面板廠為補償較低的開口率，多運用在背光模塊搭載較多LED的技術，但此作法的缺點是用電量較高。若運用NIL制程，可確保適當的開口率，降低用電量。利用一般曝光設備也可在玻璃基板上形成偏光膜。然8代曝光設備一次可形成的圖樣面積較小。若要制造55吋面板，需要經過數十次的曝光制程。不僅制程時間長，經過多次曝光后，在圖樣間會形成細微的縫隙，無法完整顯示影像。若將NIL技術應用在5代設備，可一次形成55吋、60吋面板的偏光膜圖樣。在8代基板可制造6片55吋面板，6次的壓印接觸可處理完1片8代基板。南韓業者表示，在玻璃基板上形成偏光圖樣以提升質量的生產制程，是LCD領域中***一個創新任務。若加速NIL制程導入LCD生產的時程，偏光膜企業的營收可能減少。（來自網絡。 NIL已被證明是能夠在大面積上制造納米圖案的最經濟、高 效的方法。EVG770納米壓印美元價
納米壓印光刻設備-處理結果：
新應用程序的開發通常與設備功能的提高緊密相關。 EVG的NIL解決方案能夠產生具有納米分辨率的多種不同尺寸和形狀的圖案，并在顯示器，生物技術和光子應用中實現了許多新的創新。HRI SmartNIL®壓印上的單個像素的1.AFM圖像壓印全息結構的AFM圖像
資料來源：EVG與SwissLitho
AG合作（歐盟項目SNM）
2.通過熱壓花在PMMA中復制微流控芯片
資料來源：EVG
3.高縱橫比（7：1）的10 μm柱陣列
由加拿大國家研究委 員會提供
4.L / S光柵具有優化的殘留層，厚度約為10 nm
資料來源：EVG
5.紫外線成型鏡片300 μm
資料來源：EVG
6.光子晶體用于LED的光提取
多晶硅的蜂窩織構化（mc-Si）
由Fraunhofer ISE提供
7.金字塔形結構50 μm
資料來源：EVG
8.最小尺寸的光模塊晶圓級封裝
資料來源：EVG
9.光子帶隙傳感器光柵
資料來源：EVG（歐盟Saphely項目）
10.在強光照射下對HRISmartNIL®烙印進行完整的晶圓照相
資料來源：EVG EVG620NT納米壓印保修期多久EVG高達300 mm的高精度聚合物透鏡成型和堆疊設備支持晶圓級光學（WLO）的制造。
EVG ® 6200 NT特征：
頂部和底部對準能力
高精度對準臺
自動楔形補償序列
電動和程序控制的曝光間隙
支持最 新的UV-LED技術
最小化系統占地面積和設施要求
分步流程指導
遠程技術支持
多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）
敏捷處理和轉換工具
臺式或帶防震花崗巖臺的單機版
EVG ® 6200 NT附加功能：
鍵對準
紅外對準
智能NIL ®
μ接觸印刷技術數據
晶圓直徑（基板尺寸）
標準光刻：75至200 mm
柔軟的UV-NIL：75至200毫米
SmartNIL ®：最多至150mm
解析度：≤40 nm（分辨率取決于模板和工藝）
支持流程：軟UV-NIL＆SmartNIL
®
曝光源：汞光源或紫外線LED光源
對準：軟NIL：≤±0.5 μm；SmartNIL ®：≤±3微米
自動分離：柔紫外線NIL：不支持；SmartNIL
®：支持
工作印章制作：柔軟的UV-NIL：外部；SmartNIL ®：支持
EVG610特征：
頂部和底部對準能力
高精度對準臺
自動楔形誤差補償機制
電動和程序控制的曝光間隙
支持最 新的UV-LED技術
最小化系統占地面積和設施要求
分步流程指導
遠程技術支持
多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）
敏捷處理和光刻工藝之間的轉換
臺式或帶防震花崗巖臺的單機版
EVG610附加功能：
鍵對準
紅外對準
納米壓印光刻
μ接觸印刷
EVG610技術數據：
晶圓直徑（基板尺寸）
標準光刻：最 大150毫米的碎片
柔軟的UV-NIL：最 大150毫米的碎片
解析度：≤40 nm（分辨率取決于模板和工藝）
支持流程：柔軟的UV-NIL
曝光源：汞光源或紫外線LED光源
自動分離：不支持
工作印章制作：外部
最小外形尺寸和大體積創新型光子結構提供了更多的自由度，這對于實現衍射光學元件（DOE）至關重要。
SmartNIL技術簡介
SmartNIL是基于紫外線曝光的全域型壓印技術，可提供功能強大的下一代光刻技術，幾乎具有無限的結構尺寸和幾何形狀功能。由于SmartNIL集成了多次使用的軟標記處理功能，因此還可以實現無與倫比的吞吐量，并具有顯著的擁有成本的優勢，同時保留了可擴展性和易于維護的操作功能。另外，主模板的壽命延長到與用于光刻的掩模相當的時間。岱美作為EVG在中國區的代理商，歡迎各位聯系我們，探討納米壓印光刻的相關知識。我們愿意與您共同進步。
EVG ? 610也可以設計成紫外線納米壓印光刻系統。襯底納米壓印報價
EVG系統是客戶進行大批量晶圓級鏡頭復制（制造）的第 一選擇。EVG770納米壓印美元價
IQ Aligner UV-NIL特征：
用于光學元件的微成型應用
用于全場納米壓印應用
三個獨立控制的Z軸，可在印模和基材之間實現出色的楔形補償
三個獨立控制的Z軸，用于壓印抗蝕劑的總厚度變化（TTV）控制
利用柔軟的印章進行柔軟的UV-NIL工藝
EVG專有的全自動浮雕功能
抵抗分配站集成
粘合對準和紫外線粘合功能
IQ Aligner UV-NIL技術數據：
晶圓直徑（基板尺寸）：150至300毫米
解析度：≤50 nm（分辨率取決于模板和工藝）
支持流程：柔軟的UV-NIL，鏡片成型
曝光源：汞光源
對準：≤±0.5微米
自動分離：支持的
前處理：涂層：水坑點膠（可選）
迷你環境和氣候控制：可選的
工作印章制作：支持的
EVG770納米壓印美元價
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