伴隨著光纖通信技術的快速發展,小到芯片間,大到數據中心間的大規模數據交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯。目前,主流的光互聯技術分為兩類。一類是基于III-V族半導體材料,另一類是基于硅等與現有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料?;贗II-V族半導體材料的光互聯技術,在光學性能方面較好,但是其成本高,工藝復雜,加工困難,集成度不高的缺點限制了未來大規模光電子集成的發展。硅光芯片器件可將光子功能和智能電子結合在一起以提供潛力巨大的高速光互聯的解決方案。因為硅光芯片以硅作為集成芯片的襯底,所有能集成更多的光器件。北京硅光芯片耦合測試系統加工廠家
硅光芯片耦合測試系統是一種應用雙波長的微波光子頻率測量設備,以及一種微波光子頻率測量設備的校正方法和基于此設備的微波頻率測量方法。在微波光子頻率測量設備中,本發明采用獨特的雙環耦合硅基光子芯片結構,可以形成兩個不同深度的透射譜線。該系統采用一定的校準方法,預先得到微波頻率和兩個電光探測器光功率比值的函數,測量過程中,得到兩個電光探測器光功率比值后,直接采用查表法得到微波頻率。該系統將多個光學器件集成在硅基光學芯片上,從整體上減小了設備的體積,提高系統的整體可靠性。湖南震動硅光芯片耦合測試系統廠家當三維的粗耦合結束后,在計算機地控制下,將光纖陣列和波導端面的距離調整到預先設定的距離,進行微耦合。
硅光芯片耦合測試系統系統,該設備主要由極低/變溫控制子系統、背景強磁場子系統、強電流加載控制子系統、機械力學加載控制子系統、非接觸多場環境下的宏/微觀變形測量子系統五個子系統組成。其中極低/變溫控制子系統采用GM制冷機進行低溫冷卻,實現無液氦制冷,并通過傳導冷方式對杜瓦內的試樣機磁體進行降溫。系統產品優勢:1、可視化杜瓦,可實現室溫~4.2K變溫環境下光學測試根據測試。2、背景強磁場子系統能夠提供高達3T的背景強磁場。3、強電流加載控制子系統采用大功率超導電源對測試樣品進行電流加載,較大可實現1000A的測試電流。4、該測量系統不與極低溫試樣及超導磁體接觸,不受強磁場、大電流及極低溫的影響和干擾,能夠高精度的測量待測試樣的三維或二維的全場測量。
硅光芯片耦合測試系統系統的測試設備包括可調激光器、偏振控制器和多通道光功率計,通過光矩陣的光路切換,每一時刻在程序控制下都可以形成一個單獨的測試環路。其光路如圖1所示,光源出光包含兩個設備,調光過程使用ASE寬光源,以保證光路通過光芯片后總是出光,ASE光源輸出端接入1*N路耦合器;測試過程使用可調激光器,以掃描特定功率及特定波長,激光器出光后連接偏振控制器輸入端,以得到特定偏振態下光信號;偏振控制器輸出端接入1個N*1路光開光;切光過程通過輸入端光矩陣,包含N個2*1光開關,以得到特定光源。輸入光進入光芯片后由芯片輸出端輸出進入輸出端光矩陣,包含N個2*1路光開關,用于切換輸出到多通道光功率計或者PD光電二極管,分別對應測試過程與耦合過程。硅光芯片耦合測試系統系統已被應用于人類社會的各個領域。
硅光芯片耦合測試系統測試時說到功率飄忽不定,耦合直通率低一直是影響產能的重要的因素,功率飄通常與耦合板的位置有關,因此在耦合時一定要固定好相應的位置,不可隨便移動,此外部分機型需要使用專屬版本,又或者說耦合RF線材損壞也會對功率的穩定造成比較大的影響。若以上原因都排除則故障原因就集中在終測儀和機頭本身了。結尾說一說耦合不過站的故障,為防止耦合漏作業的現象,在耦合的過程中會通過網線自動上傳耦合數據進行過站,若MES系統的外觀工位攔截到耦合不過站的機頭,則比較可能是CB一鍵藕合工具未開啟或者損壞,需要卸載后重新安裝,排除耦合4.0的故障和電腦系統本身的故障之后,則可能是MES系統本身的問題導致耦合數據無法上傳而導致不過站的現象的。硅光芯片耦合測試系統保證產品質量一致性,節約了人力成本,降低對人工的依賴。北京硅光芯片耦合測試系統加工廠家
硅光芯片耦合測試系統是一種用于測試硅光芯片耦合效率和性能的設備。北京硅光芯片耦合測試系統加工廠家
硅光芯片耦合測試系統主要工作可以分為四個部分(1)從波導理論出發,分析了條形波導以及脊型波導的波導模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性。(2)針對倒錐型耦合結構,分析在耦合過程中,耦合結構的尺寸對插入損耗,耦合容差的影響,優化耦合結構并開發出行之有效的耦合工藝。(3)理論分析了硅光芯片調制器的載流子色散效應,分析了調制器的基本結構MZI干涉結構,并從光學結構和電學結構兩方面對光調制器進行理論分析與介紹。(4)利用開發出的耦合封裝工藝,對硅光芯片調制器進行耦合封裝并進行性能測試。分析并聯MZI型硅光芯片調制器的調制特性,針對調制過程,建立數學模型,從數學的角度出發,總結出調制器的直流偏置電壓的快速測試方法。并通過調制器眼圖分析調制器中存在的問題,為后續研發提供改進方向。北京硅光芯片耦合測試系統加工廠家