產(chǎn)品中心
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反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結構，使價電子脫離...
VMOS場效應管，VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展...
公司成立以來即專注于MOSFET、IGBT等半導體芯片和功率器件的研發(fā)、設計及銷售，產(chǎn)品質(zhì)量優(yōu)且系列齊全，廣泛應用于消費電子、汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領域；未來隨著云計算、大數(shù)據(jù)、智能電網(wǎng)、無人駕駛等領域的蓬勃發(fā)展。
