將萬用表置于R×10k擋，一只手將兩個表筆分別接可變電容器的動片和定片的引出端，另一只手將轉軸緩緩旋動幾個來回，萬用表指針都應在無窮大位置不動。在旋動轉軸的過程中，如果指針有時指向零，說明動片和定片之間存在短路點；如果碰到某一角度，萬用表讀數不為無窮大而是出現...

檢測電位器的活動臂與電阻片的接觸是否良好。用萬用表的歐姆檔測“1”、“2”(或“2”、“3”)兩端，將電位器的轉軸按逆時針方向旋至接近“關”的位置，這時電阻值越小越好。再順時針慢慢旋轉軸柄，電阻值應逐漸增大，表頭中的指針應平穩移動。當軸柄旋至極端位置“3”時，...

無錫微原電子科技有限公司的集成電路芯片業務目前發展狀況和未來的規劃。 錫微原電子科技有限公司的集成電路芯片業務目前發展狀況良好，且有著明確的未來規劃。以下是具體介紹：目前發展狀況技術研發方面：公司擁有專業的技術團隊，具備較強的集成電路設計能力，能夠根...

非晶態半導體。它又被叫做無定形半導體或玻璃半導體，屬于半導電性的一類材料。非晶半導體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長程無序結構。它主要是通過改變原子相對位置，改變原有的周期性排列，形成非晶硅。晶態和非晶態主要區別于原子排列是否具有長程序。非晶...

場效應晶體管場效應晶體管依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。 控制橫向電場的電極稱為柵。根據柵的結構,場效應晶體管可以分為三種： ①結型場...

測量儀器是用來測量物理量的裝置。在物理科學、質量保證和工程中，測量是獲取和比較現實世界中物體和事件的物理量的行為。已建立的標準對象和事件被當做單位，在測量過程中給出與研究項目和參考測量單位相關的數字。所有測量儀器都會受到不同程度的儀器誤差和測量不確定度的影響。...

發展史： 1906年，美國發明家德福雷斯特（De Forest Lee）發明了真空三極管（電子管）。***代電子產品以電子管為**。四十年代末世界上誕生了***只半導體三極管，它以小巧、輕便、省電、壽命長等特點，很快地被各國應用起來，在很大范圍內取代...

計算機系統和大規模集成電路的使用，徹底改變了人們設計思想，對設計人員提出了很高的要求，更重要的是測試儀器可以直接采用***的計算機成果，使儀器的更新換代速度與計算機保持同步。國內測試儀器的總體技術水平：通用臺式儀器：微波毫米波儀器門類基本齊全，寬帶...

型號的分類： 芯片命名方式一般都是：字母+數字+字母前面的字母是芯片廠商或是某個芯片系列的縮寫。像MC開始的多半是摩托羅拉的，MAX開始的多半是美信的。中間的數字是功能型號。像MC7805和LM7805，從7805上可以看出它們的功能都是輸出5V，只...

模擬集成電路是指由電阻、電容、晶體管等元件集成在一起用來處理模擬信號的模擬集成電路。有許多的模擬集成電路，如集成運算放大器、比較器、對數和指數放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構成電路有：放大器、濾波器、反饋電路、...

導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子 - 空穴對，均能自由移動，即載流子，它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由于電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，...

電子測量儀器按其工作原理與用途，大致劃為以下幾類。 一、多用電表模擬式電壓表、模擬多用表（即指針式萬用表VOM）、數字電壓表、數字多用表（即數字萬用表DMM）都屬此類。這是經常使用儀表。它可以用來測量交流/直流電壓、交流/直流電流、電阻阻值、電容器容...

晶體二極管晶體二極管在電路中常用“D”加數字表示，如：D5表示編號為5的二極管。1、作用：二極管的主要特性是單向導電性，也就是在正向電壓的作用下，導通電阻很小；而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。正因為二極管具有上述特性，無繩電話機中常，把它用在整流、隔離...

產業格局加速整合市場集中度提高：少數幾家國際巨頭占據了大部分市場份額，并控制著先進的半導體制造技術和設備。同時，中國芯片設計行業也涌現出了一批具有競爭力的**企業，市場集中度呈現出高度集中化的特點。產業鏈協同發展：芯片設計企業需要加強與產業鏈上下游企業的合作和...

電解電容器的檢測A 因為電解電容的容量較一般固定電容大得多，所以，測量時，應針對不同容量選用合適的量程。根據經驗，一般情況下，1～47μF間的電容，可用R×1k擋測量，大于47μF的電容可用R×100擋測量。B 將萬用表紅表筆接負極，黑表筆接正極，在剛接觸的瞬...

晶體生長類型將純半導體單晶熔化成半導體，并緩慢擠壓生長成棒狀。回歸型它是從含有少量施主雜質和受主雜質的溶液中擠出來的，如果擠出速度快，則生長出P型半導體，如果慢則生長出N型半導體。因為基極區較厚，高頻特性較差。戈隆擴散當在擠壓過程中添加到溶解半...

