海視達(dá)制造經(jīng)驗(yàn)豐富的陶瓷電容器,的制造商和出口商,工廠位于蘇州。我們一貫供應(yīng)和出口高品質(zhì)產(chǎn)品,并通過(guò)公司上下員工的一致努力和恪守公平交易的商業(yè)信念,不斷改良產(chǎn)品的制造工藝和我們的工作環(huán)境。帶著我們對(duì)客戶的熱誠(chéng)和辛勤工作,我們保證產(chǎn)品的質(zhì)量符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。如果您對(duì)我們?nèi)我豢钍礁信d趣,歡迎您隨時(shí)和我們聯(lián)系。我們的宗旨是通過(guò)按客戶原樣或高于客戶要求提供優(yōu)zhi的陶瓷電容器產(chǎn)品和服務(wù)來(lái)實(shí)現(xiàn)客戶對(duì)我們產(chǎn)品的滿意。我們致力于滿足從中小型企業(yè)到大型公司不同客戶群對(duì)絲帶產(chǎn)品的制造要求。作為zhu名的制造商,出口商,在這一領(lǐng)域的進(jìn)口商和供應(yīng)商之一,我們提供我們的客戶zui優(yōu)zhi的陶瓷電容器。我們?cè)谔幚砀?..
EIA也有針對(duì)電容的溫度系數(shù)有三個(gè)字的識(shí)別碼。對(duì)于不是Class 1的非溫度補(bǔ)償型電容,第yi個(gè)字對(duì)應(yīng)工作溫度的下限,第二個(gè)字為數(shù)字,對(duì)應(yīng)工作溫度的上限,第三個(gè)字對(duì)應(yīng)在上述溫度范圍內(nèi)的電容值變動(dòng):字母(低溫)數(shù)字(高溫)字母(容值變動(dòng))X= ?55 °C (?67 °F)2= +45 °C (+113 °F)D= ±3.3%Y= ?30 °C (?22 °F)4= +65 °C (+149 °F)E= ±4.7%Z= +10 °C (+50 °F)5= +85 °C (+185 °F)F= ±7.5%6=+105 °C (+221 °F)P= ±10%7=+125 °C (+257 °F)R=...
陶瓷電容器簡(jiǎn)述二十世紀(jì)西班牙L.隆巴迪創(chuàng)造發(fā)明瓷器介質(zhì)電容器。30年代末大家發(fā)覺在瓷器中加上鈦酸鹽可使相對(duì)介電常數(shù)成倍增加,因此生產(chǎn)制造出較劃算的瓷介質(zhì)電容器。1940年前后左右大家發(fā)覺了如今的陶瓷電容器的關(guān)鍵原料BaTiO3(鈦酸鋇)具備介電強(qiáng)度后,剛開始將陶瓷電容器應(yīng)用于對(duì)既中小型、精密度規(guī)定又非常高的國(guó)防用電子產(chǎn)品之中。而瓷器卷繞電容器于1960年上下做為產(chǎn)品剛開始開發(fā)設(shè)計(jì)。來(lái)到1972年,伴隨著混和IC、電子計(jì)算機(jī)、及其便攜式電子產(chǎn)品的發(fā)展也隨著快速的發(fā)展趨勢(shì)起來(lái),變成電子產(chǎn)品中不能缺乏的零部件。如今的瓷器介質(zhì)電容器的所有總數(shù)約占電容器銷售市場(chǎng)的70%上下。瓷器介質(zhì)電容器的導(dǎo)體...
像下面的電路中,鋁電解電容旁邊都會(huì)并聯(lián)一個(gè)小的瓷片電容。很多人都知道大電解電容起到貯能和濾除低頻信號(hào)的作用,而小瓷片電容起到濾除高頻信號(hào)的作用。然而,這是為什么呢?為什么鋁電解電容不能濾除高頻信號(hào)而小的瓷片電容卻可以濾除高頻信號(hào)?我們都知道電容容抗的公式為:從上面的公式可以看出,當(dāng)C和f很大時(shí),容抗XC將會(huì)很小,按理說(shuō)大容量鋁電解電容是可以濾除高頻信號(hào)的,那么為什么說(shuō)大容量的電解電容不能濾除高頻信號(hào)呢?這是因?yàn)殇X電解電容,有很大的電感成分,其等效模型如下:由于電感有隔交通直的作用,所以當(dāng)頻率越高電容的阻抗反而會(huì)增加。如下圖:所以鋁電解電容不能濾除高頻信號(hào)。當(dāng)輸入為低頻信號(hào)的時(shí)候,由電感...
