這個話題的起因，是神八兄送了我幾個大電流IGBT模塊，有150A的，也有300A的，據說功率分別可以做到10KW和20KW以上，也是擋不住的誘惑，決定來試一試。但首先必須做一塊能驅動這些大家伙的驅動電路板。經和神八兄多次商量后，決定還是用EG8010芯片，理由是：這款SPWM芯片價格便宜，功能很多，性能比較好，特別穩壓特性很好。但是，用8010來驅動IGBT模塊，也有二個問題需要解決：***個問題：8010的**大死區時間只有，而這些大模塊，因為輸入電容比較大，需要有比較大的死區時間，有時可能要放大到3US以上，才能安全工作。為了解決這個問題，我把8010的輸出接法做了較大的改進，先把8010輸出的4路用與門合并成2路，做成象張工的22851093這樣的時序，再把二路SPWM分成4路，用與非門做成硬件死區電路，這樣，死區時間就不受8010內建死區的限止了，可以隨意做到幾US。這樣的接法，還有一個**的好處，就是H橋的4個管子功耗是平均的，不會出現半橋熱半橋冷的現象。第二個問題：因為IGBT模塊的工作頻率都比較低，一般要求在20K以下，但8010的載波頻率比較高，神八兄經過實險和計算，決定用下面方式來解決，把原先8010用的12M晶振，改為10M晶振，這樣，載頻就降到。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關電源、斬波電源、無軌電車等。浙江模塊智能系統
不需要具體計算IAT、IG之值，只要讀出二者所對應的表針正向偏轉格數，即可迅速估測關斷增益值。晶體閘流管注意事項編輯（1）在檢查大功率GTO器件時，建議在R×1檔外邊串聯一節′，以提高測試電壓和測試電流，使GTO可靠地導通。（2）要準確測量GTO的關斷增益βoff，必須有**測試設備。但在業余條件下可用上述方法進行估測。由于測試條件不同，測量結果*供參考，或作為相對比較的依據。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向導通晶閘管。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯一只二極管，使陽極與陰極的發射結均呈短路狀態。由于這種特殊電路結構，使之具有耐高壓、耐高溫、關斷時間短、通態電壓低等優良性能。例如，逆導晶閘管的關斷時間*幾微秒，工作頻率達幾十千赫，優于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開關電源、UPS不間斷電源中，一只RCT即可代替晶閘管和續流二極管各一只，不*使用方便，而且能簡化電路設計。逆導晶閘管的符號、等效電路如圖1(a)、(b)所示。其伏安特性見圖2。由圖顯見，逆導晶閘管的伏安特性具有不對稱性，正向特性與普通晶閘管SCR相同，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（*坐標位置不同）。哪里有模塊批發價雖然IGBT聽著**，但基本上用電的地方都有IGBT的身影。
這要由具體的應用和所使用的功率管決定。比較大柵極充電電流是±15A,充電電流由外接的柵極電阻限定。如果將25腳G通過電阻直接與IGBT:G相連,IGBT的驅動波形上升沿較大,但IGBT導通后上升較快,如圖2所示;圖2IGD515EI輸出端不加MOS管時IGBT的驅動波形(-14V~+12V,5V/p,5μs/p)如果在25腳與IGBT:G中間串入一只MOS管,進行電流放大,可有效地減小IGBT驅動波形的上升沿,縮短IGBT的導通過程,減小IGBT離散性造成的導通不一致性,減小動態均壓電路的壓力,但IGBT導通后上升較慢,其波形如圖3所示。圖3IGD515EI輸出端加MOS管時IGBT的驅動波形(-14V~+12V,5V/p,5μs/p)(1)響應時間電容和中斷時間電容選擇功率管,特別是IGBT的導通需要幾個微秒,因此功率管導通后要延遲一段時間才能對其管壓降進行監測,以確定IGBT是否過流,這個延遲即為“響應時間”。響應時間電容CME的作用是和內部Ω上拉電阻構成數微秒級的延時ta,CME的計算方法如下:在IGBT導通以后,通過IGD515EI內部的檢測電路對19腳的檢測電壓(IGBT的導通壓降)進行檢測。若導通壓降高于設定的門限,則認為IGBT處于過流工作狀態,由IGD515EI的35腳送出IGBT過流故障信號,經光纖送給控制電路,將驅動信號***一小段時間。這段時間為截止時間tb。
