本實用新型屬于數據錄入裝置技術領域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術：傳統依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經不能滿足復雜生產環境下數據錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數字化的數據錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發明專利公開號“cn”名稱為“一種手持式采油工數據錄入儀”的 公開了一種油田采油生產中技術參數和資料的錄入裝置。其特 征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數據錄入裝置結構較為簡單，只能根據預設置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態輸入性較差，從而根據數據解析的設置簡單。如中國發明專利公開號“...

1可以包括工作mtj器件106和調節訪問裝置108，調節訪問裝置108具有形成在第三互連層406c和第四互連層406d之間的調節mtj器件204和206。第二存儲單元202b,1可以根據與關于圖9至圖11描述的那些類似的步驟形成。圖13示出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法1300的一些實施例的流程圖，該存儲器電路包括具有調節訪問裝置的存儲單元(例如，mram單元)，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法300示出和描述為一系列步驟或事件，但是應該理解， 這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如，一些步驟可以以不同的順序發生和/或與除了此處示出的和/或描述...

存儲介質1100(例如，存儲裝置)可以存儲標準單元庫sclb1110。標準單元庫1110可以從存儲介質1100被提供給設計模塊1400。標準單元庫1110可以包括多個標準單元，并且標準單元可以是用于設計塊、器件和/或芯片的小的(例如，小的)單元。存儲介質1100可以包括用于將命令和/或數據提供給計算機作為計算機可讀存儲介質的任何計算機可讀存儲介質。例如，計算機可讀存儲介質可以包括諸如隨機存取存儲器(ram)、只讀存儲器(rom)等的易失性存儲器，以及諸如閃存、磁阻ram(mram)、相變r am(pram)、電阻式ram(rram)等的非易失性存儲器。計算機可讀存儲介質可以入到計算機中，可以被...

四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節距pqm，四倍心軸節距pqm可以與抗蝕劑圖案的節距相同。針對單元線路結構uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個單元線路結構的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復地具有金屬節距pm21、第二金屬節距pm22、金屬節距pm21和第三金屬節距pm23。金屬節距pm21、第二金屬節距pm22和第三金屬節距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm...

電腦顯示工作狀態及數據，與現有技術相比，本實用新型的有益效果在于：本實用新型所述集成電路軟件快速錄入裝置,可隨時查看工作狀態及各項監測數據 ，方便操作者使用，使得產品調試快捷。附圖說明圖1是本實用新型集成電路軟件快速錄入裝置的原理結構示意圖。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。如圖1所示，一種集成電路軟件快速錄入裝置,包括遠程后臺服務器、錄入終端...

1可以包括工作mtj器件106和調節訪問裝置108，調節訪問裝置108具有形成在第三互連層406c和第四互連層406d之間的調節mtj器件204和206。第二存儲單元202b,1可以根據與關于圖9至圖11描述的那些類似的步驟形成。圖13示出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法1300的一些實施例的流程圖，該存儲器電路包括具有調節訪問裝置的存儲單元(例如，mram單元)，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法300示出和描述為一系列步驟或事件，但是應該理解， 這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如，一些步驟可以以不同的順序發生和/或與除了此處示出的和/或描述...

四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節距pqm，四倍心軸節距pqm可以與抗蝕劑圖案的節距相同。針對單元線路結構uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個單元線路結構的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復地具有金屬節距pm21、第二金屬節距pm22、金屬節距pm21和第三金屬節距pm23。金屬節距pm21、第二金屬節距pm22和第三金屬節距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm...

本實用新型屬于數據錄入裝置技術領域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術：傳統依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經不能滿足復雜生產環境下數據錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數字化的數據錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發明專利公開號 “cn”名稱為“一種手持式采油工數據錄入儀”的 公開了一種油田采油生產中技術參數和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數據錄入裝置結構較為簡單，只能根據預設置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態輸入性較差，從而根據數據解析的設置簡單。如中國發明專利公開號“...

每個單元線路結構uws5的八條柵極線gl1至gl8可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的雙倍心軸節距pdg。在這種情況下，每個單元線路結構uws5的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有柵極節距pg11和第二柵極節距pg12。 柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以彼此不同。柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以由表達式2表示。參照圖10，每個單元線路結構uws6的八條柵極線gl1至gl8可以通過saqp形成。...