陶瓷電容器概述1900年意大利L.隆巴迪發(fā)明陶瓷介質(zhì)電容器。30年代末人們發(fā)現(xiàn)在陶瓷中添加鈦酸鹽可使介電常數(shù)成倍增長(zhǎng),因而制造出較便宜的瓷介質(zhì)電容器。1940年前后人們發(fā)現(xiàn)了現(xiàn)在的陶瓷電容器的主要原材料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性后,開始將陶瓷電容器使用于對(duì)既小型、精度要求又極高的jun事用電子設(shè)備當(dāng)中。而陶瓷疊片電容器于1960年左右作為商品開始開發(fā)。到了1970年,隨著混合IC、計(jì)算機(jī)、以及便攜電子設(shè)備的進(jìn)步也隨之迅速的發(fā)展起來(lái),成為電子設(shè)備中不可缺少的零部件。現(xiàn)在的陶瓷介質(zhì)電容器的全部數(shù)量約占電容器市場(chǎng)的70%左右。陶瓷介質(zhì)電容器的絕緣體材料主要使用陶瓷,其基本構(gòu)造是將陶瓷和...
鉭電容不需像普通電解電容那樣使用鍍了鋁膜的電容紙繞制,本身幾乎沒有電感,但這也限制了它的容量。——我們?cè)诖笕萘浚切枰虴SL的場(chǎng)景,我們就選用鉭電容。2.由于鉭電容內(nèi)部沒有電解液,很適合在高溫下工作。——一些溫度范圍要求比較寬的場(chǎng)景。3.鉭電容器的工作介質(zhì)是在鉭金屬表面生成的一層極薄的五氧化二鉭膜。此層氧化膜。介質(zhì)與組成電容器的一端極結(jié)合成一個(gè)整體,不能單獨(dú)存在。因此單位體積內(nèi)具有非常高的工作電場(chǎng)強(qiáng)度,所具有的電容量特別大,即比容量非常高,因此特別適宜于小型化。——集成度比較高的場(chǎng)景,用鋁電解電容占的面積比較大,陶瓷電容容量不夠的場(chǎng)景。4.鉭電容的性能優(yōu)異,是電容器中體積小而又能達(dá)...
根據(jù)上述內(nèi)容,在使用高介電常數(shù)系列電容器時(shí),應(yīng)充分考慮其實(shí)際工作狀態(tài)下,施加在電容兩端的直流電壓。此外,對(duì)于DC偏壓特性,是普遍現(xiàn)象,在所有高介電常數(shù)系列電容器中都有此現(xiàn)象。可以通過(guò)軟件來(lái)確認(rèn)偏壓特性、溫度特性以及頻率特性。例如村田提供SimSurfing。各個(gè)廠家都會(huì)提供相應(yīng)的表格或者工具。關(guān)于DC偏壓特性的原理陶瓷電容器中的高介電常數(shù)系列電容器,現(xiàn)在主要使用以BaTiO3(鈦酸鋇)作為主要成分的電介質(zhì)。BaTiO3具有如下圖所示的鈣鈦礦(perovskite)形的晶體結(jié)構(gòu),在居里溫度以上時(shí),為立方晶體(cubic),Ba2+離子位于頂點(diǎn),O2-離子位于表面中心,Ti4+離子位于立方...
高壓瓷片電容在于應(yīng)用在什么場(chǎng)所,典型性功效能夠清chu高頻率影響。2、在功率大的、高壓行業(yè)應(yīng)用的高壓瓷器電容器,規(guī)定具備中小型、高抗壓和頻率特點(diǎn)好等特性。近些年伴隨著原材料、電級(jí)和生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展,高壓瓷器電容器的發(fā)展趨勢(shì)有長(zhǎng)久的進(jìn)度,并獲得廣fan運(yùn)用。高壓瓷器電容器已變成功率大的高壓電子設(shè)備不能缺乏的元器件之一。3、高壓瓷器電容器的主要用途關(guān)鍵分成合閘、配電系統(tǒng)的電氣設(shè)備和解決單脈沖動(dòng)能的機(jī)器設(shè)備。由于供電系統(tǒng)的獨(dú)特,自然環(huán)境的極端,規(guī)定電容具備強(qiáng)力的可靠性,即彈性系數(shù)要小;另外,計(jì)量檢定,儲(chǔ)能技術(shù),分壓電路等商品規(guī)定高精度,這對(duì)處在這類自然環(huán)境下的高壓瓷器電容器的局放,即局放量擁有...
