模塊報價它只有導通和關斷兩種狀態。

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若欲使可控硅關斷,也有兩個關斷條件:1) 使正向導通電流值小于其工作維持電流值;2) 使 A、K 之間電壓反向。可見,可控硅器件若用于直流電路,一旦為觸發信號開通,并保持一定幅度的流通電流 的話,則可控硅會一直保持開通狀態。除非將電源開斷一次,才能使其關斷。若用于交流電 路,則在其承受正向電壓期間,若接受一個觸發信號,則一直保持導通,直到電壓過零點到 來,因無流通電流而自行關斷。在承受反向電壓期間,即使送入觸發信號,可控硅也因 A、 K 間電壓反向,而保持于截止狀態。 可控硅器件因工藝上的離散性,其觸發電壓、觸發電流值和導通壓降,很難有統一的標準。可控硅器件控制本質上如同三極管一樣,為電流控制器件。功率越大,所需觸發電流也 越大。

1、高壓晶閘管  2、用于未來能量轉換中的igbt和快速開關二極管  3、采用超級結技術的超高速開關器件  4、應用于高功率電源的sic元件功率電子模塊的集成度  半導體模塊之間的差異,不僅*體現在連接技術方面。另一個差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據集成度不同,可分為以下幾類:標準模塊,智能功率模塊(ipm),(集成)子系統。在ipm被***使用(尤其在亞洲地區)的同時,集成子系統的使用只剛剛起步。  在規定環境溫度和散熱條件下,允許通過陰極和陽極的電流平均值。

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可控硅質量好壞的判別可以從四個方面進行。***是三個PN結應完好;第二是當陰極和陽極間電壓反向連接時能夠阻斷,不導通;第三是當控制極開路時,陽極和陰極間的電壓正向連接時也不導通;第四是給控制極加上正向電流,給陰極和陽極加正向電壓時,可控硅應當導通,把控制極電流去掉,仍處于導通狀態。用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻,就可對**個方面的好壞進行判斷。具體方法是:用R×1k或R×10k擋測陰極和陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),此兩個阻值均應很大。電阻值越大,表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低,或近于無窮大,說明可控硅已經擊穿短路或已經開路,此可控硅不能使用了。過零觸發-一般是調功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發,必須是過零點才觸發,導通可控硅。工業園區智能可控硅模塊量大從優

常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。蘇州新型可控硅模塊推薦廠家

從控制原理上可等效為一只 PNP 三極管和一只 NPN 三極管的連接電路, 兩管的基極電 流和集電極電流互為通路,具有強烈的正反反饋作用。一旦從 G、K 回路輸入 NPN 管子的 基極電流,由于正反饋作用,兩管將迅即進入飽合導通狀態。可控硅導通之后,它的導通狀 態完全依靠管子本身的正反饋作用來維持,即使控制電流(電壓)消失,可控硅仍處于導通 狀態。控制信號 UGK 的作用**是觸發可控硅使其導通,導通之后,控制信號便失去控制 作用。單向可控硅的導通需要兩個條件:1) A、K 之間加正向電壓;2) G、K 之間輸入一個正向觸發電流信號,無論是直流或脈沖信號。蘇州新型可控硅模塊推薦廠家

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