圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環；5-第二磁環；6-第三磁環；7-環形槽；8-第二環形槽；9-第三環形槽；10-環初級繞組外過孔；11-環初級繞組內過孔；12-環次級繞組內過孔；13-環次級繞組外過孔；14-第二環初級繞組外過孔；15-第二環初級繞組內過孔；16-第二環次級繞組內過孔；17-第二環次級繞組外過孔；18-第三環初級繞組外過孔；19-第三環初級繞組內過孔；20-第三環次級繞組內過孔；21-第三環次級繞組外過孔。具體實施方式下面結 合附圖(圖1-圖2)對本發明進行說明。圖1是實施本發明一種集成電路基板的結構示意圖，圖1表現的...

將磁芯或者說磁環所處的覆銅芯板靠近電路板內側的銅箔蝕刻掉)。所述環形槽中固定有磁環(例如，對應各環形槽的磁環4，第二磁環5，第三磁環6等)。沿所述環形槽的外圈外側設置有若干外過孔(例如，環初級繞組外過孔10，環次級繞組外過13，第二環初級繞組外過14，第二環次級繞組外過孔17，第三環初級繞組外過18，第三環次級繞組外過孔21等)，沿所述環形槽的內圈內側設置有若干內過孔(例如，環次級繞組內過孔11，環次級繞組內過孔12，第二環初級繞組內過孔15，第二環次級繞組內過16，第三環初級繞組內過孔19，第三環次級繞組內過20等)。所述外過孔和內過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術實現精確打孔)。所述若...

根據示例實施例的集成電路以及制造和設計所述集成電路的方法可以通過單元線路結構uws1至uws6來提高集成電路的設計效率和性能。在下文中，參照可以支持根據示例實施例的集成電路的布圖的理解的圖11、圖12a、圖12b和圖12c描述標準單元的示例結構。圖11實質上是示意的，圖11中未示出上述實施例的所有特征。圖2示出在一些實施例中金屬線“ml”相對于柵極線“gl”以6比4的比率出現。 圖5和圖7示出單個單元線路結構(uws)中存在六條金屬線和四條柵極線的實施例。圖8示出在具有八條柵極線(“gl”)的單個單元線路結構(uws)中存在十二條金屬線(“ml”)的實施例。圖11是示出示例標準單元的布圖的示圖...

存儲器陣列內的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應當理解，圖4a至圖4b所示的集成芯片400和414可以實現圖2的存儲器陣列102的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調節訪問裝置內的調節mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實施例中，調節訪問裝置內的調節mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖5a示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路500的一些額外實施例的示意圖，該調節訪問裝置包括具有不同尺寸的調節器件。存儲器電路500包括多個存儲單元502a,1至502c,3，每個存儲單元分別包括被配置為存儲數據的...

在多個底電極通孔正上方形成多個mtj器件。多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調節mtj器件。圖10示出了對應于步驟1306的一些實施例的截面圖1000。在步驟1308中，在多個mtj器件正上方形成多個頂電極通孔。圖11示出了對應于步驟1308的一些實施例的截面圖1100。在步驟1310中，在多個頂電極通孔上方形成具有多個互連結構的第二互連層。多個互連結構限定位線和一條或多條字線。圖11示出了對應于步驟1310的一些實施例的截面圖1100。步驟1302至1310在襯底上方形成存儲單元。在一些實施例中，可以重復步驟1302至1310(如步驟1312所示)以在存儲單元上方形成第二存儲單元。...

將磁芯或者說磁環所處的覆銅芯板靠近電路板內側的銅箔蝕刻掉)。所述環形槽中固定有磁環(例如，對應各環形槽的磁環4，第二磁環5，第三磁環6等)。沿所述環形槽的外圈外側設置有若干外過孔(例如，環初級繞組外過孔10，環次級繞組外過13，第二環初級繞組外過14，第二環次級繞組外過孔17，第三環初級繞組外過18，第三環次級繞組外過孔21等)，沿所述環形槽的內圈內側設置有若干內過孔(例如，環次級繞組內過孔11，環次級繞組內過孔12，第二環初級繞組內過孔15，第二環次級繞組內過16，第三環初級繞組內過孔19，第三環次級繞組內過20等)。所述外過孔和內過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術實現精確打孔)。所述若...

