第二位一部分有效數字為比較大工作中溫度；第三部分成隨溫度轉變的容時容差（以ppm/℃表明）。這三一部分的英文字母與數據所表述的實際意義如表。普遍的Ⅱ類陶瓷電容器有：X7R、X5R、Y9V、Z5U在其中：X7R表明為：***位X為**少工作中溫度-55℃，第二位的數字7位比較大工作中溫度+125℃，第三位英文字母R為隨溫度轉變的阻值誤差±15%；X5R表明為：***位X為**少工作中溫度-55℃，第二位的數字5位比較大工作中溫度+85℃，第三位英文字母R為隨溫度轉變的阻值誤差±15%；Y9V表明為：***位Y為**少工作中溫度-30℃，第二位的數字5位比較大工作中溫度+85℃，第三位英文字母V為隨溫度轉變的阻值誤差+22%，-82%±15%。Z5U表明為：***位Z為**少工作中溫度+10℃，第二位的數字5位比較大工作中溫度+85℃，第三位英文字母U為隨溫度轉變的阻值誤差+22%，-56%，陶瓷電容器的特性阻抗頻率特點***類介質的陶瓷電容器的ESR隨頻率而升高。醫療器械用高壓陶瓷電容器。高壓瓷片電容器陶瓷電容器廠家現貨
這種瓷料的成型性能比其他高介電容器瓷好，因而也是制造大功率瓷介電容器的主要瓷料之一。鈦酸鈣瓷以鈦酸鈣（CaTiO3）為主晶相，屬鈣鈦礦型結構。這種瓷料的相對介電常數高，約140～150，介質損耗小，約為（2～4）×10-4，它是一種常用的電容器陶瓷，可用于制造對容量穩定性要求不高的槽路電容器、高頻旁路電容器和耦合電容器，還可作為各種電容器瓷料的溫度系數調節劑。鈦酸鈣瓷的相對介電常數很高，但介電常數的溫度系數卻為很大的負值，可以制造出一種相對介電常數與鈦酸鈣相當，而溫度系數卻和金紅石相當的鈦酸鈣一鉍化合物一鈦酸鍶系瓷。鈦酸鎂系瓷主要包括鈦酸鎂瓷、鈦酸鎂一鈦酸鈣系瓷、鈦酸鎂一鈦酸鑭一鈦酸鈣系瓷等。其中鈦酸鎂瓷主晶相為正鈦酸鎂（2MgO·TiO2）。相對介電常數約16～18，αε=（30±10）×10-6/℃，tanδ=（1～3）×10-4，很適于制造熱穩定性高的瓷介電容器。鈦酸鋯系瓷的主晶相是鈦酸鋯（ZrTiO3），這類瓷具有良好的介電性能，介質損耗小，在高溫下的介電性能及穩定性優于其他瓷介。鋯酸鹽瓷的主要優點是高溫介電性能比含鈦陶瓷高，含鈦的金紅石瓷、鈦酸鎂瓷等通常只能在85℃下工作。工作溫度太高且在直流電場作用下。重慶陶瓷電容器品質保障現貨供應HM安規陶瓷電容器。
工作電壓從5V～500V。從25℃到高溫極限，容量增加不超過5％～10％；對于－40℃極限的電容，在－40℃時，低壓電容的容量會下降20％，高壓電容則下降有40％之多；在－20℃到－40℃溫度區間時，容量下降zui快；對于－55℃極限的電容，在－40℃時，下降通常不超過10％；在－55℃時，不超過20％。ESR100kHz/25℃下，ESR值一般在幾十mΩ～Ω，LowESR型號的一般幾十mΩ。ESR值隨著溫度的變化而變化，一般從25℃到高溫極限，ESR會下降大約35％～50％；而從25℃到低溫極限，ESR會增大10到100倍。ESL鋁電解電容的寄生串聯電感值ESL，其值較為穩定，并不隨頻率和溫度變化，對于通用鋁電解電容，ESL不會超過100nH,如SMT封裝，其值在2nH~8nH范圍內；徑向插裝:10nH~30nH;螺旋式（screw-terminal）：20nH~50nH;而軸向插裝的結構，其值則可以達到200nH。板上工作頻率范圍主要為低頻濾波，不超過幾百KHz，但是對1MHz以內仍有一些作用?？煽啃员∪觞c及其避免鋁電解電容的可靠應用主要是關注溫度，因為鋁電容的電解質為液態，芯子發熱將導致電解液揮發，長期下去zui終干涸失效，當電容應用在脈沖交流電路中時，紋波電流流經ESR產生的損耗發熱將嚴重影響了器件的使用壽命。