根據示例實施例的集成電路以及制造和設計所述集成電路的方法可以通過單元線路結構提高集成電路的設計效率和性能。實施例可以應用于任何電子裝置和系統。例如，實施例可以應用于諸如存儲器卡、固態驅動器(ssd)、嵌入式多媒體卡(emmc)、移動電話、智能電話、個人數字助理(pda)、便攜式多媒體播放器(pmp)、數碼相機、便攜式攝像機、個人計算機(pc)、服務器計算機、工作站 、膝上型計算機、數字tv、機頂盒、便攜式、導航系統、可穿戴裝置、物聯網(iot)裝置、萬物網(ioe)裝置、電子書、虛擬現實(vr)裝置、增強現實(ar)裝置等的系統。前述內容是對示例實施例的說明，而不應被解釋為對其進行限制。盡管已...

導電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區ac之間的空間并且在導電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導電接觸件ca和cb可以位于有源區ac上的層ly1上。多個導電接觸件ca和cb包括連接到有源區ac的源區/漏區116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導電接觸件c...

可以在柵極層gtl上方順序地形成四倍心軸圖案qpg以及雙倍心軸圖案dpg1和dpg2。例如，四倍心軸圖案qpg可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的四倍心軸節距pqg。在這種情況下，每個單元線路結構uws3的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成順序地具有柵極節距pg21、第二柵極節距pg22、柵極節距pg21和第三柵極節距pg23。在一些實施例中，第三柵極節距pg23是距下一個單元線路結構的距離。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以彼此不同。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以由表達式3表示。表達式3pg21＝w...

本發明涉及集成電路封裝技術，特別是一種集成電路基板，所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設置容納磁環的環形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環內外分布的過孔進行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內。背景技術：由于新能源的大力發展，隔離應用要求越來越多和隔離電壓越來越高，而半導體隔離技術取代傳統光耦技術效率更高，集成度更高，支持更高傳輸速率,符合行業發展的需求。封裝基板正在成為集成電路封裝領域一個重要的和發展迅速的行業,有機基板工藝大批量使用在BGA球陣列封裝，多芯片封裝工藝中。現有技術中的采用微變壓器方案，電源功率只有％。由于電感量不夠大，信號傳輸不得不采...

等的半導體或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半導體。在一些示例實施例中，基底110可以具有絕緣體上硅(soi)結構?；?10可以包括導電區域，例如，摻雜雜質的阱或摻雜雜質的結構。標準單元可以包括器件區rx1、第二器件區rx2以及使器件區rx1和第二器件區rx2沿第二方向y分離的有源切口區acr。器件區rx1和第二器件區rx2中的每個可以包括從基底110沿第三方向z突出的多個鰭型有源區ac(參見圖12c)。多個有源區ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔離層112可以沿著第二方向y在基底110上位于多個有源區ac之間。多個有源區ac以鰭的形式沿著第三方向z從器件隔...

本實用新型屬于數據錄入裝置技術領域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術：傳統依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經不能滿足復雜生產環境下數據錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數字化的數據錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發明專利公開號“cn”名稱為“一種手持式采油工數據錄入儀”的 公開了一種油田采油生產中技術參數和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數據錄入裝置結構較為簡單，只能根據預設置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態輸入性較差，從而根據數據解析的設置簡單。如中國發明專利公開號“c...

圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環；5-第二磁環；6-第三磁環；7-環形槽；8-第二環形槽；9-第三環形槽；10-環初級繞組外過孔；11-環初級繞組內過孔；12-環次級繞組內過孔；13-環次級繞組外過孔；14-第二環初級繞組外過孔；15-第二環初級繞組內過孔；16-第二環次級繞組內過孔；17-第二環次級繞組外過孔；18-第三環初級繞組外過孔；19-第三環初級繞組內過孔；20-第三環次級繞組內過孔；21-第三環次級繞組外過孔。具體實施方式下面結 合附圖(圖1-圖2)對本發明進行說明。圖1是實施本發明一種集成電路基板的結構示意圖，圖1表現的...

