金山區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-06-29

驅(qū)動(dòng),計(jì)算機(jī)軟件術(shù)語(yǔ),是指驅(qū)使計(jì)算機(jī)里硬件動(dòng)作的軟件程序。驅(qū)動(dòng)程序全稱設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序,是添加到操作系統(tǒng)中的特殊程序,其中包含有關(guān)硬件設(shè)備的信息。此信息能夠使計(jì)算機(jī)與相應(yīng)的設(shè)備進(jìn)行通信。驅(qū)動(dòng)程序是硬件廠商根據(jù)操作系統(tǒng)編寫的配置文件,可以說(shuō)沒有驅(qū)動(dòng)程序,計(jì)算機(jī)中的硬件就無(wú)法工作。驅(qū)動(dòng)程序全稱設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序,是添加到操作系統(tǒng)中的特殊程序,其中包含有關(guān)硬件設(shè)備的信息。此信息能夠使計(jì)算機(jī)與相應(yīng)的設(shè)備進(jìn)行通信。驅(qū)動(dòng)程序是硬件廠商根據(jù)操作系統(tǒng)編寫的配置文件,可以說(shuō)沒有驅(qū)動(dòng)程序,計(jì)算機(jī)中的硬件就無(wú)法工作。操作系統(tǒng)不同,硬件的驅(qū)動(dòng)程序也不同,各個(gè)硬件廠商為了保證硬件的兼容性及增強(qiáng)硬件的功能會(huì)不斷地升級(jí)驅(qū)動(dòng)程序。MOSFET驅(qū)動(dòng):MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源,其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間。金山區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

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優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路對(duì)變換器性能的影響驅(qū)動(dòng)電路1.提高系統(tǒng)可靠性2.提高變換效率(開關(guān)器件開關(guān)、導(dǎo)通損耗)3.減小開關(guān)器件應(yīng)力(開/關(guān)過程中)4.降低EMI/EMC驅(qū)動(dòng)電路為什么要采取隔離措施安規(guī)問題,驅(qū)動(dòng)電路副邊與主電路有耦合關(guān)系,而驅(qū)動(dòng)原邊是與控制電路連在一起, 主電路是一次電路,控制電路是ELV電路, 一次電路和ELV電路之間要做加強(qiáng)絕緣,實(shí)現(xiàn)絕緣要求一般就采取變壓器光耦等隔離措施。驅(qū)動(dòng)電路采取隔離措施的條件需要隔離控制參考地與驅(qū)動(dòng)信號(hào)參考地(e極) 同—驅(qū)動(dòng)電路無(wú)需隔離;無(wú)需隔離控制參考地與驅(qū)動(dòng)信號(hào)參考地(e極)不同—驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)隔離。崇明區(qū)挑選驅(qū)動(dòng)電路哪家好這些開關(guān)器件的開通和關(guān)斷狀態(tài)決定了主電路中的電流流向和大小,從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)電子設(shè)備的精確控制。

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在安裝驅(qū)動(dòng)程序時(shí),Windows一般要把.inf文件拷貝一份到“Win-dows\Inf”或“Windows\Inf\Other”目錄下,以備將來(lái)使用。Inf目錄下除了有.inf文件外,還有兩個(gè)特殊文件D和D,以及一些.pnf文件,它們都是Windows為了加快處理速度而自動(dòng)生成的二進(jìn)制文件。D和D記錄了inf文件描述的所有硬件設(shè)備,也許朋友們會(huì)有印象:當(dāng)我們?cè)诎惭b某些設(shè)備時(shí),經(jīng)常會(huì)看到一個(gè)“創(chuàng)建驅(qū)動(dòng)程序信息庫(kù)”的窗口,此時(shí)Windows便正在生成這兩個(gè)二進(jìn)制文件。

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ,其中:F 為工作頻率;U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值;Q 為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。例如,常見IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,負(fù)電壓-9V,則U=24V,假設(shè) F=10KHz,Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ,柵極電阻應(yīng)選取2W電阻,或2個(gè)1W電阻并聯(lián)。三、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,具體的措施有:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ,其中:F 為工作頻率;U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值;Q 為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。例如,常見IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,負(fù)電壓-9V,則U=24V,假設(shè) F=10KHz,Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ,柵極電阻應(yīng)選取2W電阻,或2個(gè)1W電阻并聯(lián)。三、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,具體的措施有:保護(hù)措施:設(shè)計(jì)過流、過壓、過熱等保護(hù)電路,以確保系統(tǒng)的安全性和可靠性。

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由于門極的測(cè)量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓,在實(shí)際開關(guān)中存在的米勒效應(yīng)(Miller 效應(yīng))在測(cè)量中也沒有被包括在內(nèi),在實(shí)際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 值大很多。因此,在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies值在實(shí)際應(yīng)用中**只能作為一個(gè)參考值使用。確定IGBT 的門極電荷對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來(lái)說(shuō),**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時(shí)的IGBT 門極總電荷),如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中能夠找到這個(gè)參數(shù),那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出:門極驅(qū)動(dòng)能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]驅(qū)動(dòng)電路的工作原理涉及信號(hào)的放大、轉(zhuǎn)換和傳輸。金山區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

物理意義:指推動(dòng)或驅(qū)使某物運(yùn)動(dòng)的力量或機(jī)制。例如,汽車的發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)汽車前進(jìn)。金山區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

門極驅(qū)動(dòng)功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動(dòng)器總功率 P = PG + PS(驅(qū)動(dòng)器的功耗)平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關(guān)頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG internfsw max. : 比較高開關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時(shí)的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實(shí)際上在很多情況下,數(shù)據(jù)手冊(cè)中這個(gè)門極電荷參數(shù)沒有給出,門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述。這時(shí)候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -金山區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

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