GaN砂輪技術

優普納砂輪以國產價格提供進口品質，單次加工成本降低40%。例如，進口砂輪精磨8吋SiC晶圓磨耗比通常超過250%，而優普納產品只需200%，且Ra≤3nm的精度完全滿足5G、新能源汽車芯片制造需求。客戶反饋顯示，國產替代后設備停機更換頻率減少50%，年維護成本節省超百萬元。針對不同設備（如DISCO-DFG8640、東京精密HRG200X），優普納提供基體優化設計砂輪，增強冷卻液流動性，減少振動。支持定制2000#至30000#磨料粒度，適配粗磨、半精磨、精磨全工藝。案例中，6吋SiC晶圓使用30000#砂輪精磨后TTV≤2μm，表面質量達國際先進水平。通過持續的技術研發和工藝改進 優普納碳化硅晶圓減薄砂輪在性能上不斷突破 為國產半導體加工設備及耗材力量。GaN砂輪技術

在第三代半導體材料加工領域，江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪憑借其高精度加工能力脫穎而出。采用專研的強度高微晶增韌陶瓷結合劑，砂輪在磨削過程中展現出優越的穩定性，能夠有效減少振動，確保加工后的晶圓表面粗糙度極低。無論是6吋還是8吋的SiC線割片，使用優普納砂輪加工后，表面粗糙度Ra值均能達到納米級別，總厚度變化TTV控制在微米級別以內。這種高精度的加工能力，不只滿足了半導體制造的需求，也為優普納在國產碳化硅減薄砂輪市場奠定了堅實的基礎，助力其品牌形象進一步鞏固。耐磨砂輪使用方法在東京精密-HRG200X減薄機上，優普納砂輪加工6吋SiC線割片，磨耗比為15%，Ra≤30nm，TTV≤3μm。

針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩定在2μm以下。DISCO設備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產品。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。

在科技日新月異的當下，非球面微粉砂輪行業的技術創新浪潮洶涌澎湃，江蘇優普納科技有限公司始終勇立潮頭。在結合劑技術創新方面，公司取得了重大突破。例如，研發出一種新型復合結合劑，融合了樹脂結合劑的良好自銳性與金屬結合劑的高剛性。這種結合劑在保證磨粒牢固把持的同時，極大地提升了砂輪的自銳性能，使砂輪在磨削過程中能始終保持高效切削狀態，大幅提高了加工效率與表面質量。在磨粒制備技術上，優普納針對不同光學材料的加工特性，開發出一系列定制化磨粒。對于硬度較高的光學玻璃材料，通過優化金剛石微粉磨粒的粒徑、形狀及表面處理工藝，使其在磨削時能更高效地切入材料，降低磨削力，減少工件表面損傷風險。此外，在砂輪制造工藝上，引入先進的自動化生產設備與高精度檢測技術。自動化設備實現了對砂輪制造過程的精確控制，從磨粒與結合劑的混合比例到砂輪成型的每一個環節，都能確保高度一致性；高精度檢測技術則對砂輪的各項性能指標進行實時監測，保證每一片出廠的砂輪都具備穩定且優越的性能，持續推動非球面微粉砂輪技術邁向新高度，為行業發展注入源源不斷的活力。砂輪于東京精密-HRG200X減薄機上，使8吋SiC線割片磨耗比達300% Ra≤3nm TTV≤2μm 彰顯高精度與高磨耗比優勢。

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，展現了強大的設備適配性。其基體優化設計能夠根據客戶不同設備需求進行定制，無論是東京精密還是DISCO的減薄機，都能完美適配。這種強適配性不只減少了客戶在設備調整上的時間和成本，還確保了加工過程的高效性和穩定性。在DISCO-DFG8640減薄機的實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優普納砂輪都能保持穩定的性能，滿足不同加工需求。這種綜合優勢，使得優普納的砂輪在市場上更具競爭力，能夠快速響應客戶需求，為客戶提供一站式的解決方案。在東京精密-HRG200X減薄機上，優普納砂輪對6吋SiC線割片進行精磨，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。半導體磨削砂輪客戶反饋

從材料特性分析到加工工藝定制，優普納為客戶提供全方面的解決方案，確保不同應用場景下的高效性和穩定性。GaN砂輪技術

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅減薄砂輪，采用自主研發的強度高微晶增韌陶瓷結合劑及多孔砂輪顯微組織調控技術，打破國外技術壟斷，實現國產化替代。相比進口砂輪，產品磨耗比降低至15%-35%（粗磨）及100%-300%（精磨），表面粗糙度Ra≤3nm，TTV精度達2μm以內，適配東京精密、DISCO等國際主流設備。例如，在8吋SiC線割片加工中，砂輪磨耗比只為30%（粗磨）和200%（精磨），效率提升20%以上，明顯降低客戶綜合成本。歡迎您的隨時咨詢~GaN砂輪技術