本發明涉及集成電路封裝技術，特別是一種集成電路基板，所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設置容納磁環的環形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環內外分布的過孔進行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內。背景技術：由于新能源的大力發展，隔離應用要求越來越多和隔離電壓越來越高，而半導體隔離技術取代傳統光耦技術效率 更高，集成度更高，支持更高傳輸速率,符合行業發展的需求。封裝基板正在成為集成電路封裝領域一個重要的和發展迅速的行業,有機基板工藝大批量使用在BGA球陣列封裝，多芯片封裝工藝中?，F有技術中的采用微變壓器方案，電源功率只有％。由于電感量不夠大，信號傳輸不得不...

在圖5中的具有n＝1的單元線路結構中，存在六條金屬線和四條柵極線。圖5包括多個單元線路結構，多個單元線路結構包括圖5的左側的單元線路結構以及圖5的右側的第二單元線路結構，第二單元線路結構在x方向(在此也稱為方向x)上與單元線路結構相鄰，并且第二單元線路結構的形貌與單元線路結構的形貌相同。參照圖6，每個單元線路結構uws2的四條柵極線gl1至gl4可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1和dpg2。標簽“dpg”可以理解如下：“d”表示雙倍，“p”表示圖案，“g”表示柵極。例如，雙倍心軸圖案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗...

發射機校準包括：apc校準、包絡調整、afc頻率補償校準、溫度補償校準等。接收機校準包括：agc校準、rssi校準等。主板校準是手機生產測試的，手機的各項性能指標主要依靠校準工位調整參數，使之滿足產品標準。校準完成后的手機，其性能是否滿足規范要求，或機殼裝配是否對性能有影響，需通過綜測來驗證。手機通過數據接口接收測試程序指令，再通過射頻接口與測試儀器相連接，就可以測試發射機的功率、包絡、頻率、相位、接收機靈敏度等指標。整機測試完成后，計算機向手機寫入相應生產測試信息。所述通訊模塊采用zigbee無線方式與高頻讀卡模塊和數據監測模塊傳輸連接。所述遠程后臺服務器通過tcp/ip協議與無線網關裝置相...

本實用新型屬于數據錄入裝置技術領域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術：傳統依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經不能滿足復雜生產環境下數據錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數字化的數據錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發明專利公開號 “cn”名稱為“一種手持式采油工數據錄入儀”的 公開了一種油田采油生產中技術參數和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數據錄入裝置結構較為簡單，只能根據預設置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態輸入性較差，從而根據數據解析的設置簡單。如中國發明專利公開號“...

四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節距pqm，四倍心軸節距pqm可以與抗蝕劑圖案的節距相同。針對單元線路結構uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個單元線路結構的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復地具有金屬節距pm21、第二金屬節距pm22、金屬節距pm21和第三金屬節距pm23。金屬節距pm21、第二金屬節距pm22和第三金屬節距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm...

電腦顯示工作狀態及數據，與現有技術相比，本實用新型的有益效果在于：本實用新型所述集成電路軟件快速錄入裝置,可隨時查看工作狀態及各項監測數據 ，方便操作者使用，使得產品調試快捷。附圖說明圖1是本實用新型集成電路軟件快速錄入裝置的原理結構示意圖。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。如圖1所示，一種集成電路軟件快速錄入裝置,包括遠程后臺服務器、錄入終端...

隔線板7的存在，可以有效地將信號線束收集整理，可以防止顯示驅動集成電路結構內的信號線雜亂，影響裝置運行和檢修，并且通過設置可插拔的方形橡膠塞8隔斷信號線，便于根據信號線的接入位置隨意調節橡膠塞8的位置，靈活方便。主板1的下方安裝有信號接頭9，信號接頭9包括母頭91、卡扣92和93，母頭91的兩側設置有卡扣92，卡扣92的底端焊接在93的上方，母頭91焊接在主板1的底部，93連接在信號線上，設置信號接頭9來取代將信號線直接焊接在主板1上，能夠便于后期對信號線的的檢修和更換。主板1的邊角處裝設有減震螺栓10，減震螺栓10包括螺桿101、彈簧102、墊片103、第二墊片104、第二彈簧105和限位塊...

