解決指南MLCC的彎曲裂紋對策概要圖1：元件體裂紋的情形（切面）印刷線路板的分割與螺絲緊固、振動與掉落所導致的沖擊會使MLCC（MultilayerCeramicChipCapacitor，積層貼片陶瓷片式電容器）的元件體產生裂紋，從而可能導致短路模式的故障。故障模式分為斷線狀態的開路模式與短路模式，因短路模式導致的故障甚至可能導致異常發熱、冒煙、起火等情況，因此對于要求可靠性的設備而言對策不可或缺。為避免彎曲裂紋，同時提高設備可靠性，hisdar提供經過冗長設計的特殊型MLCC產品?？蛻艨筛鶕猛具x擇產品,從而提高產品可靠性。MLCC發生彎曲裂紋的主要原因及過程電容器元件體內部發生裂紋，相對的內部電極導通時會發生彎曲裂紋。彎曲裂紋對策中需特別注意的應用及基板從SMD封裝到成套組裝工序中發生的細微裂紋在產品被送往市場使用的過程中將可能逐步發展成為電容器元件體裂紋。hisdar提供下述MLCC以解決彎曲裂紋問題1)金屬端子分散彎曲應力，降低施加于電容器上的負荷：金屬支架電容2)樹脂電極吸收彎曲應力，降低施加于電容器上的負荷：樹脂電珍品3)雙重故障安全功能設計可吸收彎曲應力，即使發生元件體裂紋時也能預防彎曲裂紋：安全設計品（CEU系列）4)即使元件體發生裂紋。現貨供應HM安規陶瓷電容器。云南高壓陶瓷電容器陶瓷電容器
分別固定安裝在陶瓷芯片兩端的電極上，其與陶瓷芯片兩端端面間隔平行設置，其與導電層間留有的間隙間距約～，通常選間隙間距。在本實施例中，均壓裝置為導電圓片，該導電圓片的外徑略大于陶瓷芯片直徑。在導電圓片對應電極位置處開設有帶有內螺紋的圓孔，導電圓片螺鎖在電極上實現固定。陶瓷芯片兩端電極上安裝的導電圓片材質、尺寸相同，其安裝后距離陶瓷芯片導電層的間距均相同。在導電圓片上圍繞電極至少開設有一圈數個均勻間隔分布的透孔5。透孔的作用為，在澆注時，導電圓片與陶瓷芯片導電層之間的澆注料的空氣氣泡可通過導電圓片上的透孔向外排出，避免導電圓片與陶瓷芯片導電層間澆注料的氣泡產生或澆注未填滿間隙的不良現象發生。裝配封裝：陶瓷芯片1的兩端涂布導電層，將電極2的連接基座3焊接在導電層上，再將導電圓片4旋緊固定在電極上，使導電圓片與陶瓷芯片的導電層呈平行狀態設置，且留有間隙。在陶瓷芯片一端的電極的開有內螺紋的孔中擰入螺釘6，在螺釘6上固定連接有引線7。在陶瓷芯片另一端的電極的開設有內螺紋的孔中連接有可與外部連接的導電連接件8。然后將裝配好的各部件進行絕緣樹脂封裝，在其外部包封一層絕緣樹脂層9。超高壓陶瓷電容器陶瓷電容器售后保障蘇州現貨供應陶瓷電容器。
使用建議在大于75℃的高溫場合，應盡量少用小尺寸的鋁電解電容。盡量選用容量較大的規格，發揮鋁電解電容的優勢。適宜用于工頻的整流平滑濾波、開關電源輸入濾波和低頻開關電源的輸出濾波等，不推薦用于高頻開關電源的輸出濾波。參數鉭電解電容電容量限于固體燒結型工藝結構和材料，其CV值（電容與電壓乘積）做不大，容量和電壓有一定范圍，一般從（常見的容量范圍1uF～220uF）；工作電壓從2V~50V（常見耐壓范圍為～50V）；容量的值隨著頻率的增大而減小，由于為固體MnO2電解質，其容量溫度特性較穩定，甚至溫度低到-190℃時，容量都只有10％減小量。ESRESR的溫度特性比較穩定。廠家給出100KHz的ESRzui大值，可以作為設計的參考，但是實際值一般比zui大值小很多。ESL良好布線情況下一般為2nH左右。板上工作頻率范圍中低頻濾波，不超過數MHz，主要為幾百KHz到數MHz之間?？煽啃员∪觞c及其避免鉭電解電容的可靠應用主要關注電壓降額和電壓變化速度，無法得到足夠電壓降額，同時上下電較快的地方建議用其他電容替代。同時邊緣規格的鉭電容工藝不夠成熟，慎用，特別是高可靠要求場合上不宜使用。使用建議15V以上直流電壓的濾波不建議使用鉭電容。
