數(shù)據(jù)完整性測試（Data Integrity Test）：數(shù)據(jù)完整性測試用于驗(yàn)證DDR5內(nèi)存模塊在讀取和寫入操作中的數(shù)據(jù)一致性和準(zhǔn)確性。通過比較預(yù)期結(jié)果和實(shí)際結(jié)果，確保內(nèi)存模塊正確存儲、傳輸和讀取數(shù)據(jù)。 詳細(xì)的時(shí)序窗口分析（Detailed Timi...

信號幅度測試是用于測量LVDS發(fā)射器輸出信號的電壓幅度的測試項(xiàng)目。在LVDS通信中，信號的電壓被定義為差分信號的峰值電壓，即正通道和負(fù)通道之間的電壓差值。信號幅度測試旨在確保LVDS發(fā)射器輸出信號的電壓幅度符合規(guī)定的要求，以保證信號在傳輸過程中能夠有效地被接收...

延遲測試：延遲測試旨在評估DDR5內(nèi)存模塊在讀取和寫入操作中的響應(yīng)延遲。通過讀取和寫入大量數(shù)據(jù)并測量所需的延遲時(shí)間，以確認(rèn)內(nèi)存模塊在給定延遲設(shè)置下的穩(wěn)定性。 容錯(cuò)機(jī)制測試：DDR5內(nèi)存模塊通常具備容錯(cuò)機(jī)制，如ECC（錯(cuò)誤檢測與糾正碼）功能。進(jìn)行相應(yīng)的...

DDR5內(nèi)存作為新式一代的內(nèi)存技術(shù)，具有以下主要特點(diǎn)： 更高的頻率和帶寬：DDR5支持更高的傳輸頻率范圍，從3200MT/s到8400MT/s。相比于DDR4，DDR5提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更大的帶寬，提升系統(tǒng)整體性能。 更大的容量：DDR5...

RJ45測試可以通過連通性測試和誤碼率（BER）測試來判斷錯(cuò)誤路徑。這些測試方法可以幫助您確定數(shù)據(jù)在傳輸過程中是否遇到了錯(cuò)誤路徑。連通性測試：連通性測試是常見的RJ45測試方法之一，用于檢測兩個(gè)設(shè)備之間的連接是否正常。測試儀器會向被測試的連接發(fā)送信號，并檢查是...

DDR5內(nèi)存測試方法通常包括以下幾個(gè)方面： 頻率測試：頻率測試是評估DDR5內(nèi)存模塊的傳輸速率和穩(wěn)定性的關(guān)鍵部分。通過使用基準(zhǔn)測試軟件和工具，可以進(jìn)行頻率掃描、時(shí)序調(diào)整和性能評估，以確定DDR5內(nèi)存模塊的比較高穩(wěn)定傳輸頻率。 時(shí)序窗口分析：時(shí)序...

行預(yù)充電時(shí)間（tRP，Row Precharge Time）：行預(yù)充電時(shí)間指的是執(zhí)行下一個(gè)行操作之前需要在當(dāng)前行操作之后等待的時(shí)間。它表示內(nèi)存模塊關(guān)閉當(dāng)前行并預(yù)充電以準(zhǔn)備接收新的行指令的速度。常見的行預(yù)充電時(shí)間參數(shù)包括tRP 16、tRP 15、tRP 1...

還可以給這個(gè)Bus設(shè)置一個(gè)容易區(qū)分的名字，例如把這個(gè)Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了。 重復(fù)以上操作，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號；DQS1/NDQS1選通和時(shí)鐘 CK...

DDR3信號質(zhì)量問題及仿真解決案例隨著DDR信號速率的升高，信號電平降低，信號質(zhì)量問題也會變得突出。比如DDR1的數(shù)據(jù)信號通常用在源端加上匹配電阻來改善波形質(zhì)量；DDR2/3/4會將外部電阻變成內(nèi)部ODT；對于多負(fù)載的控制命令信號，DDR1/2/3可以在末端添...

走線阻抗/耦合檢查 走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有，流程也是一樣的。本例通過 Allegro Sigrity SI 啟動(dòng) Trace Impedance/Coupling Check,自動(dòng)調(diào)用 PowerSI 的流程...

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個(gè)電阻，其Device ...

至此，DDR3控制器端各信號間的總線關(guān)系創(chuàng)建完畢。單擊OK按鈕，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會將以上總線設(shè)置信息作為SystemSI能識別的注釋，連同原始IBIS文件 保存為一個(gè)新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，則也可以選擇Upda...