不當(dāng)返修也是溫度沖擊裂紋的重要原因。多層陶瓷電容器的特點(diǎn)是能夠承受較大的壓應(yīng)力,但抵抗彎曲能力比較差,任何可能產(chǎn)生彎曲變形的操作都可能導(dǎo)致器件開裂。使用建議單板布線時(shí)不要把陶瓷電容布放在應(yīng)力區(qū),例如單板的邊緣、緊固件附近等等,zui大限度地使多層陶瓷電容器避開在工藝過(guò)程中可能產(chǎn)生較大機(jī)械應(yīng)力的區(qū)域。除了NPO電容比較穩(wěn)定外,X7R電容和Z5U電容(或Y5V)容量具有隨溫度和偏壓變化的特性。來(lái)源:SMT前列人脈圈以上一文,僅供參考!歡迎來(lái)電咨詢合明科技電子元器件助焊劑,SIP系統(tǒng)級(jí)封裝芯片水基清洗方案,表面貼裝元器件焊后清洗劑,PCB波峰焊清洗劑,治具助焊劑清洗劑,助焊劑清洗劑,PCB治...
為了更好地阻攔噪音由輸出控制回路進(jìn)到負(fù)荷或是低頻無(wú)線電波由鍵入電路進(jìn)到開關(guān)電源,一般在電路中連接陶瓷電容,用它來(lái)抑止正態(tài)噪音和用以低通濾波。這類功效的電容稱之為旁通電容,它連接在主電路的輸出電路中,其旁實(shí)際效果比較好。這類電容的電容量一般為220~3301080F,抗壓范疇視電路功效而定,一般為500V~。4.濾掉噪音。電源變壓器的鍵入控制回路常連有溝通交流電路過(guò)濾器,它的功效是濾掉外界噪音的進(jìn)到與內(nèi)部噪聲的傳來(lái),這類濾掉噪音的電容都用陶瓷電容。接在開關(guān)電源三相五線的電容,抑止噪音的頻率較低,需要的電容量很大,抗壓為279V,稱它為X電容。二、陶瓷電容的特性:1)構(gòu)造簡(jiǎn)易,生產(chǎn)加工生產(chǎn)...
Y5U等低頻介質(zhì)陶瓷電容器只能應(yīng)用在1KHZ以內(nèi)的場(chǎng)合,主要是在工頻50HZ環(huán)境一應(yīng)用。Y5T,Y5P等II類陶瓷電容器則可以在高頻(30KHZ~100KHZ)環(huán)境下應(yīng)用。N4700則可以應(yīng)用在550KHZ以上的高頻環(huán)境。材料等級(jí)越高,頻率范圍越高,比如說(shuō)NP0,N150,N750等,能在1GHZ以上應(yīng)用。民用的直流高壓陶瓷電容器主要包括以下參數(shù):1.電壓等級(jí);2.容量等級(jí);3.溫度系數(shù);4.外觀尺寸;5.頻率特性;6.損耗因素;7.絕緣電阻;8.漏電流;9.內(nèi)阻[2]。高壓陶瓷電容器交流高壓陶瓷電容器編輯交流高壓陶瓷電容器,主要應(yīng)用在交流電壓的工作場(chǎng)合,如電力檢測(cè)設(shè)備,國(guó)家電網(wǎng)設(shè)備等...
交流高壓陶瓷電容器,主要應(yīng)用在交流電壓的工作場(chǎng)合,如電力檢測(cè)設(shè)備,國(guó)家電網(wǎng)設(shè)備等.交流高壓陶瓷電容器對(duì)電容器的各項(xiàng)指標(biāo)要求較高,一般要求以下參數(shù):1.交流工作電壓;2.雷電沖擊電壓;3.局部放電水平;4.溫度變化率;5.較高的頻率特性;6.損耗角正切值;7.電壓線性度特性;8.過(guò)電流能力;9.絕緣電阻;10.漏電流;以上各項(xiàng)指標(biāo)是電力公司在衡量一顆電容器是否達(dá)到要求的必須指標(biāo).除此之外還會(huì)有尺寸,包封村料,外觀等各項(xiàng)要求.折疊編輯本段表現(xiàn)方面三,***直流高壓陶瓷電容器,同(一),是以直流電壓為工作電壓,往往要求比(一)更嚴(yán)格,在各方面都會(huì)有明確的指標(biāo).主要表現(xiàn)在以下各方面:1.鍍錫層...