陶瓷電容器的3種典型失效模式與7種失效原因：陶瓷電容器耐壓失效3種典型模式：第1種模式：電極邊緣瓷片貫穿(擊穿點在銀面邊緣位置)﹔A.可能原因:1.粉末及其配制問題2.素地邊緣的致密性不佳B.失效模式在制程中的具體表現﹕1.銀面邊緣位置針kong2.銀面邊緣位置針kong﹐同時此位置部份陶瓷炸裂。3.裂痕（先針kong后裂痕﹐素子表面有燒蝕碳化之小黑點﹐裂痕為新痕跡。C.應對措施:信息及時反饋前段制程﹐要求其改善提升素地整體耐壓水準第2種模式：瓷片延邊導通或瓷片邊緣破裂破損(擊穿點在素子側面)﹔A.可能原因:1.素地表面有污點﹐如銀﹑助焊劑﹑油質﹑焊錫渣等2.涂料中有導電雜質3.涂料中有氣泡4.涂料致密性不佳5.涂料包封層固化不充分B.失效模式在制程中的具體表現﹕1.跨弧2.崩邊3.側邊炸裂C.應對措施:1.素子外觀（擴散﹑側邊沾銀）管控﹔2.助焊劑液面控管適中﹐及瓷片浸入深度控管﹔3.及時徹底清理錫槽中的錫渣等雜質﹔4.涂料的絕緣品質證﹔5.涂料包封及固化工序質量保證。第3種模式：電極內瓷片貫通(擊穿點在素子（銀面）中心及其周邊位置)。高頻陶瓷電容器_y1y2系列。
第三個字對應在上述溫度范圍內的電容值變動：字母（低溫）數字（高溫）字母（容值變動）X=?55°C(?67°F)2=+45°C(+113°F)D=±?30°C(?22°F)4=+65°C(+149°F)E=±+10°C(+50°F)5=+85°C(+185°F)F=±°C(+221°F)P=±10%7=+125°C(+257°F)R=±15%8=+150°C(+302°F)S=±22%T=+22to?33%U=+22to?56%V=+22to?82%一個標示Z5U的電容，其工作溫度為+10°C至+85°C，容值變動范圍在+22%至?56%之間。標示X7R的電容，其工作溫度為-55°C至+125°C，容值變動范圍在±15%之間。溫度補償型電容也針對電容的溫度系數有三個字的識別碼，但規則和上述的不同。第yi個字表示電容隨溫度的變動量，以ppm/°C來表示，第二個字是其10的乘冪，第二個字是電容隨溫度的變動量（以ppm/°C來表示）的zui大允許誤差，所以數值均是以25至85°C為準：zui高位數字乘冪允許誤差C::-1G:±30B::-10H:±60L::-100J:±120A::-1000K:±250M::+1L:±500P::+10M:±1000R::+100N:±2500S::+1000T:::，其容值不會隨溫度變化，誤差在±30ppm/°C之間，而標示P3K的電容，其容值飄移量為?1500ppm/°C，zui大誤差在±250ppm/°C。除了EIA的電容識別碼外，也有工業及jun事應用的電容識別碼。哪家的陶瓷電容器價格比較低？南陽Y1瓷片電容器陶瓷電容器
口碑好的陶瓷電容器的機構聯系方式。云南高壓陶瓷電容器陶瓷電容器
陶瓷電容陶瓷電容器是以陶瓷為介電質的電容器。其結構是由二層或更多層交替出現的陶瓷層和金屬層所組成，金屬層連結到電容器的電極。陶瓷材料的成分決定了陶瓷電容器的電氣特性及其應用范圍，依穩定性可分為以下三類：Class1陶瓷電容器：有高穩定性和低損失，適用于諧振電路的應用。Class2陶瓷電容器：其容積效率高，但穩定性及準確度較差，適用于緩沖、解耦及旁路電路。Class3陶瓷電容器：其容積效率更高，但其穩定性及準確度更差。陶瓷電容器是電子設備中zui常使用的電容，每年的產量約為一兆顆[1]。其中zui常用的是積層陶瓷電容器（MLCC），且有采用表面安裝技術的元件。陶瓷電容上會印有三位數的編碼標示其電容值，前二個數字標示容值zui高的二位數，zui后一數字則標示10的次方，其單位為皮法拉（pF）。數字后會有一個字母標示其電容允差范圍[4]。B±pFC±pFM±20%D±pFP+100?0%J±5%Y?20+50%K±10%Z?20+80%例：一陶瓷電容標示104K，表示其容值為10×104pF=100,000pF=100nF=μF±10%EIA也有針對電容的溫度系數有三個字的識別碼。對于不是Class1的非溫度補償型電容，第yi個字對應工作溫度的下限，第二個字為數字，對應工作溫度的上限。云南高壓陶瓷電容器陶瓷電容器
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