多層片狀陶介電容器具體不良可分為:1、熱擊失效2、扭曲破裂失效3、原材失效三個大類（１）熱擊失效模式：熱擊失效的原理是：在制造多層陶瓷電容時，使用各種兼容材料會導致內部出現張力的不同熱膨脹系數及導熱率。當溫度轉變率過大時就容易出現因熱擊而破裂的現象，這種破裂往往從結構zui弱及機械結構zui集中時發生，一般是在接近外露端接和中央陶瓷端接的界面處、產生zui大機械張力的地方（一般在晶體zui堅硬的四角），而熱擊則可能造成多種現象：第yi種是顯而易見的形如指甲狀或U-形的裂縫第二種是隱藏在內的微小裂縫第二種裂縫也會由裸露在外的中央部份，或陶瓷/端接界面的下部開始，并隨溫度的轉變，或于組裝進行時，順著扭曲而蔓延開來（見圖4）。第yi種形如指甲狀或U-形的裂縫和第二種隱藏在內的微小裂縫，兩者的區別只是后者所受的張力較小，而引致的裂縫也較輕微。第yi種引起的破裂明顯，一般可以在金相中測出，第二種只有在發展到一定程度后金相才可測。（２）扭曲破裂失效此種不良的可能性很多：按大類及表現可以分為兩種：第yi種情況、SMT階段導致的破裂失效當進行零件的取放尤其是SMT階段零件取放時，取放的定中爪因為磨損、對位不準確，傾斜等造成的。濾波器用Y1Y2陶瓷電容器。
陶瓷電容不滿足高耐壓與大容量的情況下，我們不得不選擇鉭電容。陶瓷電容的儲能效果，不能按照并聯的容值去等效，達到相同的效果需要的代價也非常大。5.鉭電容的容值的溫度穩定性比較好。在一些耦合、濾波的場景，如果對相位，和濾波的頻率特性要求比較高的場景，同時容量精度要求比較高的場景，會選用無極性的鉭電容。如高音質要求的音頻電路設計。我們需要考慮不同溫度情況下的電容的準確性和一致性。陶瓷電容的溫度特性顯然不夠穩定。6.在鉭電容器工作過程中，具有自動修補或隔絕氧化膜中的疵點所在的性能，使氧化膜介質隨時得到加固和恢復其應有的絕緣能力，而不致遭到連續的累積性破壞。這種獨特自愈性能，保證了其長壽命和可靠性的優勢?！X電解電容由于干涸不能滿足壽命的場景。第yi、鉭電容失效的模式很kong怖，輕則燒毀冒煙，重則火光四濺。這里不去贅述“鉭電容”的失效模式的原理。通過這個失效的現象，就知道：如果電容失效，只是短路造成電路無法工作，或者工作不穩定，都是小問題，大不了退貨。但是如果造成了客戶場地失火，則是需要賠償對方的人員及財產損失的。那就麻煩大了。這是我們不要去選用鉭電容的重要原因。質量好的陶瓷電容器的找誰好？四川陶瓷電容器工業
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獨石電容和瓷片電容都屬于陶瓷電容，整體構造上看獨石電容和瓷片電容的區別是：獨石電容是多層陶瓷電容的別稱，獨石電容是由多層介質和多對電極構成的，而瓷片電容一般是由一層介質和一對電極構成的，瓷片電容分為高頻瓷介和低頻瓷介兩種。MGLedncMGLednc外觀上看獨石電容和瓷片電容的區別是：獨石電容其實是陶瓷貼片電容焊引線后燒結而成，一般是方形，而瓷片電容是片狀，大多是圓片形狀；容量和耐壓上看獨石電容和瓷片電容的區別是：同體積下，獨石電容的電容量遠遠大于瓷片電容的電容量，而瓷片電容的耐壓高于獨石電容的耐壓。MGLedncMGLednc瓷片電容(CeramicDiscCapacitor)瓷片電容一般是由一層介質和一對電極構成的。其主要優點就是可以耐高壓，通常用作安規電容，可以耐250V交流電壓。其外觀和結構如下圖所示：MGLedncMGLednc瓷片電容在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經高溫燒結后作為電極而成的電容器。通常用于高穩定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數的電容器，用于高穩定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用。高壓瓷片電容器陶瓷電容器廠家現貨
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