檢驗時用十字絲豎絲瞄準一清晰小點，使望遠鏡繞橫軸上下轉動，如果小點始終在豎絲上移動則條件滿足．否則需要進行校正．校正時松開四個壓環螺釘（裝有十字絲環的目鏡用壓環和四個壓環螺釘與望遠鏡筒相連接。轉動目鏡筒使小點始終在十字絲豎絲上移動，校好后將壓環螺釘旋緊。 視準...

作用不同芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量，可以降低成本和增加功能，見摩爾定律，集成電路中的晶體管數量，每1.5年增加一倍。集成電路所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。IC可以在一塊豌...

同時其測距部分的外光路系統又能使測距部分的光敏二極管發射的調制紅外光在經物鏡射向反光棱鏡后，經同一路徑反射回來，再經分光棱鏡作用使回光被光電二極管接收；為測距需要在儀器內部另設一內光路系統，通過分光棱鏡系統中的光導纖維將由光敏二極管發射的調制紅外光傳也送給光電...

目前我國半導體材料在這方面的發展背景來看，應該在很大程度上去提高超高亮度，紅綠藍光材料以及光通信材料，在未來的發展的主要研究方向上，同時要根據市場上，更新一代的電子器件以及電路等要求進行強化，將這些光電子結構的材料，在未來生產過程中的需求進行仔...

應注意，有些型號的全站儀在距離測量時不能設定儀器高和棱鏡高，顯示的高差值是全站儀橫軸中心與棱鏡中心的高差。3）坐標測量（1）設定測站點的三維坐標。（2）設定后視點的坐標或設定后視方向的水平度盤讀數為其方位角。當設定后視點的坐標時，全站儀會自動計算后視方向的方位...

截至 2018 年，絕大多數晶體管都是使用平坦的二維平面工藝，在硅芯片一側的單層中制造的。研究人員已經生產了幾種有希望的替代品的原型，例如:堆疊幾層晶體管以制造三維集成電路(3DC)的各種方法，例如硅通孔，“單片 3D”， 堆疊引線接合， 和其他方法。由其他材...

這種由于電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發光）或晶格的熱振動能量（發熱）。在一定溫度下，電子-空穴對的產生和復合同時存在并達到動態平衡，此...

變容二極管發生故障，主要表現為漏電或性能變差：(1)發生漏電現象時，高頻調制電路將不工作或調制性能變差。(2)變容性能變差時，高頻調制電路的工作不穩定，使調制后的高頻信號發送到對方被對方接收后產生失真。出現上述情況之一時，就應該更換同型號的變容二極管。晶體三極...

電感 電感在電路中常用“L”加數字表示，如：L6表示編號為6的電感。電感線圈是將絕緣的導線在絕緣的骨架上繞一定的圈數制成。直流可通過線圈，直流電阻就是導線本身的電阻，壓降很小；當交流信號通過線圈時，線圈兩端將會產生自感電動勢，自感電動勢的方向與外加電...

糾纏量子光源2023年4月，德國和荷蘭科學家組成的國際科研團隊***將能發射糾纏光子的量子光源完全集成在一塊芯片上 。原子級薄晶體管2023年，美國麻省理工學院一個跨學科團隊開發出一種低溫生長工藝，可直接在硅芯片上有效且高效地“生長”二維（2D）過渡金屬二...

檢測10pF～0.01μF固定電容器是否有充電現象，進而判斷其好壞。萬用表選用R×1k擋。兩只三極管的β值均為100以上，且穿透電流要選用3DG6等型號硅三極管組成復合管。萬用表的紅和黑表筆分別與復合管的發射極e和集電極c相接。由于復合三極管的放大作用，把被測...

發展： **的集成電路是微處理器或多核處理器的**，可以控制計算機到手機到數字微波爐的一切。雖然設計開發一個復雜集成電路的成本非常高，但是當分散到通常以百萬計的產品上，每個集成電路的成本**小化。集成電路的性能很高，因為小尺寸帶來短路徑，使得低功率邏...

晶圓測試經過上面的幾道工藝之后，晶圓上就形成了一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。一般每個芯片的擁有的晶粒數量是龐大的，組織一次針測試模式是非常復雜的過程，這要求了在生產的時候盡量是同等芯片規格構造的型號的大批量的生產。數量越大相對成本...

集成電路的早期發展可以追溯到1949年，當時德國工程師沃納·雅可比[4]（西門子)[5]申請了集成電路狀半導體放大器的**[6]示出了公共襯底上的五個晶體管組成的三級放大器。雅可比披露了小巧便宜的助聽器作為他**的典型工業應用。他的**尚未被報道而立即用于商業...