洛陽超高壓陶瓷電容器陶瓷電容器

來源: 發(fā)布時間:2021-11-01

Y1電容器的特點及應(yīng)用:

簡單來說,Y1電容器就是分別跨接在電力線兩線和地之間(L-E,N-E)的電容,一般是成對出現(xiàn)?;诼╇娏鞯南拗?,Y電容值不能太大,一般X電容是uF級,Y電容是nF級。X電容yi制差模干擾,Y1電容器yi制共模干擾。Y1電容器特點:

體積??;

通過并符合安規(guī)認證的交流電容器;

高頻損耗小,可承受交流尖峰浪涌沖擊;

過電流能力強,容量和損耗衰減很?。?

使用壽命長;

Y1額定電壓<400-500VAC,實驗電壓4000VAC;

Y電容常采用高壓瓷片;

Y1屬于雙絕緣Y電容,用于跨接一二次側(cè);

阻燃的環(huán)氧樹脂封裝,安規(guī)電容是指用于這樣的場合,即電容器失效后,不會導(dǎo)致電擊,不危及人身安全。Y1電容器應(yīng)用領(lǐng)域:廣泛應(yīng)用于小家電產(chǎn)品、電源產(chǎn)品、機電馬達,LED燈飾、充電器、不間斷電源、濾波器、電子整流器、汽車電子、安防等等行業(yè)。 陶瓷電容器的的發(fā)展趨勢。洛陽超高壓陶瓷電容器陶瓷電容器

    由于內(nèi)部回復(fù)力(如極化產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力的釋放等)作用,各晶粒自發(fā)極化只能在一定程度上按原外電場方向取向,陶瓷內(nèi)的極化強度不再為零,如圖(c)。這種極化強度,稱為剩余極化。與單位體積內(nèi)的自發(fā)極化的相轉(zhuǎn)變相同的是電容率,可視為靜電容量進行觀測。當沒有外加直流電壓時,自發(fā)極化為隨機取向狀態(tài),但當從外部施加直流電壓時,由于電介質(zhì)中的自發(fā)極化受到電場方向的束縛,因此不易發(fā)生自發(fā)極化時的自由相轉(zhuǎn)變。其結(jié)果導(dǎo)致,得到的靜電容量較施加偏壓前低。這就是當施加了直流電壓后,靜電容量降低的原理。此外,對于溫度補償用電容器(CH、SL特性等),以常誘電性(低介電常數(shù))陶瓷作為主要原料,靜電容量不因直流電壓特性而發(fā)生變化。DC偏置使得介質(zhì)內(nèi)的固定電荷產(chǎn)生固定偏轉(zhuǎn),所以材料的性能會退化。高偏置的強電場讓介質(zhì)定向極化,材料就退回到普通陶瓷的情況了。如果我們在電容兩端施加交流信號,則會出現(xiàn)電容值增大的現(xiàn)象。交流信號讓介質(zhì)中的“固定”電荷來回換向,從而影響材料內(nèi)的電場分布,“吸附”更多的電荷。AC幅值增加,“電荷”方向和電場越一致,附加的電場強度上升,可用容量增加;但是當介質(zhì)中固定電荷場強一致之后,這個效益就很小了。無錫陶瓷電容器高壓取電用蘇州質(zhì)量好的陶瓷電容器的機構(gòu)聯(lián)系方式。

    陶瓷電容器的3種典型失效模式與7種失效原因:陶瓷電容器耐壓失效3種典型模式:第1種模式:電極邊緣瓷片貫穿(擊穿點在銀面邊緣位置)﹔A.可能原因:1.粉末及其配制問題2.素地邊緣的致密性不佳B.失效模式在制程中的具體表現(xiàn)﹕1.銀面邊緣位置針kong2.銀面邊緣位置針kong﹐同時此位置部份陶瓷炸裂。3.裂痕(先針kong后裂痕﹐素子表面有燒蝕碳化之小黑點﹐裂痕為新痕跡。C.應(yīng)對措施:信息及時反饋前段制程﹐要求其改善提升素地整體耐壓水準第2種模式:瓷片延邊導(dǎo)通或瓷片邊緣破裂破損(擊穿點在素子側(cè)面)﹔A.可能原因:1.素地表面有污點﹐如銀﹑助焊劑﹑油質(zhì)﹑焊錫渣等2.涂料中有導(dǎo)電雜質(zhì)3.涂料中有氣泡4.涂料致密性不佳5.涂料包封層固化不充分B.失效模式在制程中的具體表現(xiàn)﹕1.跨弧2.崩邊3.側(cè)邊炸裂C.應(yīng)對措施:1.素子外觀(擴散﹑側(cè)邊沾銀)管控﹔2.助焊劑液面控管適中﹐及瓷片浸入深度控管﹔3.及時徹底清理錫槽中的錫渣等雜質(zhì)﹔4.涂料的絕緣品質(zhì)證﹔5.涂料包封及固化工序質(zhì)量保證。第3種模式:電極內(nèi)瓷片貫通(擊穿點在素子(銀面)中心及其周邊位置)。

