litrosdecapacidadnominal:.oParadepósitosde&litrosdecapacidadnominal:óánecesarialaejecucióndeuncubetoestancocontubobuzodetector...

previadeliberacióndelConsejodeMinistrosensureunióndeldía28dediciembrede1995,DISPONGO:ArtículoúónTécnicaComplementariaMI-IP04?I...

技術實現要素：本實用新型的目的在于提供高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產裝置，以解決上述背景技術中提出密封性差，連接安裝步驟繁瑣的問題。為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產裝置，包括裝置主體、支撐腿、電源線和單片機...

負的值表示厚度減小。上述蝕刻液組合物以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜為特征，上述氧化物膜推薦包含sio2，上述氮化物膜推薦包含sin。上述蝕刻液組合物用于3dnand閃存制造工序，能夠使上述氮化物膜去除工序中發生的副反應氧化物的...

鋁蝕刻液是鋁蝕刻液STM-AL100。根據查詢相關信息顯示：鋁蝕刻液STM-AL100是一款專為蝕刻鋁目的去設計的化學品，STM-AL100的組成有主要蝕刻化學品，添加劑，輔助化學品，對于控制蝕刻均勻以及穩定的蝕刻速率一定的效果，在長效性的表現上更是無話可說....

內嵌觀察窗402通過觀察窗翻折滾輪401內嵌入裝置內部，工作人員可通過內嵌的透明窗對內部的制備狀況進行實時查看，從而很好的體現了該裝置的實時性。推薦的，鹽酸裝罐7的頂端嵌入連接有熱水流入漏斗9，在進行制備時需要向鹽酸裝罐7內倒入一定比例的熱水進行均勻調...

引線框架的腐蝕是如何生產的呢？引線框架的材料主要是電子銅帶，常見在引線框架中通過亮鎳、錫和錫鉛鍍層下進行鍍鎳完成保護金屬材料的目的，在材質過程中42合金引線相對來說容易發生應力-腐蝕引發的裂紋。為了保障引線框架的優異的導電性和散熱性，處理方式通過電鍍銀、片...

伸縮桿12下端固定安裝有圓環塊13，圓環塊13與噴頭10之間固定連接有連接桿14，分隔板2與承載板3相互垂直設置，電解池4內部底端的傾斜角度設計為5°，進液管8的形狀設計為l型，且進液管8貫穿分隔板2設置在進液漏斗6與伸縮管9之間，圓環塊13通過伸縮桿...

本實用涉及蝕刻設備技術領域，具體為一種ito蝕刻液制備裝置。背景技術：蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術，蝕刻技術分為濕蝕刻和干蝕刻，其中，濕蝕刻是采用化學試劑，經由化學反應達到蝕刻的目的，薄膜場效應晶體管液晶顯示器(tft～lcd)、...

所述液體入口1處設有減壓閥12，所述蒸汽出口5處設有真空泵13、除霧組件3及除沫組件4，所述除霧組件3用于過濾分離器中閃蒸的蒸汽中的含銅液體，所述除沫組件4用于將經除霧組件3除霧的氣體進行除沫。含銅蝕刻液在加熱器11中進行加熱，達到閃蒸要求的溫度，輸送...

可以維持合適的蝕刻速度且提高sin/sio2選擇比。(b)硅烷系偶聯劑本發明的蝕刻液組合物中所包含的上述硅烷(silane)系偶聯劑作為防蝕劑可以在防止包含氧化物膜和氮化物膜的膜中的氧化物膜被上述磷酸氧化時使用。上述硅烷系偶聯劑推薦使上述硅烷系偶聯劑的...

其中輸送裝置借由至少一呈順時針方向轉動的滾輪帶動基板由噴灑裝置的下端部朝向風刀裝置的***風刀的下端部的方向移動。如上所述的蝕刻方法，其中風刀裝置分別借由一設置于該輸送裝置的上端部的***風刀與一設置于該輸送裝置的下端部的第二風刀朝向基板的上表面與下表...

從蝕刻速度及安全性的觀點來看，推薦為40℃至70℃，更推薦為45℃至55℃。處理時間視對象物的表面狀態及形狀等而變化，通常為30秒至120秒左右。實施例然后，對本發明的實施例與比較例一起進行說明。此外，本發明并非限定于下述實施例而解釋。制備表1及表2所...

很好的對注入量進行精確控制，提高了該裝置的制備純度。附圖說明圖1為本實用新型的整體示意圖；圖2為本實用新型的a處放大示意圖；圖3為本實用新型的b處放大示意圖；圖4為本實用新型翻折觀察板沿a-a方向的截面示意圖。圖中：1、制備裝置主體，2、高效攪拌裝置，...

且過濾部件能將內部的過濾板進行拆卸更換，有效的提高了裝置連接安裝的便利性。2.高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產裝置，連接構件，連接構件設置在攪拌倉的底部，連接構件與攪拌倉固定連接，連接構件能將裝置主體內部的兩個構件進行連接并固定，且在將兩構件進行連接或...