1被廣泛應用于工業行業中，對于一些專業的電力技術人員，都知道的來歷及各種分類。不過現在從事這一行的人越來越多，有的采購人員對這方面還不是很了解。有的客戶也經常問起我們模塊的來歷。現在就為大家分享一下：2晶閘管誕生后，其結構的改進和工藝的**，為新器件的不斷出現提供了條件。1964年，雙向晶閘管在GE公司開發成功，應用于調光和馬達控制；1965年，小功率光觸發晶閘管出現，為其后出現的光耦合器打下了基礎；60年代后期，大功率逆變晶閘管問世，成為當時逆變電路的基本元件；1974年，逆導晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。3普通晶閘廣泛應用于交直流調速、調光、調溫等低頻(400Hz以下)領域，運用由它所構成的電路對電網進行控制和變換是一種簡便而經濟的辦法。不過，這種裝置的運行會產生波形畸變和降低功率因數、影響電網的質量。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A。雙向晶閘可視為一對反并聯的普通晶閘管的集成，常用于交流調壓和調功電路中。正、負脈沖都可觸發導通，因而其控制電路比較簡單。其缺點是換向能力差、觸發靈敏度低、關斷時間較長，其水平已超過2000V/500A。4光控晶閘是通過光信號控制晶閘管觸發導通的器件。IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）模塊是一種常見的功率半導體器。
二極管算是半導體家族中的元老了，早在***次世界大戰末期就已出現晶體檢波器，從1930年開始，半導體整流器開始投入市場。二極管模塊分為：快恢復二極管模塊，肖特基二極管模塊，整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。而二極管和二極管模塊主要區別是功率、速度和封裝不同。二級管一般指電流、電壓、功率比較小的單管，一般電流在幾個安培以內，電壓比較高1000多V，但是反向恢復素很快，只有幾個ns至幾十個ns，用在小功率開關電源做輸出整流，或需要頻繁開關的場合，其封裝一般是塑封、玻璃封裝、陶瓷封裝等。二極管模塊指封裝成模塊的二極管，功率較大，幾十、幾百安培，主要用于整流，在大功率設備上使用，如電焊機等，反向恢復時間很快，但比二極管慢，一般在幾十個ns至幾百個ns之間。那二極管模塊應如何選型呢？1、快恢復二極管模塊快恢復二極管是一種能快速從通態轉變到關態的特殊晶體器件。導通時相當于開關閉合（電路接通），截止時相當于開關打開（電路切斷）。特性是開關速度快，快恢復二極管能夠在導通和截止之間快速轉化提高器件的使用頻率和改善波形。快恢復二極管模塊分400V快恢復二極管模塊，600V快恢復二極管模塊，1200V快恢復二極管模塊等。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。上海模塊誠信合作
IGBT模塊是由不同的材料層構成，如金屬，陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內部用硅膠。浙江模塊智能系統
數字隔離數字隔離+關注數字隔離技術常用于工業網絡環境的現場總線、***電子系統和航空航天電子設備中，尤其是一些應用環境比較惡劣的場合。數字隔離電路主要用于數字信號和開關量信號的傳輸。另一個重要原因是保護器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細介紹了數字隔離器工作原理及特點，選型及應用，各類數字隔離器件性能比較等內容。硬件工程師硬件工程師+關注硬件工程師HardwareEngineer職位要求熟悉計算機市場行情；制定計算機組裝計劃；能夠選購組裝需要的硬件設備，并能合理配置、安裝計算機和**設備；安裝和配置計算機軟件系統；保養硬件和**設備；清晰描述出現的計算機軟硬件故障。循跡小車循跡小車+關注做單片機的工程師相比都堆循跡小車有所認識，它是自動引導機器人系統的基本應用，那么***小編就給大家介紹下自動自動循跡小車的原理，智能循跡小車的應用，智能循跡小車程序，循跡小車用途等知識吧！MPU6050MPU6050+關注MPU-6000（6050）為全球首例整合性6軸運動處理組件，相較于多組件方案，免除了組合陀螺儀與加速器時間軸之差的問題，減少了大量的封裝空間。K60K60+關注wifi模塊wifi模塊+關注Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯網傳輸層。浙江模塊智能系統