而高壓陶瓷電容不需要認(rèn)證,所以本體表面沒有絲印的認(rèn)證標(biāo)志。2、Y電容除了絲印安規(guī)認(rèn)證標(biāo)識(shí),還會(huì)絲印該電容的安全等級(jí)是Y幾;而高壓陶瓷電容只會(huì)絲印容量與耐壓;此圖為Y電容。此圖為高壓陶瓷電容上一篇:安規(guī)電容器應(yīng)用在哪些場(chǎng)合下一篇:整流濾波電路電容的選擇看過(guò)《安規(guī)Y電容和普通的高壓瓷片電容怎么區(qū)分》的人還看了以下文章高壓瓷片電容及電容器檢測(cè)的方法高壓瓷片電容及電容器檢測(cè)的方法1.固定電容器的檢測(cè):A檢測(cè)10pF以下的小電容。因10pF以下的固定電容器容量太小,用萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)量,只能定性的檢查其是否有漏電,內(nèi)部短路或擊穿現(xiàn)象。測(cè)量時(shí),可選用萬(wàn)用表R10k擋,用兩表筆分別任意接電容的兩個(gè)引腳,...
在陶瓷基片上采用化學(xué)鍍鎳工藝。由于鎳的化學(xué)穩(wěn)定性比銀好,電遷移率低,提高了陶瓷電容器的性能和可靠性。又如,以銀做電極的獨(dú)石低頻瓷介質(zhì)電容器,由于銀電極和瓷料在900℃下一次燒結(jié)時(shí)瓷料欠燒不能獲得致密的陶瓷介質(zhì),存在較大的氣孔率;此外銀電極常用的助溶劑氧化鋇會(huì)滲透到瓷體內(nèi)部,在高溫下依靠氧化鋇和銀之間良好的浸潤(rùn)“互熔”能力,使電極及介質(zhì)內(nèi)部出現(xiàn)熱擴(kuò)散現(xiàn)象,即宏觀上看到的“瓷吸銀”現(xiàn)象。銀伴隨著氧化鋇進(jìn)入瓷體中后,大da減薄了介質(zhì)的有效厚度,引起產(chǎn)品絕緣電阻的減少和可靠性的降低。為了提高獨(dú)石電容器的可靠性,改用銀-鈀電極代替通常含有氧化鋇的電極,并且在材料配方中添加了1%的5#玻璃粉。消除...
解決指南MLCC的彎曲裂紋對(duì)策概要圖1:元件體裂紋的情形(切面)印刷線路板的分割與螺絲緊固、振動(dòng)與掉落所導(dǎo)致的沖擊會(huì)使MLCC(MultilayerCeramicChipCapacitor,積層貼片陶瓷片式電容器)的元件體產(chǎn)生裂紋,從而可能導(dǎo)致短路模式的故障。故障模式分為斷線狀態(tài)的開路模式與短路模式,因短路模式導(dǎo)致的故障甚至可能導(dǎo)致異常發(fā)熱、冒煙、起火等情況,因此對(duì)于要求可靠性的設(shè)備而言對(duì)策不可或缺。為避免彎曲裂紋,同時(shí)提高設(shè)備可靠性,hisdar提供經(jīng)過(guò)冗長(zhǎng)設(shè)計(jì)的特殊型MLCC產(chǎn)品。客戶可根據(jù)用途選擇產(chǎn)品,從而提高產(chǎn)品可靠性。MLCC發(fā)生彎曲裂紋的主要原因及過(guò)程電容器元件體內(nèi)部發(fā)生裂...