導電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區ac之間的空間并且在導電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導電接觸件ca和cb可以位于有源區ac上的層ly1上。多個導電接觸件ca和cb包括連接到有源區ac的源區/漏區116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導電接觸件c...

存儲介質1100(例如，存儲裝置)可以存儲標準單元庫sclb1110。標準單元庫1110可以從存儲介質1100被提供給設計模塊1400。標準單元庫1110可以包括多個標準單元，并且標準單元可以是用于設計塊、器件和/或芯片的小的(例如，小的)單元。存儲介質1100可以包括用于將命令和/或數據提供給計算機作為計算機可讀存儲介質的任何計算機可讀存儲介質。例如，計算機可讀存儲介質可以包括諸如隨機存取存儲器(ram)、只讀存儲器(rom)等的易失性存儲器，以及諸如閃存、磁阻ram(mram)、相變r am(pram)、電阻式ram(rram)等的非易失性存儲器。計算機可讀存儲介質可以入到計算機中，可以被...

導電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區ac之間的空間并且在導電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導電接觸件ca和cb可以位于有源區ac上的層ly1上。多個導電接觸件ca和cb包括連接到有源區ac的源區/漏區116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導電接觸件c...

將磁芯或者說磁環所處的覆銅芯板靠近電路板內側的銅箔蝕刻掉)。所述環形槽中固定有磁環(例如，對應各環形槽的磁環4，第二磁環5，第三磁環6等)。沿所述環形槽的外圈外側設置有若干外過孔(例如，環初級繞組外過孔10，環次級繞組外過13，第二環初級繞組外過14，第二環次級繞組外過孔17，第三環初級繞組外過18，第三環次級繞組外過孔21等)，沿所述環形槽的內圈內側設置有若干內過孔(例如，環次級繞組內過孔11，環次級繞組內過孔12，第二環初級繞組內過孔15，第二環次級繞組內過16，第三環初級繞組內過孔19，第三環次級繞組內過20等)。所述外過孔和內過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術實現精確打孔)。所述若...

可以通過執行標準單元sc1至sc12的上述布局和布線來確定集成電路300的布圖?？梢酝ㄟ^電力軌311至316向標準單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的第二電源電壓vss的低電力軌312、314和316。例如，電源電壓vdd可以具有正電壓電平，第二電源電壓vss可以具有地電平(例如，0v)或負電壓電平。高電力軌311、313和315以及低電力軌312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成與由布置在第二方向y上的電力軌311至316定義的區域對應的多個電路行...

本實用新型涉及集成電路芯片技術領域，尤其涉及一種組合式集成電路芯片。背景技術：集成電路是一種微型電子器件或部件，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步，而集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環、一接地環及至少一防護環的電子元件，其電路形成于硅基板上，電路具有至少一輸出/輸入墊，固定封環形成于硅基板上，并圍繞電路及輸出/輸入墊，接地環形成于硅基板及輸出/輸入墊之間，并與固定封環電連接，防護環設置于硅基板之上，并圍繞輸出/輸入墊，用以與固定封環電連接。目前集成電路芯片在使用的時候會散發大量的熱量，但現有的芯片散熱效率較低，導致芯片長時間處于高溫環境中，高溫不光...

轉動環24的外壁固定套接有螺母25，螺母25的內壁元螺紋塊21的外壁螺紋連接，連接機構2能夠方便散熱機構3與芯片本體1進行連接。散熱機構3包括與l形桿23側壁固定連接的空心導熱塊31，空心導熱塊31的下表面與芯片本體1的下表面活動連接，空心導熱塊31的上表面固定連通有多個連通管32，多個同側連通管32的頂端共同固定連通有空心散熱塊33，多個空心散熱塊33的頂端均固定連通有多個第二連通管34，多個同側第二連通管34的頂端共同固定連通有第二空心散熱塊35，空心散熱塊33與第二空心散熱塊35相互呈垂直分布，該結構能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了...

本實用新型屬于數據錄入裝置技術領域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術：傳統依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經不能滿足復雜生產環境下數據錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數字化的數據錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發明專利公開號“cn”名稱為“一種手持式采油工數據錄入儀”的 公開了一種油田采油生產中技術參數和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數據錄入裝置結構較為簡單，只能根據預設置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態輸入性較差，從而根據數據解析的設置簡單。如中國發明專利公開號“c...