    因為擊穿時局部發(fā)熱嚴重,較薄的管壁或較小的瓷體容易燒毀或斷裂。此外,以二氧化鈦為主的陶瓷介質(zhì)中,負荷條件下還可能產(chǎn)生二氧化鈦的還原反應(yīng),使鈦離子由四價變?yōu)槿齼r。陶瓷介質(zhì)的老化顯著降低了電容器的介電強度,可能引起電容器擊穿。因此,這種陶瓷電容器的電解擊穿現(xiàn)象比不含二氧化鈦的陶瓷介質(zhì)電容器更加嚴重。銀離子遷移使電容器極間邊緣電場發(fā)生嚴重畸變,又因高濕度環(huán)境中陶瓷介質(zhì)表面凝有水膜,使電容器邊緣表面電暈放電電壓顯著下降,工作條件下產(chǎn)生表面極間飛弧現(xiàn)象。嚴重時導(dǎo)致電容器表面極間飛弧擊穿。表面擊穿與電容結(jié)構(gòu)、極間距離、負荷電壓、保護層的疏水性與透濕性等因素有關(guān)。邊緣表面極間飛弧擊穿的主要原因是,介質(zhì)留邊量較小,在潮濕環(huán)境中工作時的銀離子遷移和表面水膜形成使電容器邊緣表面絕緣由于銀離子遷移的產(chǎn)生與發(fā)展需要一段時間,所以在耐壓試驗初期,失效模式以介質(zhì)擊穿為主,直到試驗500h以后,只要失效模式才過度為邊緣表面極間飛弧擊穿。4.電極材料的改進陶瓷電容器一直使用銀電極。銀離子遷移和由此而引起含鈦陶瓷介質(zhì)的加速老化是導(dǎo)致陶瓷電容器失效的主要原因。有的廠家生產(chǎn)陶瓷電容器已不用銀電極,而改用鎳電極。選擇海視達電子科技有限公司陶瓷電容器,給您帶來經(jīng)濟實用的產(chǎn)品。

    高壓瓷片電容器有幾百伏的,有幾千伏的,一般在容值下面標出XXKV。電容的容量標識的幾種方法:一、直接標識:如其電解電容,容量47uf,電容耐壓25v。二、使用單位nf:如上圖的滌綸電容,標稱4n7,即,轉(zhuǎn)換為pf即為4700pf。還有的例如:10n,即,即。后面的63是指電容耐壓63v。三、數(shù)學(xué)計數(shù)法:如瓷介電容,標值104,容量就是:10X10000pf=,即為47X1000pf=。(后面的4、3,都表示10的多少次方)。又如:332=33X100pf=3300pf。電容的使用,都應(yīng)該在指定的耐壓下工作?,F(xiàn)在的好多質(zhì)量不高的產(chǎn)品,就因為使用了耐壓不足的電容而引起故障(常見電容爆裂)。電容識別:1、電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示(如C13表示編號為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠,中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小,電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗,它與交流信號的頻率和電容量有關(guān)。容抗XC=1/2πfc(f表示交流信號的頻率,C表示電容容量)電話機中常用電容的種類有電解電容、瓷片電容、貼片電容、獨石電容、鉭電容和滌綸電容等。2、電容識別方法:電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同。什么地方需要使用陶瓷電容器。陜西Y2瓷片電容器陶瓷電容器

蘇州質(zhì)量好的陶瓷電容器的機構(gòu)。洛陽超高壓陶瓷電容器陶瓷電容器

    常用于生產(chǎn)比容較大、標稱容量較高的大容量電容器產(chǎn)品。但其容量穩(wěn)定性較X7R差,容量、損耗對溫度、電壓等測試條件較敏感,主要用在電子整機中的振蕩、耦合、濾波及旁路電路中。MGLednc特點:溫度特性好,頻率特性好。一般電容隨著頻率的上升,電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律,獨石電容下降比較少,容量比較穩(wěn)定。MGLednc獨石電容的特點和瓷片電容的特點又有什么區(qū)別呢?獨石電容的特點是:MGLednc電容量大,穩(wěn)定,容量范圍是10pF~10uF;體積小,比CBB電容體積還?。荒透邷啬蜐裥院茫粶仄禂?shù)小瓷片電容的特點是:MGLednc體積小,高頻特性好;比獨石電容耐壓高;容量小,*大只有比獨石電容價格低。(本文授權(quán)自公眾號硬件十萬個為什么;圖片引用自知乎用戶王一一《談?wù)勲娙荨?。洛陽超高壓陶瓷電容器陶瓷電容?/p>

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