這種瓷料的成型性能比其他高介電容器瓷好,因而也是制造大功率瓷介電容器的主要瓷料之一。鈦酸鈣瓷以鈦酸鈣(CaTiO3)為主晶相,屬鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)。這種瓷料的相對(duì)介電常數(shù)高,約140~150,介質(zhì)損耗小,約為(2~4)×10-4,它是一種常用的電容器陶瓷,可用于制造對(duì)容量穩(wěn)定性要求不高的槽路電容器、高頻旁路電容器和耦合電容器,還可作為各種電容器瓷料的溫度系數(shù)調(diào)節(jié)劑。鈦酸鈣瓷的相對(duì)介電常數(shù)很高,但介電常數(shù)的溫度系數(shù)卻為很大的負(fù)值,可以制造出一種相對(duì)介電常數(shù)與鈦酸鈣相當(dāng),而溫度系數(shù)卻和金紅石相當(dāng)?shù)拟佀徕}一鉍化合物一鈦酸鍶系瓷。鈦酸鎂系瓷主要包括鈦酸鎂瓷、鈦酸鎂一鈦酸鈣系瓷、鈦酸鎂一鈦酸鑭一鈦酸鈣...
解決指南MLCC的彎曲裂紋對(duì)策概要圖1:元件體裂紋的情形(切面)印刷線路板的分割與螺絲緊固、振動(dòng)與掉落所導(dǎo)致的沖擊會(huì)使MLCC(MultilayerCeramicChipCapacitor,積層貼片陶瓷片式電容器)的元件體產(chǎn)生裂紋,從而可能導(dǎo)致短路模式的故障。故障模式分為斷線狀態(tài)的開路模式與短路模式,因短路模式導(dǎo)致的故障甚至可能導(dǎo)致異常發(fā)熱、冒煙、起火等情況,因此對(duì)于要求可靠性的設(shè)備而言對(duì)策不可或缺。為避免彎曲裂紋,同時(shí)提高設(shè)備可靠性,hisdar提供經(jīng)過(guò)冗長(zhǎng)設(shè)計(jì)的特殊型MLCC產(chǎn)品。客戶可根據(jù)用途選擇產(chǎn)品,從而提高產(chǎn)品可靠性。MLCC發(fā)生彎曲裂紋的主要原因及過(guò)程電容器元件體內(nèi)部發(fā)生裂...
滲入電容器內(nèi)部的水分子產(chǎn)生電解。在陽(yáng)極產(chǎn)生氧化反應(yīng),銀離子與氫氧根離子結(jié)合生產(chǎn)氫氧化銀;在陰極產(chǎn)生還原反應(yīng),氫氧化銀與氫離子反應(yīng)生成銀和水。由于電極反應(yīng),陽(yáng)極的銀離子不斷向陰極還原成不連續(xù)金屬銀粒,靠水膜連接成樹狀向陽(yáng)極延伸。銀離子遷移不僅發(fā)生在無(wú)機(jī)介質(zhì)表面,還能擴(kuò)散到無(wú)機(jī)介質(zhì)內(nèi)部,引起漏電流增大,嚴(yán)重時(shí)可使用兩個(gè)銀電極之間完全短路,導(dǎo)致電容器擊穿。離子遷移可嚴(yán)重破壞正電極表面銀層,引線焊點(diǎn)與電極表面銀層之間,間隔著具有半導(dǎo)體性質(zhì)的氧化銀,使無(wú)介質(zhì)電容器的等效串聯(lián)電阻增大,金屬部分損耗增加,電容器的損耗角正切值顯著上升。由于正電極有效面積減小,電容器的電容量會(huì)因此而下降。表面絕緣電阻則...
但是如果在損傷部位存在雜質(zhì)離子或其他缺陷,使填平修復(fù)工作無(wú)法完善,則在陽(yáng)極氧化膜上會(huì)留下微孔,甚至可能成為穿透孔,使鋁電解電容擊穿。工藝缺陷如陽(yáng)極氧化膜不夠致密與牢固,在后續(xù)的鉚接工藝不佳時(shí),引出箔條上的毛刺刺傷氧化膜,這些刺傷部位漏電流很大,局部過(guò)熱使電容器產(chǎn)生熱擊穿。3.開路當(dāng)電容器內(nèi)部的連接性能變差或失效時(shí),通常就會(huì)發(fā)生開路。電性能連接變差的產(chǎn)生可能是腐蝕、振動(dòng)或機(jī)械應(yīng)力作用的結(jié)果。當(dāng)鋁電解電容在高溫或潮熱的環(huán)境中工作時(shí),陽(yáng)極引出箔片可能會(huì)由于遭受電化學(xué)腐蝕而斷裂。陽(yáng)極引出箔片和陽(yáng)極箔的接觸不良也會(huì)使電容器出現(xiàn)間歇開路。4.其他1)在工作早期,鋁電解電容器由于在負(fù)荷工作過(guò)程中電解...