DDR（Double Data Rate）是一種常見的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）技術(shù)，它提供了較高的數(shù)據(jù)傳輸速度和帶寬。以下是DDR系統(tǒng)的概述： 架構(gòu)：DDR系統(tǒng)由多個(gè)組件組成，包括主板、內(nèi)存控制器、內(nèi)存槽和DDR內(nèi)存模塊。主板上的內(nèi)存控制器負(fù)責(zé)...

常見的信號質(zhì)量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號質(zhì)量的每個(gè)參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P...

· 工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，Specification：如果所設(shè)計(jì)的功能模塊要實(shí)現(xiàn)某種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口或者協(xié)議，那一定要找到相關(guān)的工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，讀懂規(guī)范之后，才能開始設(shè)計(jì)。 因此，為實(shí)現(xiàn)本設(shè)計(jì)實(shí)例中的 DDR 模塊，需要的技術(shù)資料和文檔。 由于我們要設(shè)計(jì) D...

創(chuàng)建工程啟動(dòng)SystemSI工具，單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項(xiàng),在彈出的WorkspaceFile對話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對...

高速DDRx總線概述 DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器”。DDR SDRAM是在原單倍速率S...

重復(fù)以上步驟，分別對Meml?Mem4分配模型并建立總線時(shí)序關(guān)系，置完其中一個(gè)，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會同時(shí)更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設(shè)置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)...

DDR 系統(tǒng)概述 DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡稱為 DDR。DDR 本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀/寫數(shù)據(jù)，因而其數(shù)據(jù)速率是標(biāo)準(zhǔn) SDRAM 的兩倍，至于...

重復(fù)以上步驟，分別對Meml?Mem4分配模型并建立總線時(shí)序關(guān)系，置完其中一個(gè)，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會同時(shí)更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設(shè)置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)...

還可以給這個(gè)Bus設(shè)置一個(gè)容易區(qū)分的名字，例如把這個(gè)Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了。 重復(fù)以上操作，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號；DQS1/NDQS1選通和時(shí)鐘 CK...

DDR3（Double Data Rate 3）是一種常見的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，它定義了數(shù)據(jù)傳輸和操作時(shí)的時(shí)序要求。以下是DDR3規(guī)范中常見的時(shí)序要求： 初始時(shí)序（Initialization Timing）tRFC：內(nèi)存行刷新周期，...

· 相關(guān)器件的應(yīng)用手冊，ApplicationNote：在這個(gè)文檔中，廠家一般會提出一些設(shè)計(jì)建議，甚至參考設(shè)計(jì)，有時(shí)該文檔也會作為器件手冊的一部分出現(xiàn)在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準(zhǔn)備中，要注意這些信息是否齊備。 · 參考設(shè)計(jì)，Referenc...

重復(fù)以上步驟，分別對Meml?Mem4分配模型并建立總線時(shí)序關(guān)系，置完其中一個(gè)，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會同時(shí)更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設(shè)置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)...

高速DDRx總線概述 DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器”。DDR SDRAM是在原單倍速率S...

LPDDR2 (低功耗 DDR2) : LPDDR2 釆用 HSUL_12 接口，I/O 口工作電壓為 1.2V；時(shí) 鐘信號頻率為166?533MHz；數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號速率333?1066Mbps,并分別通過 差分選通信號和時(shí)鐘信號的雙沿釆樣；控...

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個(gè)電阻，其Device ...

"DDRx"是一個(gè)通用的術(shù)語，用于表示多種類型的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，包括DDR2、DDR3和DDR4等。這里的"x"可以是任意一個(gè)數(shù)字，了不同的DDR代數(shù)。每一代的DDR標(biāo)準(zhǔn)在速度、帶寬、電氣特性等方面都有所不同，以適應(yīng)不斷增長的計(jì)算需求和技術(shù)...

瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項(xiàng)卡，單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮，將鼠標(biāo)移動(dòng)到Signal Names下方高亮處，單擊 出現(xiàn)的字母E,打開Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號，單擊0...

使用了一個(gè) DDR 的設(shè)計(jì)實(shí)例，來講解如何規(guī)劃并設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 存儲系統(tǒng)，包括從系統(tǒng)性能分析，資料準(zhǔn)備和整理，仿真模型的驗(yàn)證和使用，布局布線約束規(guī)則的生成和復(fù)用，一直到的 PCB 布線完成，一整套設(shè)計(jì)方法和流程。其目的是幫助讀者掌握 DDR 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思...