技術實現要素：本實用新型的目的在于提供高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產裝置，以解決上述背景技術中提出密封性差，連接安裝步驟繁瑣的問題。為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產裝置，包括裝置主體、支撐腿、電源線和單片機...

提高反應體系的穩定性。當體系中加入過氧化氫后有助于提高過氧化氫的穩定性，避免由于過氧化氫分解而引發的，提高生產的安全性。具體實施方式下面結合實施例，對本發明的具體實施方式作進一步描述。以下實施例用于更加清楚地說明本發明的技術方案，而不能以此來限制本發明...

推薦的，所述制備裝置主體的兩端緊密貼合有防燙隔膜。推薦的，所述高效攪拌裝置是由內部頂部中間部位的旋轉搖勻轉盤，內部頂部兩側的震蕩彈簧件，震蕩彈簧件頂端的運轉電機組，運轉電機組頂端的控制面板，內部中間部位的致密防腐桿和致密防腐桿內部內側的攪動孔共同組合而...

將裝置主體1內部的蝕刻液進行清洗，具有很好的清理作用。工作原理：對于這類的回收處理裝置，首先將蝕刻液倒入進液漏斗6并由過濾網7過濾到進液管8中，之后蝕刻液流入到承載板3上的電解池4中時，啟動液壓缸11帶動伸縮桿12向上移動，從而通過圓環塊13配合連接桿...

所述制備裝置主體的內部中間部位活動連接有高效攪拌裝置，所述制備裝置主體的一側中間部位嵌入連接有翻折觀察板，所述制備裝置主體的底端固定連接有裝置底座，所述裝置底座的內部底部固定連接有成品罐，所述裝置底座的頂端一側固定連接有鹽酸裝罐，所述裝置底座的頂端另一...

更推薦滿足。參照圖4，在添加劑(硅烷系偶聯劑)的aeff處于，能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良**少化，在硅烷系偶聯劑的aeff處于，能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此，在利用上述范圍所重疊范圍(規格(spec)滿足區間)...

本發明涉及一種用來在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法。背景技術：以往，在蝕刻鈦時一直使用含有氫氟酸或過氧化氫的蝕刻液。例如專利文獻1中提出了一種鈦的蝕刻液，該鈦的蝕刻液是用來在銅或鋁的存在下蝕刻鈦，并且該蝕刻液的特征在于：利用由...

該擋液板結構10包括有一***擋板11、一與該***擋板11接合的第二擋板12，以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13，其主要特征在于：該第二擋板12具有復數個貫穿該第二擋板12且錯位設置的宣泄孔121。該***擋板11與該第二擋板12呈正交設置，且...

可以維持合適的蝕刻速度且提高sin/sio2選擇比。(b)硅烷系偶聯劑本發明的蝕刻液組合物中所包含的上述硅烷(silane)系偶聯劑作為防蝕劑可以在防止包含氧化物膜和氮化物膜的膜中的氧化物膜被上述磷酸氧化時使用。上述硅烷系偶聯劑推薦使上述硅烷系偶聯劑的...

裝置主體1的頂部另一端固定連接有硝酸鉀儲罐21，裝置主體1的內部中間部位固定連接有連接構件11，裝置主體1的內部底部中間部位固定連接有常閉式密封電磁閥10，連接構件11的內側固定連接有過濾部件9，裝置主體1的內部底端另一側固定連接有收集倉8，收集倉8的...

618光電行業ITO**蝕刻液,專門針對氧化銦錫(ITO)玻璃導電薄膜鍍層圖線的脫膜蝕刻,它對于高阻抗ITO玻璃導電膜(PET-ITO)以及低阻抗ITO玻璃導電膜(PET-ITO)都且有優良的蝕刻速度與效果。具有速度快、側蝕小、無沉淀、氣味小、不攻擊抗蝕層,不...

在上述硅烷系偶聯劑的含量處于上述含量范圍內的情況下，能夠調節添加劑本身凝膠化，且獲得合適的sio2防蝕和sin蝕刻性能。(c)水本發明的蝕刻液組合物中所包含的上述水可以為用于半導體工序的去離子水，推薦使用18mω/㎝以上的上述去離子水。上述水的含量可以...

按照組成成分和應用工藝不同，濕電子化學品可分為通用性和功能性濕電子化學品。通用濕電子化學品以超凈高純試劑為主，一般為單組份、單功能、被大量使用的液體化學品，按照性質劃分可分為：酸類、堿類、有機溶劑類和其他類。酸類包括氫氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸等...

本實用新型涉及光刻膠生產設備，具體是一種光刻膠廢剝離液回收裝置。背景技術：光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一，其是由溶劑、感光樹脂、光引發劑和添加劑四種成分組成的對光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下，進行光化...

圖3是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖二，其離子注入步驟。圖4是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖三，其顯示離子注入后光刻膠形成了主要光刻膠層和第二光刻膠層。圖5是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖四，其顯示光刻膠膨脹。圖6是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖五，其...