本實用新型屬于數據錄入裝置技術領域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術：傳統依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經不能滿足復雜生產環境下數據錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數字化的數據錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發明專利公開號“cn”名稱為“一種手持式采油工數據錄入儀”的 公開了一種油田采油生產中技術參數和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數據錄入裝置結構較為簡單，只能根據預設置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態輸入性較差，從而根據數據解析的設置簡單。如中國發明專利公開號“c...

四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節距pqm，四倍心軸節距pqm可以與抗蝕劑圖案的節距相同。針對單元線路結構uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導電層ccl中形成十二條列金屬線 ml1至ml12。每個單元線路結構的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復地具有金屬節距pm21、第二金屬節距pm22、金屬節距pm21和第三金屬節距pm23。金屬節距pm21、第二金屬節距pm22和第三金屬節距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlp...

具備以下有益效果：該組合式集成電路芯片，通過設置有空心導熱塊、空心散熱塊和第二空心散熱塊，當芯片本體與集塵電路板安裝的時候，首先把l形桿插入螺紋塊的凹槽中，接著通過螺母與螺紋塊連接，達到固定散熱機構的目的，之后打開管蓋，并通過導管向空心導熱塊內加注部分純凈水，接著蓋上管蓋，在芯片本體工作散發熱量的時候，熱量被空心導熱塊吸收，同時空心導熱塊內部的純凈水受熱蒸發，并通過連通管和第二連接管進入到空心散熱塊和第二散熱塊中，利用空心散熱塊和第二空心散熱塊較 大的散熱面積快速的把熱量導出，然后水蒸汽凝結成水珠，水珠回到空心導熱塊中繼續吸收熱量，該結構能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，...

發射機校準包括：apc校準、包絡調整、afc頻率補償校準、溫度補償校準等。接收機校準包括：agc校準、rssi校準等。主板校準是手機生產測試的，手機的各項性能指標主要依靠校準工位調整參數，使之滿足產品標準。校準完成后的手機，其性能是否滿足規范要求，或機殼裝配是否對性能有影響，需通過綜測來驗證。手機通過數據接口接收測試程序指令，再通過射頻接口與測試儀器相連接，就可以測試發射機的功率、包絡、頻率、相位、接收機靈敏度等指標。整機測試完成后，計算機向手機寫入相應生產測試信息。所述通訊模塊采用zigbee無線方式與高頻讀卡模塊和數據監測模塊傳輸連接。所述遠程后臺服務器通過tcp/ip協議與無線網關裝置相...

本實用新型屬于數據錄入裝置技術領域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術：傳統依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經不能滿足復雜生產環境下數據錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數字化的數據錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發 明 公開號“cn”名稱為“一種手持式采油工數據錄入儀”的 公開了一種油田采油生產中技術參數和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數據錄入裝置結構較為簡單，只能根據預設置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態輸入性較差，從而根據數據解析的設置簡單。如中國發明專利公開號“c...

存儲器陣列內的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應當理解，圖4a至圖4b所示的集成芯片400和414可以實現圖2的存儲器陣列102的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調節訪問裝置內的調節mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實施例中，調節訪問裝置內的調節mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖5a示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路500的一些額外實施例的示意圖，該調節訪問裝置包括具有不同尺寸的調節器件。存儲器電路500包括多個存儲單元502a,1至502c,3，每個存儲單元分別包括被配置為存儲數據的...

電腦顯示工作狀態及數據，與現有技術相比，本實用新型的有益效果在于：本實用新型所述集成電路軟件快速錄入裝置,可隨時查看工作狀態及各項監測數據， 方便操作者使用，使得產品調試快捷。附圖說明圖1是本實用新型集成電路軟件快速錄入裝置的原理結構示意圖。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。如圖1所示，一種集成電路軟件快速錄入裝置,包括遠程后臺服務器、錄入終端...

每個單元線路結構uws5的八條柵極線gl1至gl8可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的雙倍心軸節距pdg。在這種情況下，每個單元線路結構uws5的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有柵極節距pg11和第二柵極節距pg12。 柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以彼此不同。柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以由表達式2表示。參照圖10，每個單元線路結構uws6的八條柵極線gl1至gl8可以通過saqp形成。...

導電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區ac之間的空間并且在導電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導電接觸件ca和cb可以位于有源區ac上的層ly1上。多個導電接觸件ca和cb包括連接到有源區ac的源區/漏區116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導電接觸件c...

