三極管的工作原理：這里主要講一下PNP和NPN。1、PNP，PNP是一種BJT，其中一種n型材料被引入或放置在兩種p型材料之間。在這樣的配置中，設(shè)備將控制電流的流動。PNP晶體管由2個串聯(lián)的晶體二極管組成。二極管的右側(cè)和左側(cè)分別稱為集電極-基極二極管和發(fā)射極-...

MOS管開關(guān)電路圖：頭一種應(yīng)用，由PMOS來進(jìn)行電壓的選擇，當(dāng)V8V存在時，此時電壓全部由V8V提供，將PMOS關(guān)閉，VBAT不提供電壓給VSIN，而當(dāng)V8V為低時，VSIN由8V供電。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低，確保PMOS的正常開啟，...

MOSFET的作用如下：1.可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3.可以用作可變電阻。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作電子...

我們經(jīng)常看MOS管的PDF參數(shù)，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗，對開關(guān)應(yīng)用來說，RDS(ON)也是較重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動)電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān)，但對于充分的柵極驅(qū)動，RDS(ON)是一個相對靜...

半導(dǎo)體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據(jù)選擇不同的半導(dǎo)體材料和摻雜不同的雜質(zhì)從而形成雜質(zhì)半導(dǎo)體來改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開關(guān)的方式之外，還有很多其他的功能，如：用來調(diào)節(jié)電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護(hù)電路（雪崩二極管），無線電調(diào)諧（變...

場效應(yīng)管是一種電壓控制器件，其工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來控制漏極（Drain）與源極之間的電流。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比，F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進(jìn)行導(dǎo)電，因此也被稱為單極型晶體管。分類：結(jié)...

在1884年，愛迪生被授予了此項發(fā)明的專業(yè)技術(shù)。由于當(dāng)時這種裝置實際上并不能看出實用價值，這項專業(yè)技術(shù)更多地是為了防止別人聲稱較早發(fā)現(xiàn)了這一所謂“愛迪生效應(yīng)”。20年后，約翰·弗萊明（愛迪生前雇員）發(fā)現(xiàn)了這一效應(yīng)的實用價值，它可以用來制作精確檢波器。1904年...

在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負(fù)極）時，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過。這是因為在P型半導(dǎo)體端為正電壓時，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運動，從而形成導(dǎo)通電流。同理，當(dāng)二極管加上反向...

光敏（光電）三極管，光敏三極管的基區(qū)面積比普通三極管大，而發(fā)射區(qū)面積較小。光敏三極管具有對光電信號的放大作用，當(dāng)光電信號從基極（大多數(shù)光窗口即為基極）輸入時，激發(fā)了基區(qū)半導(dǎo)體，產(chǎn)生電子和空穴的運動，從而在發(fā)射區(qū)有空穴的積累，相等于在發(fā)射極施加了正向偏壓，使光敏...

Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate，如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅，由電子組成的電流從...

MOSFET選型注意事項：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導(dǎo) 通。導(dǎo)通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻，...

開關(guān)時間：場效應(yīng)管從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通（或相反）所需的時間。柵極驅(qū)動電路的設(shè)計對開關(guān)時間有明顯影響，同時寄生電容的大小也會影響開關(guān)時間，此外，器件的物理結(jié)構(gòu)，也會影響開關(guān)速度。典型應(yīng)用電路：開關(guān)電路：開關(guān)電路是指用于控制場效應(yīng)管開通和關(guān)斷的電路。放大電路：場效...

MOSFET選型注意事項：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導(dǎo) 通。導(dǎo)通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻，...

雪崩失效的預(yù)防措施，雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效，因此預(yù)防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。1：合理降額使用，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點進(jìn)行選取。2：合理的變壓器反射電壓。合理的RCD及...

三極管的分類：晶體三極管按材料分類：鍺管和硅管。晶體三極管按工作頻率分類：小于3MHz為低頻;3MHz。晶體三極管按輸出功率分類：小于1W為小功率管;1W。晶體三極管按結(jié)構(gòu)分類：NPN型和PNP型，區(qū)分兩種三極管的關(guān)鍵是看發(fā)射極的箭頭指向。NPN型三極管： 由...

