半導體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質從而形成雜質半導體來改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開關的方式之外，還有很多其他的功能，如：用來調節電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護電路（雪崩二極管），無線電調諧（變...

三極管顧名思義具有三個電極。二極管是由一個PN結構成的，而三極管由兩個PN結構成，共用的一個電極成為三極管的基極(用字母B表示——B取自英文Base，基本的、基礎的)，其他的兩個電極分別稱為集電極(用字母C表示——C取自英文Collector，收集)和發射極(...

大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。二極管較普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實際上二極管并不會表現出如此完美的開與關的方...

場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓進行控制”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴...

三極管的 3 種工作狀態，分別是截止狀態、放大狀態、飽和狀態。接下來分享在其他公眾號看到的一種通俗易懂的講法：1、截止狀態，三極管的截止狀態，這應該是比較好理解的，當三極管的發射結反偏，集電結反偏時，三極管就會進入截止狀態。這就相當于一個關緊了的水龍頭，水龍頭...

我們經常看MOS管的PDF參數，MOS管制造商采用RDS(ON)參數來定義導通阻抗，對開關應用來說，RDS(ON)也是較重要的器件特性。數據手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經開關的電流有關，但對于充分的柵極驅動，RDS(ON)是一個相對靜...

場效應管注意事項：（1）為了安全使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率，較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數的極限值。（2）各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接入電路中，要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是PN結，N溝...

值得注意的是，隨著電子技術的不斷發展，穩壓二極管和普通二極管也在不斷升級和優化。新型的穩壓二極管具有更高的精度和更低的功耗，能夠滿足更高要求的電路應用；而新型普通二極管則具有更快的響應速度和更高的可靠性，能夠更好地適應復雜的電路環境。總之，穩壓二極管和普通二極...

效應管與三極管的各自應用特點：1.場效應管在源極金屬與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大；而三極管的集電極與發射極互換使用時，其特性差異很大，β值將減小很多。2.場效應管的噪聲系數很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用...

瞬態抑制二極管(TVS管)，瞬態電壓抑制二極管英文名稱為Transient Voltage Suppressor，簡稱TVS，它是一種高效保護器件的一種二極管。當瞬態電壓抑制二極的兩極受到反向瞬態高能量沖擊時，它能以10的負12次方秒量級的速度，將其兩極間的高...

溝道增強型MOSFET場效應管的工作原理：vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結。當柵——源電壓vGS=0時，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結處于反偏狀態，...

極限參數：a.集電極較大允許電流ICM集電極較大允許電流是指當集電極電流IC增加到某一數值，引起β值下降到額定值的2/3或1/2時的IC值。所以當集電極電流超過集電極較大允許電流時，雖然不致使管子損壞，但β值明顯下降，影響放大質量。b.集電極—基極擊穿電壓U(...

三極管放大作用，集電極電流受基極電流的控制(假設電源能夠提供給集電極足夠大的電流的話)，并且基極電流很小的變化，會引起集電極電流很大的變化，且變化滿足一定的比例關系：集電極電流的變化量是基極電流變化量的β倍，即電流變化被放大了β倍，所以我們把β叫做三極管的放大...

強抗輻場效應管在深空探測中的意義：深空探測環境極端惡劣，強抗輻場效應管是探測器能夠正常工作的關鍵保障。探測器在穿越輻射帶、靠近太陽等過程中，會遭受宇宙射線的輻射，這種輻射強度遠遠超出了普通電子設備的承受能力。強抗輻場效應管采用特殊材料與結構，能夠有效抵御輻射粒...

二極管的參數是正確使用二極管的依據，一般半導體器件手冊中都給出不同型號管子參數。使用時，應特別注意不要超過較大整流電流和較高反向工作電壓，否則將容易損壞管子。用數字表示同類型器件的不同型號用字母表示器件的類型，P表示普通管用字母表示器件的材料，A表示N型Ge....

場效應管主要參數：1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項極限參數，是指場效應管性能不變壞...

電極，所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應BJT的基極（base）、集電極（collector）和發射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、...

