觸發(fā)電流（I_gt）和觸發(fā)電壓（V_gt）：用于觸發(fā)晶閘管導通的電流和電壓。關斷時間（t_q）：晶閘管從完全導通狀態(tài)到完全關斷狀態(tài)所需的時間。導通壓降（V_f）：晶閘管在導通狀態(tài)下兩端的電壓降。浪涌電流能力（I_tsm）：晶閘管能夠承受的短時過載電流。動態(tài)dv...

變壓器的設計一般只看額定容量，而不看額定功率，因為其電流只與額定容量有關。對于電壓源型變頻器，由于其輸入功率因數接近于1，所以額定容量與額定功率幾乎相等。電流源型變頻器則不然，其輸入側變壓器功率因數**多等于負載異步電機的功率因數，所以對于相同的負載電機，其額...

建筑與家用電器：在建筑照明系統(tǒng)中，晶閘管模塊通過智能模塊精確控制燈光亮度，可以實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的效果。同時，在空調、洗衣機、微波爐等家電中，晶閘管模塊用于實現(xiàn)準確的溫控和能耗管理，提高了設備的使用壽命和可靠性。醫(yī)療設備：晶閘管模塊用于控制X射線機、CT掃描儀等設備...

?IGBT驅動電路是一種復合全控型電壓驅動式功率的半導體器件IGBT驅動電路是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時對其進行保護的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻...

另一方面，非穿通(NPT)技術則是基于不對少子壽命進行殺傷而有很好的輸運效率，不過其載流子注入系數卻比較低。進而言之，非穿通(NPT)技術又被軟穿通(LPT)技術所代替，它類似于某些人所謂的“軟穿通”(SPT)或“電場截止”(FS)型技術，這使得“成本—性能”...

2、轉移驅動器的功率損耗電容電感都是無功元件，如果沒有柵極電阻，驅動功率就將絕大部分消耗在驅動器內部的輸出管上，使其溫度上升很多。3、調節(jié)功率開關器件的通斷速度柵極電阻小，開關器件通斷快，開關損耗小；反之則慢，同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和...

晶閘管整流器是一種整流器，拖動裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動機供電。這種拖動裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動機供電，所以又稱。電動機的電樞和磁場均可由晶閘管整流器供電，因為該整流器的直流電壓可通過觸發(fā)延遲角均勻調節(jié)，電...

散熱性能好：模塊設計通常考慮了散熱問題，能夠在高功率下穩(wěn)定工作。在使用晶閘管模塊時，需要注意其工作環(huán)境、散熱設計以及觸發(fā)電路的設計，以確保其正常運行和延長使用壽命。晶閘管（Thyristor）是一種半導體器件，廣泛應用于電力電子領域。它是一種具有四層半導體材料...

由于整流變繞組電流是非正弦的含有很多高次諧波，為了減小對電網的諧波污染，為了提高功率因數，必須提高整流設備的脈波數，這可以通過移相的方法來解決。移相的目的是使整流變壓器二次繞組的同名端線電壓之間有一個相位移。整流變壓器***用于各類行業(yè)之中，主要分為照明、機床...

· 驅動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅動器的數據表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅動器時必須要考慮。另外在IGBT驅動器選擇中還應該注意的參數包括絕緣電壓Visol IO 和...

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內部的正反饋，則也會被觸發(fā)導通。應用安裝時，首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個...

(2) 認真核對變壓器基礎橫、縱軸線尺寸及預埋管位置，并與圖紙所給尺寸核對，無誤后方可進行下一步工作。2.2 變壓器開箱檢查(1) 變壓器到貨后開箱檢查時，應會同業(yè)主、監(jiān)理及廠家的有關人員一同檢查。(2) 在卸車前測量和記錄沖擊記錄器的沖擊值，這個數值應小于3...

晶閘管模塊：現(xiàn)代電力電子技術的關鍵器件在當今的電力電子技術領域，晶閘管模塊作為一種關鍵的功率半導體器件，扮演著舉足輕重的角色。它不僅在整流、調壓、逆變等電力轉換過程中發(fā)揮著重要作用，還在眾多工業(yè)應用領域中展現(xiàn)了其獨特的價值和優(yōu)勢。本文將深入探討晶閘管模塊的基本...

當控制極G接收到觸發(fā)信號時，晶閘管會從截止狀態(tài)轉變?yōu)閷顟B(tài)。值得注意的是，一旦晶閘管導通，即使控制極信號消失，只要陽極和陰極間維持著正向電壓，它將繼續(xù)保持導通狀態(tài)，直到陽極電流降至維持電流以下或陽極出現(xiàn)反向偏置時，才會重新回到截止狀態(tài)。二、應用領域晶閘管模塊...

