sedispondrándeanillosderefuerzoennúánenelinteriordelasvirolasalasqueestánfijadosporsoldaduraenángulodiscontinua,concosturasalt...

?O?.Elinteriordeestaarquetasseclasificazona?O?debidoasusituaciónbajoelniveldesueloyportenerpuntosdeescapes,bienporladescargade...

表％九氟丁基甲基醚和50重量％甲基四氫呋喃的液體混合物的分餾顯示出92重量％九氟丁基甲基醚和8重量％甲基四氫呋喃的共沸組合物，其在°C的沸點。實施例2如實施例1所述進行沸點測定方法。表II給出九氟丁基乙基醚和甲基四氫呋喃的各種混合物在。表II九氟丁基乙...

soldaduraytécnicasafines)ósitosdelosEstadosmiembrosdelaCEEodepaísestercerosconlosqueexistaunconveniodereciprocidad,lahomologac...

35kilogramos/centímetrocuadrado).IgualmenteserealizaráunapruebademedicióndieléáncertificadasporunOrganismodecontrolcompetented...

除去75重量％的油。在45°C下的簡單加熱、或者在環境溫度(20°C)下的簡單攪拌或超聲應用可以除去所有的沉積油。此外，沒有觀察到油的溶解，而是觀察到上升到液體表面的油的脫離(卷起機理(rollingupmechanism)).與快速導致溶劑飽和的溶解...

gradodelafuentedeescapeeinfluenciadelaventilación)laextensióndecadazonapeligrosaobedeceráalossiguientescriteriosyconsideracion...

本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術：氮化硅是一種具有很高的化學穩定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導體制造工藝中，一般...

除去75重量％的油。在45°C下的簡單加熱、或者在環境溫度(20°C)下的簡單攪拌或超聲應用可以除去所有的沉積油。此外，沒有觀察到油的溶解，而是觀察到上升到液體表面的油的脫離(卷起機理(rollingupmechanism)).與快速導致溶劑飽和的溶解...

odeunemplazamientopeligrosoaotronopeligroso,asícomoenlasentradasysalidasdelasenvolventesmetálicasdeequiposeléctricosquepuedanp...

lapruebadepresiónhidráánresistentesaloshidrocarburosyalosaditivosquepuedanconteneryaseguraráónserándeunmaterialqueresistalacor...

conunanormaeuropeaENoconunarecomendaciónCEIparaalgunosdelosmodosdeprotecciónsiguientes:1.oInmersiónenaceite?o?.2.oSobrepresión...

desecciónmínima16milíóneléctricadelapuestaatierrapodrárealizarseatravésdeuninterruptormanual,congradodeprotecciónadecuadoalacl...

可通過蒸發或蒸餾或者通過對比給定溫度下的泡點或的蒸氣壓來實施共沸型化合物的確定。在工業應用的情況下使用共沸物是特別有利的，以使組合物再生，例如當其飽和有污染物的時候。簡單蒸餾可回收初的共沸組合物，而沒有各組分的任何分餾。而且，2-甲基四氫呋喃(2-Me...

o2085/1994,alaentradaenvigordelaInstrucciónTécnicaComplementariaMI-IP04quedaránderogadastotaloparcialmente,lasdisposicionesdei...

enlasoperacionesquedebanserrealizadas,eintensificadasenlospuntosdeactuacióáánelmododeproteccióndeacuerdoconlaICMIEBT026ydeberá...

previadeliberacióndelConsejodeMinistrosensureunióndeldía28dediciembrede1995,DISPONGO:ArtículoúónTécnicaComplementariaMI-IP04?I...

delascualesunasirveparaelaccesoydebequedarlibredecualquiertuberíánaunadistanciamínimade50milímetrosdecualquierunióóónytranspor...

所述組合物包含540重量％的甲基四氫呋喃和6095重量％的式C4F90R的九氟丁基烷基醚。的甲基四氫呋喃是2-甲基四氫呋喃。在式C4F90R的九氟丁基烷基醚中，九氟丁基甲基醚和九氟丁基乙基醚。不論R是什么，的九氟丁基烷基醚主要由九氟正丁基烷基醚和九氟異...

ósitoyelfondodelfosoolasuperficiedecementodebecolocarseunespesormínimode30centíínimo30centímetrosmásqueloslímitesdeldepóáneces...

queseencuentrenentrámitedeautorizaciónenlafechadeentradaenvigordelpresenteRealDecreto,seguiránrigiéánacogersealasprescripcione...

chispasocalentamientossuperficialescapacesdeprovocarlaignicióndelaatmóéctricasenlosemplazamientosqueresultenclasificadoscomozo...

segúáuncertificadodefabricaciónconcadadepósitoenelquesejustifiqueelcumplimientodelosensayosdefinidosenlanormadefabricacióncorr...

delascualesunasirveparaelaccesoydebequedarlibredecualquiertuberíánaunadistanciamínimade50milímetrosdecualquierunióóónytranspor...

0HT260WXC-100CELLHT260WX2-101MV238FHB-N10MV238FHM-N10HT236F01-100HT236F03-100HM236WU1-100HM236WU1-400HM236WU3-100HM236WU3-110H

deacuerdoconlaclasificacióndeáreasrealizadasegúnelprocedimientoindicadoenelReglamentoElectrotécnicodeBajaTensióóndeestosdepósi...

本實用新型屬于廢液處理領域，尤其涉及一種酸性蝕刻液電解后液處理系統。背景技術：酸性蝕刻液是用于印制電路板線路制作和多層板內層制作的蝕刻液，隨著電路板行業的迅速發展，產生的廢液量越來越大，發掘的污染物種類也越來越多，對環境造成巨大的危害，此類問題也成為社...

Parasurtidoresencabezalelectrónicoadosadoasucuerpooalacolumnademangueras.)Lasbarrerasdevaportipo1cumpliránlosrequisitossiguien...

本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術：氮化硅是一種具有很高的化學穩定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導體制造工藝中，一般...

添加劑為二乙二醇單甲醚、三乙二醇乙醚、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p，添加量分別為％、％、％。實施例6本發明的實施例按蝕刻液總質量為400g進行配制，先稱取濃度為85％的磷酸，然后稱取添加劑加入磷酸中，該實施例中所含成分及各成分稱取的質量顯示于表1...