反向偏置（Reverse Bias），在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為反向偏置。這種情況下，因為N型區域被注入空穴，P型區域被注入電子，兩個區域內的主要載流子都變為不足，因此結合部位的耗盡層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大...

什么是三極管？三極管全稱是“晶體三極管”，也被稱作“晶體管”，是一種具有放大功能的半導體器件。通常指本征半導體三極管，即BJT管。典型的三極管由三層半導體材料，有助于連接到外部電路并承載電流的端子組成。施加到晶體管的任何一對端子的電壓或電流控制通過另一對端子的...

如果我們在圖1中，將電阻Rc換成一個燈泡，那么當基極電流為0時，集電極電流為0，燈泡滅。如果基極電流比較大時(大于流過燈泡的電流除以三極管的放大倍數β)，三極管就飽和，相當于開關閉合，燈泡就亮了。由于控制電流只需要比燈泡電流的β分之一大一點就行了，所以就可以用...

接面電壓，當二極管的P-N結處于正向偏置時，必須有相當的電壓被用來貫通耗盡區，導致形成一反向的電壓源，此電壓源的電壓就稱為障壁電壓，硅二極管的障壁電壓約0.6V～0.7V，鍺二極管的障壁電壓約0.3～0.4V。種類：依照材料及發展年代分類：二極真空管；鍺二極管...

可以通過手動調節晶體表面上的導線，以獲得較佳的信號。這個較為麻煩的設備在20世紀20年代由熱離子二極管所取代。20世紀50年代，高純度的半導體材料出現。因為新出現的鍺二極管價格便宜，晶體收音機重新開始被大規模使用。貝爾實驗室還開發了鍺二極管微波接收器。20世紀...

晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。 當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相...

普通二極管是由一個PN結構成的半導體器件，即將一個PN結加一兩條電極引線做成管芯，并用管殼封裝而成。P型區的引出線稱為正極或陽極，N型區的引出線稱為負極或陰極，如圖1所示。普通二極管有硅管或鍺管兩種，它們的正向導通電壓（PN結電壓）差別較大，鍺管為0.2～0....

三極管的作用：1、用作開關，三極管的作用之二就是用作開關。三極管在飽和導通時，其CE極間電壓很小，低于PN結導通電壓，CE極間相當于短路，“開關”呈現開的狀態;三極管在截止狀態時，其CE極間電流很小，相當于斷路，“開關”呈現關的狀態。因此可完成開關的功能，且其...

雙柵極場效應管擁有兩個獨特的柵極，這一創新設計極大地拓展了其功能邊界，使其如同擁有兩個控制開關的精密儀器。兩個柵極可分別承擔不同的控制任務，例如一個柵極專注于信號輸入，如同信息的入口；另一個柵極負責增益控制，能夠根據信號強度靈活調整放大倍數。在電視調諧器中，復...

場效應管的用途：一、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。二、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。三、場效應管可以用作可變電阻。四、場效應管可以方便地用作...

按照用途可以分為四種 ：普通功率型晶體管 高頻大功率晶體管 超高頻大功率晶體管 特種功率型晶體管 按制造工藝分為六種：雙擴散硅雙基型 （bjt） 雙擴散鋁雙基型 （btjt） 單向晶閘管 （smcntctbtct等 ） 多晶閘管及門陣列式 （pmicmosfe...

三極管的原理，三極管可以看做一個小閥門控制大閥門的元件，基極和發射極原理為一個二極管，當給基極一個電壓，基極和發射極就會導通，基極也就有了電流，這個時候集電極和發射極也會導通，當基極電壓越大集電極流向發射極的電流也會越大，也就是閥門打開的越大，微弱的基極電流和...

金屬半導體場效應管（MESFET），其結構獨特之處在于利用金屬與半導體接觸形成的肖特基勢壘作為柵極。這種特殊的柵極結構，當施加合適的柵源電壓時，能夠極為精細地調控溝道的導電能力。從微觀層面來看，高純度的半導體材料使得電子遷移率極高，電子在其中移動時幾乎不受阻礙...