這個直流方波電壓經過 Lf和 Cf組成的輸出濾波器后成為一個平直的直流電壓，其電壓值為VO =D*Vin/K，其中 D 是占空比，D=2Ton/Ts，Ton 是導通時間，Ts 是開關周期。通過調節(jié)占空比D來調節(jié)輸出電壓 VO。 這種基本的全橋 PWM 開關變換...

橋式電路的特點是整流橋中有兩組：共陰極組和共陽極組，兩組共同串聯(lián)到負載上，因此適宜在高電壓、小電流情況下運行。如果電源大小合適，可不用變壓器。在低電壓、大電流情況下運行應是兩組三相半波電路的并聯(lián)結線（圖2d）。并聯(lián)后，利用變壓器繞組的適當連接，消除了直流磁化，...

在使用IGBT的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程...

IGBT電源模塊通過集成MOSFET的柵極絕緣層與GTR的雙極型導電機制，實現(xiàn)低損耗高頻開關功能。其柵極電壓控制導通狀態(tài)，當施加正向電壓時形成導電溝道，集電極-發(fā)射極間呈現(xiàn)低阻抗特性 [1]主要部署于高壓能量轉換場景：1.工業(yè)控制：驅動交流電機調速系統(tǒng)，提升變...

阻性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍。感性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍。2、導通角要求模塊在較小導通角時（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，...

有些驅動器只有一個輸出端，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網絡，用以調節(jié)2個方向的驅動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻，防止在未接驅動引線的情況下，偶然加主電高壓，通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IG...

當控制極G接收到觸發(fā)信號時，晶閘管會從截止狀態(tài)轉變?yōu)閷顟B(tài)。值得注意的是，一旦晶閘管導通，即使控制極信號消失，只要陽極和陰極間維持著正向電壓，它將繼續(xù)保持導通狀態(tài)，直到陽極電流降至維持電流以下或陽極出現(xiàn)反向偏置時，才會重新回到截止狀態(tài)。二、應用領域晶閘管模塊...

晶閘管控制電抗器也稱晶閘管相控變壓器（TCR）。TCR是SVC中**重要的組成部件之一，IEEE將晶閘管相控電抗器(TCR)定義為一種并聯(lián)型晶閘管控制電抗器，通過控制晶閘管的導通時間，它的有效電抗可以連續(xù)變化。基本的單相TCR由反并聯(lián)的一對晶閘管閥T1、T2與...

移相全橋 PWM DC/DC 變換器基本的全橋電路結構基本的 DC/DC 全橋變換器由全橋逆變器和輸出整流濾波電路構成，右圖 顯示了PWM DC/DC 全橋變換器的電路基本拓撲結構及主要波形。Vin是直流輸入電壓，Q1&D1～Q4&D4構成變換器的兩個橋臂，高...

但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的，如圖2所示。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來...

1、盡量減小柵極回路的電感阻抗，具體的措施有：a)驅動器靠近IGBT減小引線長度；b) 驅動的柵射極引線絞合，并且不要用過粗的線；c) 線路板上的 2 根驅動線的距離盡量靠近；d) 柵極電阻使用無感電阻；e) 如果是有感電阻，可以用幾個并聯(lián)以減小電感。2、IG...

晶閘管（Thyristor）是一種半導體器件，廣泛應用于電力電子領域。它的主要功能是控制電流的開關，能夠在高電壓和大電流的條件下穩(wěn)定工作。晶閘管的基本結構由四層半導體材料（P-N-P-N結構）組成，具有三個PN結。晶閘管的工作原理是，當施加一個觸發(fā)信號到其門極...

?IGBT驅動電路是一種復合全控型電壓驅動式功率的半導體器件IGBT驅動電路是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時對其進行保護的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻...

?IGBT驅動電路是一種復合全控型電壓驅動式功率的半導體器件IGBT驅動電路是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時對其進行保護的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻...

這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導通（可控硅中通...

DP型18脈沖自耦變壓整流器圖2 DP 型 18 脈沖自耦變壓整流器電路圖DP型18脈沖自耦變壓整流器的電路原理如右圖2所示，自耦變壓器用于產生滿足整流器要求的三組三相電壓。在三組三相電壓中，其中主三相電壓（Va，Vb，Vc）與電網輸入電壓幅值相位相同，直接供...