Y1電容器的特點(diǎn)及應(yīng)用: 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),Y1電容器就是分別跨接在電力線兩線和地之間(L-E,N-E)的電容,一般是成對(duì)出現(xiàn)。基于漏電流的限制,Y電容值不能太大,一般X電容是uF級(jí),Y電容是nF級(jí)。X電容yi制差模干擾,Y1電容器yi制共模干擾。Y1電容器特點(diǎn): 體積小; 通過(guò)并符合安規(guī)認(rèn)證的交流電容器; 高頻損耗小,可承受交流尖峰浪涌沖擊; 過(guò)電流能力強(qiáng),容量和損耗衰減很小; 使用壽命長(zhǎng); Y1額定電壓<400-500VAC,實(shí)驗(yàn)電壓4000VAC; Y電容常采用高壓瓷片; Y1屬于雙絕緣Y電容,用于跨接一二次側(cè); 阻燃的環(huán)氧樹脂封裝...
編碼: 陶瓷電容上會(huì)印有三位數(shù)的編碼標(biāo)示其電容值,前二個(gè)數(shù)字標(biāo)示容值比較高的二位數(shù),zui后一數(shù)字則標(biāo)示10的次方,其單位為皮法拉 (pF)。數(shù)字后會(huì)有一個(gè)字母標(biāo)示其電容允差范圍。B± 0.1 pFC± 0.25 pFM±20%D± 0.5 pFP+100 ?0%J± 5%Y?20 +50%K±10%Z?20 + 80%例:一陶瓷電容標(biāo)示104K,表示其容值為10×104 pF = 100,000 pF = 100 nF = 0.1 μF ±10% EIA也有針對(duì)電容的溫度系數(shù)有三個(gè)字的識(shí)別碼。對(duì)于不是Class 1的非溫度補(bǔ)償型電容,第yi個(gè)字對(duì)應(yīng)工作溫度的下限,第二個(gè)字為數(shù)...
大中小陶瓷電容器在開關(guān)電源適配器中的作用2016-06-17共同成長(zhǎng)8...展開全文陶瓷電容器在開關(guān)電源適配器中的作用陶瓷電容器因?yàn)轶w積小、壽命長(zhǎng)、使用頻率高等優(yōu)點(diǎn),在開關(guān)電源適配器中應(yīng)用比較多。陶瓷電容也稱瓷介電容,它的介質(zhì)是一種天然物質(zhì)陶瓷。陶瓷電容器有多種結(jié)構(gòu)形式,其原理大體一樣,主要是根據(jù)陶瓷的理化性質(zhì)嚴(yán)格控制陶瓷片的厚度、面積、光滑度和平整度,然后經(jīng)過(guò)現(xiàn)代技術(shù)進(jìn)行精細(xì)加工而成。陶瓷的種類很多,根據(jù)成分不同,可分為鈦康陶瓷、熱康陶瓷及鈦酸鋇陶瓷等,鈦康材料的介電常數(shù)較高,具有負(fù)溫度系數(shù)。熱康材料的介電常數(shù)較低,負(fù)溫度系數(shù)較小,電容的穩(wěn)定性好。鈦酸鋇材料介電常數(shù)比較高,溫度系數(shù)也...
硬包裝的圓柱狀玻璃或塑料電容比起通常長(zhǎng)方體包裝的電容更容易炸裂,而后者不容易在高壓下裂開。2、被用在射頻電路中和長(zhǎng)期在強(qiáng)電流環(huán)境工作的電容會(huì)過(guò)熱,特別是電容中心的卷筒。即使外部環(huán)境溫度較低,但這些熱量不能及時(shí)散發(fā)出去,集聚在內(nèi)部可能會(huì)迅速導(dǎo)致內(nèi)部高熱從而導(dǎo)致電容損壞。3、在高能環(huán)境下工作的電容組,如果其中一個(gè)出現(xiàn)故障,使電流突然切斷,其他電容中儲(chǔ)存的能量會(huì)涌向出故障的電容,這就即有可能出現(xiàn)猛烈的爆炸。高壓瓷片電容器優(yōu)點(diǎn)編輯1、容量損耗隨溫度頻率具高穩(wěn)定性。2、特殊的串聯(lián)結(jié)構(gòu)適合于高電壓極長(zhǎng)期工作可靠性。3、高電流爬升速率并適用于大電流回路無(wú)感型結(jié)構(gòu)。[1]參考資料1.蒲永平;陳壽田凝膠...
