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QRNG芯片的設計與制造面臨著諸多挑戰(zhàn)。在設計方面，需要選擇合適的量子物理機制作為隨機數(shù)生成的基礎，并設計出高效、穩(wěn)定的電路結構。同時，要考...
相位漲落量子隨機數(shù)發(fā)生器芯片利用光場的相位漲落來生成隨機數(shù)。光在傳播過程中，由于各種因素的影響，其相位會發(fā)生隨機變化。芯片通過高精度的干涉儀...
自發(fā)輻射量子隨機數(shù)發(fā)生器芯片利用原子或分子的自發(fā)輻射過程來生成隨機數(shù)。當原子或分子處于激發(fā)態(tài)時，會自發(fā)地向低能態(tài)躍遷，并輻射出一個光子。這個...
自發(fā)輻射QRNG基于原子或量子點的自發(fā)輻射過程來產生隨機數(shù)。當原子或量子點處于激發(fā)態(tài)時，會自發(fā)地向低能態(tài)躍遷，并輻射出一個光子。這個光子的發(fā)...
蘇州凌存科技有限公司（以下簡稱凌存科技）成立于2021年12月，坐落于美麗的陽澄湖畔。公司是基于電壓控制磁性技術開發(fā)不同品類產品的高科技初創(chuàng)公司，并在該領域處于先進的地位。凌存科技取得技術原始、核心專利授權20項，涵蓋材料、器件、工藝與電路等全套技術。此外，公司已申請國家發(fā)明專利15項。目前，凌存科技已經完成涵蓋8英寸和12英寸多種技術節(jié)點的流片，性能指標處于先進地位。 公司擁有一支國際化團隊，成員來自中國大陸，美國，中國臺灣，日本等地。公司研發(fā)人員占比超70%。凌存科技將助力我國突破“卡脖子”技術，旨在開發(fā)出世界上高速度、高容量、低成本和低功耗的第三代磁存儲芯片---電壓控制磁存儲器(MeRAM)芯片，磁性真隨機數(shù)發(fā)生器芯片。