將磁芯或者說磁環所處的覆銅芯板靠近電路板內側的銅箔蝕刻掉)。所述環形槽中固定有磁環(例如，對應各環形槽的磁環4，第二磁環5，第三磁環6等)。沿所述環形槽的外圈外側設置有若干外過孔(例如，環初級繞組外過孔10，環次級繞組外過13，第二環初級繞組外過14，第二環次級繞組外過孔17，第三環初級繞組外過18，第三環次級繞組外過孔21等)，沿所述環形槽的內圈內側設置有若干內過孔(例如，環次級繞組內過孔11，環次級繞組內過孔12，第二環初級繞組內過孔15，第二環次級繞組內過16，第三環初級繞組內過孔19，第三環次級繞組內過20等)。所述外過孔和內過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術實現精確打孔)。所述若...

具備以下有益效果：該組合式集成電路芯片，通過設置有空心導熱塊、空心散熱塊和第二空心散熱塊，當芯片本體與集塵電路板安裝的時候，首先把l形桿插入螺紋塊的凹槽中，接著通過螺母與螺紋塊連接，達到固定散熱機構的目的，之后打開管蓋，并通過導管向空心導熱塊內加注部分純凈水，接著蓋上管蓋，在芯片本體工作散發熱量的時候，熱量被空心導熱塊吸收，同時空心導熱塊內部的純凈水受熱蒸發，并通過連通管和第二連接管進入到空心散熱塊和第二散熱塊中，利用空心散熱塊和第二空心散熱塊較 大的散熱面積快速的把熱量導出，然后水蒸汽凝結成水珠，水珠回到空心導熱塊中繼續吸收熱量，該結構能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，...

導電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區ac之間的空間并且在導電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導電接觸件ca和cb可以位于有源區ac上的層ly1上。多個導電接觸件ca和cb包括連接到有源區ac的源區/漏區116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導電接觸件c...

1可以包括工作mtj器件106和調節訪問裝置108，調節訪問裝置108具有形成在第三互連層406c和第四互連層406d之間的調節mtj器件204和206。第二存儲單元202b,1可以根據與關于圖9至圖11描述的那些類似的步驟形成。圖13示出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法1300的一些實施例的流程圖，該存儲器電路包括具有調節訪問裝置的存儲單元(例如，mram單元)，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法300示出和描述為一系列步驟或事件，但是應該理解， 這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如，一些步驟可以以不同的順序發生和/或與除了此處示出的和/或描述...

存儲器陣列內的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應當理解，圖4a至圖4b所示的集成芯片400和414可以實現圖2的存儲器陣列102的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調節訪問裝置內的調節mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實施例中，調節訪問裝置內的調節mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖5a示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路500的一些額外實施例的示意圖，該調節訪問裝置包括具有不同尺寸的調節器件。存儲器電路500包括多個存儲單元502a,1至502c,3，每個存儲單元分別包括被配置為存儲數據的...

根據示例實施例的集成電路以及制造和設計所述集成電路的方法可以通過單元線路結構uws1至uws6來提高集成電路的設計效率和性能。在下文中，參照可以支持根據示例實施例的集成電路的布圖的理解的圖11、圖12a、圖12b和圖12c描述標準單元的示例結構。圖11實質上是示意的，圖11中未示出上述實施例的所有特征。圖2示出在一些實施例中金屬線“ml”相對于柵極線“gl”以6比4的比率出現。 圖5和圖7示出單個單元線路結構(uws)中存在六條金屬線和四條柵極線的實施例。圖8示出在具有八條柵極線(“gl”)的單個單元線路結構(uws)中存在十二條金屬線(“ml”)的實施例。圖11是示出示例標準單元的布圖的示圖...

可以使用側壁間隔件261至266作為第二心軸圖案在比抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3低的層中形成具有抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/4平均節距的目標圖案。圖5至圖10是示出應用于集成電路的單元線路結構的示例實施例的示圖。為了便于描述，在層中形成的圖案dpm、qpm、dpg和qpg附加示出在圖5至圖10中。圖案dpm、qpm、dpg和qpg可以與參照圖4a至圖4i描述的心軸圖案對應，并且可以在中間過程期間被去除以被排除在終集成電路中。在下文中，將參照圖5、圖6和圖7描述通過sadp形成多條列金屬線的示例實施例。參照圖5、圖6和圖7，單元線路結構uws1、uws2和uws3中的每個可以包括分...