和其它的電容器相比具有體積小、容量大、耐熱性好、適合批量生產(chǎn)、價(jià)格低等優(yōu)點(diǎn)。由于原材料豐富,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,價(jià)格低廉,而且電容量范圍較寬(一般有幾個(gè)PF到上百μF),損耗較小,電容量溫度系數(shù)可根據(jù)要求在很大范圍內(nèi)調(diào)整。陶瓷電容器品種繁多,外形尺寸相差甚大從0402(約1×)封裝的貼片電容器到大型的功率陶瓷電容器。按使用的介質(zhì)材料特性可分為Ⅰ型、Ⅱ型和半導(dǎo)體陶瓷電容器;按無(wú)功功率大小可分為低功率、高功率陶瓷電容器;按工作電壓可分為低壓和高壓陶瓷電容器;按結(jié)構(gòu)形狀可分為圓片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、疊片、獨(dú)石、塊狀、支柱式、穿心式等。陶瓷電容器的分類陶瓷電容器從介質(zhì)類型主要可以分為兩類,...
自發(fā)極化在一定溫度范圍內(nèi)、單位晶胞內(nèi)正負(fù)電荷中心不重合,形成偶極矩,呈現(xiàn)象極性。這種在無(wú)外電場(chǎng)作用下存在的極化現(xiàn)象稱為自發(fā)極化。當(dāng)施加外界電場(chǎng)時(shí),自發(fā)極化方向沿電場(chǎng)方向趨于一致;當(dāng)外電場(chǎng)倒向,而且超過(guò)材料矯頑電場(chǎng)值時(shí),自發(fā)極化隨電場(chǎng)而反向;當(dāng)電場(chǎng)移去后,陶瓷中保留的部分極化量,即剩余極化。自發(fā)極化與電場(chǎng)間存在著一定的滯后關(guān)系。它是表征鐵電材料性質(zhì)的必要條件。鐵電陶瓷、壓電陶瓷,如鈦酸鋇晶體BaTiO3等具有自發(fā)極化。利用材料的這種性質(zhì),可制作電子陶瓷,如電容器及敏感元器件。所謂極化(Poling),就是在壓電陶瓷上加一強(qiáng)直流電場(chǎng),使陶瓷中的電疇沿電場(chǎng)方向取向排列,又稱人工極化處理,或單...
保持其極化強(qiáng)度的同時(shí)極大提高能量轉(zhuǎn)換效率。從化學(xué)結(jié)構(gòu)來(lái)看,NZZ摻雜的BF-BT由于燒結(jié)過(guò)程中的化學(xué)偏析會(huì)形成大面積不均勻的核殼結(jié)構(gòu)(內(nèi)核Bi/Fe過(guò)量和外殼Ba/Ti過(guò)量)。與此同時(shí),他們通過(guò)運(yùn)用電化學(xué)阻抗譜來(lái)揭示摻雜對(duì)陶瓷本征電學(xué)微觀結(jié)構(gòu)的改變,發(fā)現(xiàn)不摻雜或少量摻雜NZZ的BF-BT陶瓷在高頻部分出現(xiàn)阻抗極低電導(dǎo)極高的部分,并且陶瓷本征阻抗很低,從而導(dǎo)致?lián)舸﹫?chǎng)強(qiáng)很低;而對(duì)于摻雜8%的NZZ組分,雖然化學(xué)結(jié)構(gòu)上出現(xiàn)不均勻的核殼結(jié)構(gòu),但電性能非常均勻且本征阻抗達(dá)到未摻雜的兩倍以上,從而獲得極高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)。對(duì)于陶瓷本征擊穿場(chǎng)強(qiáng),相對(duì)于化學(xué)結(jié)構(gòu)的不均勻性,電性能均勻性及陶瓷本征阻抗更為重要...