硅三極管比鍺管反向漏電流小，輸出特性平直、耐壓比較高，溫度特性較好。常用型號有：3DG系列高頻小功率硅三極管、3DX系列硅低頻管、3DA系列硅高頻大功率管、3CG系列硅高頻管、3CK系列開關(guān)三極管、3CX系列硅低頻管等。高頻管和低頻管（按特征頻率分），特征頻率...

實際放大電路，三極管在實際的放大電路中使用時，還需要加合適的偏置電路。這有幾個原因。首先是由于三極管BE結(jié)的非線性(相當(dāng)于一個二極管)，基極電流必須在輸入電壓大到一定程度后才能產(chǎn)生(對于硅管，常取0.7V)。當(dāng)基極與發(fā)射極之間的電壓小于0.7V時，基極電流就可...

三極管的性質(zhì)以NPN三極管為例：電流： 從基極B出來的電子和從集電極C出來的電子較終都會回到發(fā)射極E，當(dāng)作注入電子。即IE=IB+IC。UBE： 當(dāng)基極與發(fā)射極間電壓UBE0.7V時，IB激增，但是IB相對于IC來說還是很小。IC： 當(dāng)UC的值低于0.7V時，...

開關(guān)二極管，開關(guān)二極管是專門設(shè)計制造的一類二極管，用于在電路上“開”、“關(guān)”。與普通二極管相比，其由導(dǎo)通轉(zhuǎn)變?yōu)榻刂够蛴山刂棺優(yōu)閷?dǎo)通的時間較短。半導(dǎo)體二極管的導(dǎo)通相當(dāng)于一個閉合開關(guān)，截止時等效于開啟(斷開)，因此二極管可用作開關(guān)，常用型號1N4148開關(guān)二極管。...

晶體三極管的種類：硅管和鍺管（按半導(dǎo)體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導(dǎo)通時，發(fā)射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因為鍺材料制成的PN結(jié)比硅材料制成的PN結(jié)的正向?qū)妷旱停罢邽?.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極...

三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關(guān)。晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的主要元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個...

二極管（英語：Diode），是一種具有不對稱電導(dǎo)的雙電極電子元件。理想的二極管在正向?qū)〞r兩個電極（陽極和陰極）間擁有零電阻，而反向時則有無窮大電阻，即電流只允許由單一方向流過二極管。肖特基二極管，基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導(dǎo)體（N型硅片）的接觸面上，用...

三極管簡介，三極管，全稱為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導(dǎo)體器件，其作用是把基極電流的微小變化去控制集電極電流的巨大變化， 也用作無觸點開關(guān)。單片機(jī)應(yīng)用電路中三極管主要的作用就是開關(guān)作用。三極管的常用型號，三極管常用的型號有...

多晶硅金場效應(yīng)管在半導(dǎo)體制造工藝中獨樹一幟。多晶硅作為柵極材料，其晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，與金屬電極巧妙配合，如同精密的指揮家，能夠精細(xì)地調(diào)控溝道電流。在集成電路制造的復(fù)雜環(huán)境里，它展現(xiàn)出了良好的熱穩(wěn)定性與電學(xué)穩(wěn)定性。以電腦 CPU 為例，CPU 內(nèi)部集成了數(shù)十億個晶體...

二極管反向區(qū)也分兩個區(qū)域：當(dāng)VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當(dāng)V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、...

場效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴(kuò)...

1873年，弗雷德里克·格思里（ Frederick Guthrie ）發(fā)現(xiàn)了熱離子二極管的基本操作原理 [6] 。他發(fā)現(xiàn)了當(dāng)白熱化的接地金屬接近帶正電的驗電器時，驗電器的電會被引走；然而帶負(fù)電的驗電器則不會發(fā)生類似情況。這表明了電流只能向一個方向流動。188...

印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了頭一個使用晶體檢測無線電波的科學(xué)家。他也在厘米和毫米級別對微波進(jìn)行了研究 [10] [11] 。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（ Greenleaf Whittier Pickard ）發(fā)明了硅晶檢波器，并在...

場效應(yīng)管注意事項：為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采...

這里我們來認(rèn)識一個基礎(chǔ)的電子元器件：三極管。內(nèi)容主要概括為以下幾個方面：①認(rèn)識三極管；②三極管的分類；③三極管的工作原理；④三極管的3種狀態(tài)；⑤三極管的功能及應(yīng)用。接下來筆者一一為大家進(jìn)行介紹。什么是三極管？三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也被稱為雙極型晶體管或...