可以在柵極層gtl上方順序地形成四倍心軸圖案qpg以及雙倍心軸圖案dpg1和dpg2。例如，四倍心軸圖案qpg可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的四倍心軸節距pqg。在這種情況下，每個單元線路結構uws3的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成順序地具有柵極節距pg21、第二柵極節距pg22、柵極節距pg21和第三柵極節距pg23。在一些實施例中，第三柵極節距pg23是距下一個單元線路結構的距離。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以彼此不同。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以由表達式3表示。表達式3pg21＝w...

可以通過執行標準單元sc1至sc12的上述布局和布線來確定集成電路300的布圖?？梢酝ㄟ^電力軌311至316向標準單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的第二電源電壓vss的低電力軌312、314和316。例如，電源電壓vdd可以具有正電壓電平，第二電源電壓vss可以具有地電平(例如，0v)或負電壓電平。高電力軌311、313和315以及低電力軌312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成與由布置在第二方向y上的電力軌311至316定義的區域對應的多個電路行...

每個系統板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當這些系統板相對地放置在一起時，每個系統板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護，而沒有與液體浸入式冷卻系統相關的溢出。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實施例，應當認識到的是，所公開的技術可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個或多個系統和系統中的一個或多個元素/部件。圖1是系統100的關系圖，在該系統中可以實施不同實施例。系統100包括計算部件120，所述計算部件包括...

位線解碼器116被配置為基于從控制單元120接收的地址saddr1選擇性地向一條或多條位線bl1至bl2提供信號(例如，電壓)。而字線解碼器118被配置為基于從控制單元120接收的地址saddr2選擇性地向一條或多條字線wl1至wl2提供信號(例如，電壓)。調節訪問裝置108被配置為調節電流(提供給相關的工作mtj器件106的信號)，并且由此選擇性地對相關的工作mtj器件106提供訪問。例如，在寫入操作期間，存儲器陣列102內的調節訪問裝置108可以對選擇的存儲單元內的工作mtj器件提供大于或等于小切換電流(即，足以使存儲單元的數據狀態改變的電流)電流，而對未選擇的存儲單元內的工作mtj器件提...

所述多條金屬線之中的在方向上順序地相鄰的每三條金屬線之間的兩個金屬節距彼此不同。在所述方法的一些實施例中，所述多條金屬線通過自對準雙倍圖案化(sadp)或自對準四倍圖案化(saqp)形成。還在所述方法的一些實施例中，單元線路結構是未被劃分為至少兩個相等的子線路結構的小單元結構。此外，提供一種設計集成電路的方法，所述方法包括：接收定義集成電路的輸入數據；設置包括多個標準單元的標準單元庫；基于輸入數據和標準單元庫執行布局和布線；以及基于布局和布線的結果生成定義集成電路的輸出數據，其中，所述集成電路包括：半導體基底，多條柵極線，形成在半導體基底上方的柵極層中，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方...

本發明涉及不具有驅動晶體管(即，存取晶體管)的存儲單元(例如，mram單元)。而且，存儲單元包括調節訪問裝置，該調節訪問裝置具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的一個或多個調節mtj器件。在一些實施例中，本發明涉及集成芯片。集成芯片包括連接至位線的工作磁隧道結(mtj)器件，工作mtj器件被配置為存儲數據狀態；以及連接在工作mtj器件和字線之間的調節訪問裝置，調節訪問裝置包括被配置為控制提供給工作mtj器件的電流的一個或多個調節mtj器件。在一些實施例中，一個或多個調節mtj器件分別包括固定層、介電阻擋層和通過介電阻擋層與固定層分隔開的自由層。在一些實施例中，調節訪問裝置還包括連接在第...

信號dout的回轉率是可控制的。初，src電路104向驅動器電路102提供一預設回轉率，并且驅動器電路102驅動信號dout，其中信號dout具有該預設回轉率。該預設回轉率可以是特定值，或者可以是一范圍中的數值。通常，一預設回轉率被設計為滿足一規范的要求。在信號dout的電氣特性不理想的情況下，使用者在一使用者應用端12上測試ic元件10。使用者應用端12的一示波器120測量信號dout的一電壓，并且示波器120，基于測量結果，在使用者應用端12的一使用者界面124上顯示一電壓波形122的圖表。使用者基于例如使用者界面124的顯示器上所示的電壓來查看和計算信號dout的一實際回轉率。接下來，使...