保持其極化強(qiáng)度的同時(shí)極大提高能量轉(zhuǎn)換效率。從化學(xué)結(jié)構(gòu)來(lái)看,NZZ摻雜的BF-BT由于燒結(jié)過(guò)程中的化學(xué)偏析會(huì)形成大面積不均勻的核殼結(jié)構(gòu)(內(nèi)核Bi/Fe過(guò)量和外殼Ba/Ti過(guò)量)。與此同時(shí),他們通過(guò)運(yùn)用電化學(xué)阻抗譜來(lái)揭示摻雜對(duì)陶瓷本征電學(xué)微觀結(jié)構(gòu)的改變,發(fā)現(xiàn)不摻雜或少量摻雜NZZ的BF-BT陶瓷在高頻部分出現(xiàn)阻抗極低電導(dǎo)極高的部分,并且陶瓷本征阻抗很低,從而導(dǎo)致?lián)舸﹫?chǎng)強(qiáng)很低;而對(duì)于摻雜8%的NZZ組分,雖然化學(xué)結(jié)構(gòu)上出現(xiàn)不均勻的核殼結(jié)構(gòu),但電性能非常均勻且本征阻抗達(dá)到未摻雜的兩倍以上,從而獲得極高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)。對(duì)于陶瓷本征擊穿場(chǎng)強(qiáng),相對(duì)于化學(xué)結(jié)構(gòu)的不均勻性,電性能均勻性及陶瓷本征阻抗更為重要...
高壓瓷片電容器有幾百伏的,有幾千伏的,一般在容值下面標(biāo)出XXKV。電容的容量標(biāo)識(shí)的幾種方法:一、直接標(biāo)識(shí):如其電解電容,容量47uf,電容耐壓25v。二、使用單位nf:如上圖的滌綸電容,標(biāo)稱4n7,即,轉(zhuǎn)換為pf即為4700pf。還有的例如:10n,即,即。后面的63是指電容耐壓63v。三、數(shù)學(xué)計(jì)數(shù)法:如瓷介電容,標(biāo)值104,容量就是:10X10000pf=,即為47X1000pf=。(后面的4、3,都表示10的多少次方)。又如:332=33X100pf=3300pf。電容的使用,都應(yīng)該在指定的耐壓下工作。現(xiàn)在的好多質(zhì)量不高的產(chǎn)品,就因?yàn)槭褂昧四蛪翰蛔愕碾娙荻鸸收希ǔR婋娙荼眩?..
多層片狀陶介電容器具體不良可分為:1、熱擊失效2、扭曲破裂失效3、原材失效三個(gè)大類(1)熱擊失效模式:熱擊失效的原理是:在制造多層陶瓷電容時(shí),使用各種兼容材料會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部出現(xiàn)張力的不同熱膨脹系數(shù)及導(dǎo)熱率。當(dāng)溫度轉(zhuǎn)變率過(guò)大時(shí)就容易出現(xiàn)因熱擊而破裂的現(xiàn)象,這種破裂往往從結(jié)構(gòu)zui弱及機(jī)械結(jié)構(gòu)zui集中時(shí)發(fā)生,一般是在接近外露端接和中央陶瓷端接的界面處、產(chǎn)生zui大機(jī)械張力的地方(一般在晶體zui堅(jiān)硬的四角),而熱擊則可能造成多種現(xiàn)象:第yi種是顯而易見的形如指甲狀或U-形的裂縫第二種是隱藏在內(nèi)的微小裂縫第二種裂縫也會(huì)由裸露在外的中央部份,或陶瓷/端接界面的下部開始,并隨溫度的轉(zhuǎn)變,或于組裝進(jìn)...
尤其是在一些脈沖比較強(qiáng)的電路中是不能使用低頻瓷片電容的,否則很有可能會(huì)被電壓直接擊穿。二者的差異比較二者不同類型的瓷片電容規(guī)格識(shí)別可以直接通過(guò)電容器或者是電路來(lái)進(jìn)行判斷。一般來(lái)說(shuō)可以耐受高壓,絕緣性比較好,而且比較可靠,運(yùn)用于高壓電路中的就屬于高頻瓷片電容。而低頻瓷片電容相比較而言可靠性以及成本都比較低,多數(shù)時(shí)候都是運(yùn)用于一些低頻電路以及耦合電路等的電容器中。快速識(shí)別方法一般來(lái)說(shuō)在音頻控制器以及分頻器上使用的電容都是高頻瓷片電容,因?yàn)槠淙萘繒?huì)比較大,通過(guò)金屬塑料薄膜的使用可以獲得更佳的音質(zhì)。其次就是在濾波電容中,其容量的特性決定了使用電解電容的效果會(huì)比較好,但在使用的過(guò)程中還要注意yi...