早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內部有一個PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。一般來講，晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間電荷層，...

場效應管注意事項：（1）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應當大于根部尺寸5毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。（2）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，...

判斷源極S、漏極D，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。丈量...

當滿足 MOS 管的導通條件時，MOS 管的 D 極和 S 極會導通，這個時候體二極管是截止狀態。因為 MOS 管導通內阻很小，不足以使寄生二極管導通。MOS管的導通條件，PMOS增強型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓；NMOS增強型管：...

什么是三極管？三極管全稱是“晶體三極管”，也被稱作“晶體管”，是一種具有放大功能的半導體器件。通常指本征半導體三極管，即BJT管。典型的三極管由三層半導體材料，有助于連接到外部電路并承載電流的端子組成。施加到晶體管的任何一對端子的電壓或電流控制通過另一對端子的...

下面對MOS失效的原因總結以下六點，然后對1，2重點進行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區...

眾所周知，傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，其兩大結構特點:頭一，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，...

現在的高清、液晶、等離子電視機中開關電源部分除了采用了PFC技術外，在元器件上的開關管均采用性能優異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管，使整機的效率、可靠較大程度上提高，故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶體三極管在結構、特性有著本質上的區別，所以在應用上，...

場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。作用：1.場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.場...

二極管的參數是正確使用二極管的依據，一般半導體器件手冊中都給出不同型號管子參數。使用時，應特別注意不要超過較大整流電流和較高反向工作電壓，否則將容易損壞管子。用數字表示同類型器件的不同型號用字母表示器件的類型，P表示普通管用字母表示器件的材料，A表示N型Ge....

mos管，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導體，MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在...

對比：場效應管與三極管的各自應用特點：1.場效應管的源極s、柵極g、漏極d分別對應于三極管的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。2.場效應管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數gm一般較小，因此場效應管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器...

晶體二極管分類如下：鍵型二極管，鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優良。多作開關用，有時也被應用于檢波和電源整流（不大于50m...

場效應管是一種電壓控制器件，其工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來控制漏極（Drain）與源極之間的電流。與傳統的雙極型晶體管（BJT）相比，FET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進行導電，因此也被稱為單極型晶體管。分類：結...

三極管的作用，晶體三極管具有電流放大作用，其實質是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極管較基本的和較重要的特性。我們將ΔIc/ΔIb的比值稱為晶體三極管的電流放大倍數，用符號“β”表示。電流放大倍數對于某一只三極管來說是一個定值...

二極管的英文是diode。二極管的正.負二個端子,一端稱為陽極,一端稱為陰極。電流只能從陽極向陰極方向移動。二極管是由半導體組成的器件。半導體無論哪個方向都能流動電流。二極管（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過。...

組成，FET由各種半導體構成，目前硅是較常見的。大部分的FET是由傳統塊體半導體制造技術制造，使用單晶半導體硅片作為反應區，或者溝道。大部分的不常見體材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中，或者有機場效應晶體管中的非晶半導體。有機場效應晶體管基于有機半...

江崎二極管，阻尼二極管又稱隧道二極管、穿隧效應二極管、穿隧二極管、透納二極管，英文名稱為Tunnel Diode，它是一種可以高速切換的半導體二極管，其切換速度可到達微波頻率的范圍，其原理是利用量子穿隧效應。它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。江崎二...

什么叫二極管？二極管分為哪幾種？二極管的主要參數有哪些？二極管基礎概念，二極管又稱晶體二極管,簡稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是一種具有單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內部有一個PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方...

半導體二極管的參數介紹如下：1、反向電流IR：指管子末擊穿時的反向電流， 其值愈小，則管子的單向導電性愈好。由于溫度增加，反向電流會急劇增加，所以在使用二極管時要注意溫度的影響。2、正向壓降VD：在規定的正向電流下，二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降...

漏極電流iD沿溝道產生的電壓降使溝道內各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄。但當vDS較小（vDS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來越薄，當vDS增加到使VGD...

增強型場效應管的工作機制充滿智慧。在常態下，其溝道如同關閉的閥門，處于截止狀態，沒有電流通過。而當柵源電壓逐漸升高并達到特定的開啟閾值時，如同閥門被打開，溝道迅速形成，電流得以順暢導通。這種獨特的特性使其在數字電路領域成為構建邏輯控制的元件。在微控制器芯片里，...

二極管的伏安特性曲線，半導體二極管較重要的特性是單向導電性。即當外加正向電壓時，它呈現的電阻（正向電阻）比較小，通過的電流比較大，當外加反向電壓時，它呈現的電阻（反向電阻）很大，通過的電流很小（通常可以忽略不計）。反映二極管的電流隨電壓變化的關系曲線，叫做二極...

多晶硅金場效應管在物聯網芯片中的作用：在物聯網蓬勃發展的時代，海量設備需要互聯互通，多晶硅金場效應管為物聯網芯片注入了強大動力。物聯網芯片需要在低功耗的前提下，高效處理大量的數據。多晶硅金場效應管的穩定性與低功耗特性完美契合這一需求。以智能家居傳感器節點芯片為...

計算導通損耗。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對便攜 式設計來說，采用較低的電壓比較容易(較為普遍)，而對于工業設計，可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微...

場效應管使用優勢：場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數載流子...

下面對MOS失效的原因總結以下六點，然后對1，2重點進行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區...

絕緣柵場效應管：1、絕緣柵場效應管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應管也有兩種結構形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。2、它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。3、...

相信大家在安裝設備時都需要使用到三級管，現在市面上的三極管型號及分類非常的多樣化，這里小編要為大家分享的是三級管作用是什么以及三級管產品的分類有哪些，想要了解的朋友不妨和小編一起來看看吧！三級管產品的分類有哪些？1、按照材質分可分為：硅管和鍺管。2、按照結構分...

基本結構三極管的內部構造非常簡單，主要由三部分構成：基區：由pn型材料組成、起導電作用的部分稱為本征層；集電極和發射極：分別由n型和p型的兩種半導體制成、起開關作用的部分稱為功能層或柵欄層；溝道和耗盡區：兩個相鄰的pn結之間有一條很窄的過渡區域叫做溝道。功能特...